温宇峰 作品数:4 被引量:31 H指数:3 供职机构: 天津大学电子信息工程学院 更多>> 发文基金: 天津市自然科学基金 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 化学工程 更多>>
Pt薄膜热敏电阻工艺研究 被引量:13 2002年 本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好的线性度和灵敏度,电阻温度系数达到(或接近)3 850 ?06℃1。本工艺条件稳定,适合批量生产。 温宇峰 祖光裕 胡明 张之圣 刘志刚关键词:磁控溅射 基片 电阻温度系数 非致冷红外探测器用氧化钒薄膜工艺研究 该论文以高纯五氧化二钒和高纯金属钒分别作为蒸发源和溅射靶材,采用真空蒸发法和反应射频磁控溅射方法制备了氧化钒薄膜.在实验中主要研究了基片温度、Ar/O2比、真空热处理等条件对氧化钒薄膜性能的影响.对于蒸发镀膜,适当提高基... 温宇峰关键词:氧化钒薄膜 射频磁控溅射 真空热处理 文献传递 基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响 被引量:5 2004年 以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜,调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为200°C时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0.03/°C,并发现基片温度越高,薄膜在室温附近的电阻率越低,电阻温度系数绝对值也越小。 吴淼 胡明 温宇峰关键词:五氧化二钒 退火 基片温度 电阻温度系数 真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究 被引量:13 2005年 以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备V O x薄膜,运用X R D(X射线衍射)和SE M(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TC R)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TC R绝对值减小。 吴淼 胡明 张之圣 刘志刚 温宇峰关键词:氧化钒薄膜 基片温度 X射线衍射 室温 表面形貌 V2O5