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温宇峰

作品数：4 被引量：31H指数：3
供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：天津市自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇基片
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻温度系数
  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇基片温度
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氧化钒
  • 1篇真空
  • 1篇真空热处理
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射线衍射
  • 1篇室温
  • 1篇退火
  • 1篇器用
  • 1篇热敏电阻
  • 1篇五氧化二钒
  • 1篇V2O5

机构

  • 4篇天津大学

作者

  • 4篇温宇峰
  • 3篇胡明
  • 2篇张之圣
  • 2篇刘志刚
  • 2篇吴淼
  • 1篇祖光裕

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2002
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Pt薄膜热敏电阻工艺研究被引量：13
2002年
本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好的线性度和灵敏度,电阻温度系数达到(或接近)3 850 ?06℃1。本工艺条件稳定,适合批量生产。
温宇峰祖光裕胡明张之圣刘志刚
关键词：磁控溅射基片电阻温度系数
非致冷红外探测器用氧化钒薄膜工艺研究
该论文以高纯五氧化二钒和高纯金属钒分别作为蒸发源和溅射靶材,采用真空蒸发法和反应射频磁控溅射方法制备了氧化钒薄膜.在实验中主要研究了基片温度、Ar/O2比、真空热处理等条件对氧化钒薄膜性能的影响.对于蒸发镀膜,适当提高基...
温宇峰
关键词：氧化钒薄膜射频磁控溅射真空热处理
文献传递
基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响被引量：5
2004年
以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜,调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为200°C时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0.03/°C,并发现基片温度越高,薄膜在室温附近的电阻率越低,电阻温度系数绝对值也越小。
吴淼胡明温宇峰
关键词：五氧化二钒退火基片温度电阻温度系数
真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究被引量：13
2005年
以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备V O x薄膜,运用X R D(X射线衍射)和SE M(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TC R)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TC R绝对值减小。
吴淼胡明张之圣刘志刚温宇峰
关键词：氧化钒薄膜基片温度X射线衍射室温表面形貌V2O5
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