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许铭真

作品数：101 被引量：63H指数：4
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇期刊文章
  • 28篇会议论文
  • 5篇专利
  • 3篇科技成果

领域

  • 85篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 4篇理学

主题

  • 26篇超薄
  • 24篇氧化层
  • 24篇薄栅
  • 19篇超薄栅
  • 17篇半导体
  • 16篇英文
  • 16篇载流子
  • 16篇MOS器件
  • 15篇热载流子
  • 13篇栅氧化
  • 13篇栅氧化层
  • 12篇晶体管
  • 12篇场效应
  • 12篇场效应晶体管
  • 11篇半导体器件
  • 10篇可靠性
  • 10篇薄栅氧化层
  • 10篇MOSFET
  • 9篇电路
  • 9篇软击穿

机构

  • 101篇北京大学
  • 1篇大连理工大学

作者

  • 101篇许铭真
  • 92篇谭长华
  • 17篇毛凌锋
  • 16篇段小蓉
  • 14篇王阳元
  • 12篇何燕冬
  • 11篇卫建林
  • 8篇穆甫臣
  • 8篇刘晓卫
  • 8篇王金延
  • 7篇赵要
  • 7篇胡靖
  • 7篇张贺秋
  • 7篇霍宗亮
  • 6篇杨国勇
  • 4篇王子欧
  • 4篇靳磊
  • 4篇解冰
  • 3篇马金源
  • 3篇王彦刚

传媒

  • 42篇Journa...
  • 7篇中国集成电路
  • 6篇电子学报
  • 6篇第十二届全国...
  • 4篇第十三届全国...
  • 2篇物理学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第八届全国固...
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇第十五届全国...
  • 2篇第四届全国固...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇大连理工大学...
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微电子学
  • 1篇国际学术动态
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 6篇2007
  • 9篇2006
  • 7篇2005
  • 10篇2004
  • 15篇2003
  • 6篇2002
  • 17篇2001
  • 6篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 3篇1994
  • 2篇1993
  • 5篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 101 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化被引量：1
2006年
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-M O S器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响。实验发现衬底正偏压对沟长0.135μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长0.25μm,栅氧化层厚度5 nm器件更强。分析结果表明,随着器件沟长继续缩短和栅氧化层减薄,由于衬底正偏置导致的阈值电压减小、增强的寄生NPN晶体管效应、沟道热电子与碰撞电离空穴复合所产生的高能光子以及热电子直接隧穿超薄栅氧化层产生的高能光子可能打断S i-S iO2界面的弱键产生界面陷阱,加速n-M O S器件线性漏电流的退化。
赵要许铭真谭长华
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管可靠性热载流子效应
陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统
本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和...
谭长华许铭真王阳元张晖刘晓卫王永顺
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制被引量：15
2005年
研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0·936eV,远小于Si/SiO2界面的势垒高度3·15eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界面量子化能级上的电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐渐降低.
王彦刚许铭真谭长华段小蓉
关键词：超薄栅氧化层N-MOSFET导电机制软击穿SI/SIO2栅电流
超薄栅介质(SiO<,2>)TDDB的非阿尔赫留斯温度特性模型
在早期的温度加速研究中,广泛采用阿尔赫留斯(Arrhenius)方程来描述介质的时变相关击穿时间(TDDB),随着超大规模集成电路集成度的迅速增大,当SiO<,2>厚度小于7nm以后,人们发现,t<,BD>不仅与应力电压...
许铭真谭长华何燕冬段小蓉
关键词：超薄栅介质
文献传递
超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性(英文)
2003年
研究了在软击穿后 MOS晶体管特性的退化 .在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数 .在软击穿后 ,输出特性和转移特性只有小的改变 .在软击穿发生时 ,漏端的电流和域值电压的退化是连续变化的 .但是 ,在软击穿时栅漏电流突然有大量的增加 .对软击穿后的栅漏电流增量的分析表明 ,软击穿后的电流机制是 FN隧穿 ,这是软击穿引起的氧化物的势垒高度降低造成的 .
张贺秋许铭真谭长华
关键词：MOSFET软击穿超薄
用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪
比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术——比例差值谱技术,实现了半导体器件的关键电学特征参数如饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流子迁移率等直接、准确、便捷地提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows...
许铭真马金源谭长华谭映王洁靳磊
关键词：参数检测
文献传递
基于MOSFET比例差值特性的器件表征方法被引量：1
2001年
利用比例差值方法给出了 MOS器件的一种新特性——比例差值输出特性 ,该特性具有谱峰特征 ,其峰位、峰高与器件的特征参数相关 .采用了一个分析模型来表征谱峰与器件特性参数关系 ,可以直接提取 MOS器件特征参数 .模型计算结果与实验数据保持了很好的一致性 .
王金延许铭真谭长华
关键词：MOSFET场效应晶体管
TDDB双激活能效应及其对SiO2寿命预测的影响
在SiO<,2>可靠性研究中激活能(Ea)是一个关键的可靠性参数,要准确确定Em值,并进行可靠性寿命预测,关键在于确定Ea的转变温度Tc,进而确定出Eae的值,用这个低温区的击穿激活能Eae值外推出工作温度下的SiO<,...
许铭真谭长华
关键词：可靠性
文献传递
超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制(英文)
2003年
通过测量界面陷阱的产生 ,研究了超薄栅 n MOS和 p MOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流( SIL C) .在实验结果的基础上 ,发现对于不同器件类型 ( n沟和 p沟 )、不同沟道长度 ( 1、0 .5、0 .2 75和 0 .13 5 μm)、不同栅氧化层厚度 ( 4和 2 .5 nm) ,热载流子应力后的 SIL C产生和界面陷阱产生之间均存在线性关系 .这些实验证据表明 MOS器件减薄后 ,SIL
杨国勇霍宗亮王金延毛凌锋王子欧谭长华许铭真
关键词：热载流子应力超薄栅氧化层MOS器件
超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究
本文用电子速度饱和概念和比例差值方法(PDO)研究了超薄Si02在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的...
许铭真谭长华段小蓉何燕冬
关键词：软击穿栅电流I-V特性
文献传递
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