熊兵
- 作品数：147 被引量：91H指数：5
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 一种光子晶体电光调制器及其制作方法
- 本发明公开了一种光子晶体电光调制器及其制作方法，包括衬底、在衬底上通过溅射抬离或者电镀形成的电极、在电极与衬底上沉积形成的键合层、对键合层抛光处理后键合形成的电光材料薄膜、在电光材料薄膜上刻蚀形成的光子晶体线缺陷波导、以...
- 熊兵刘学成罗毅孙长征
- 文献传递
- 发光量子阱对波长上转换红外探测器效率的影响
- 2016年
- 波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因素.设计、制作了具有不同发光阱个数的波长上转换红外探测器件,结合器件的红外响应和仿真计算,分析了发光阱个数对波长上转换效率的影响规律.研究结果表明,选择单个发光阱,有利于提高器件的发光效率,从而提高波长上转换效率.
- 康健彬王磊郝智彪王超谢莉莉罗毅汪莱王健熊兵孙长征韩彦军李洪涛王禄王文新陈弘
- 关键词：发光效率载流子分布
- 一种半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元
- 一种半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元，属于光电子器件中半导体电吸收调制器封装技术领域，其特征在于，在共面波导传输线结构中，在共面波导金属地电极纵轴线两侧，沿纵向开有导通热沉上表面该共面波导金属地电极和下表面金属地电极...
- 孙长征周奇伟熊兵罗毅
- 文献传递
- 氮化物纳米线MBE自组织生长的成核工艺研究
- Ⅲ族氮化物纳米线由于自由表面侧壁释放了晶格失配应力,因而可形成几乎无缺陷的单晶,在制作纳米线激光器、光催化材料、光传感器件以及单光子源等方面有重要的应用前景.相比于催化剂生长和选区生长,自组织方法由于不需要催化剂和图形掩...
- 鄂炎雄李洪涛孙长征罗毅郝智彪余佳东吴超刘润泽汪莱熊兵王健韩彦军
- 光纤通信用超高速半导体集成光源取得重大进展
- 2004年
- 熊兵
- 关键词：光纤通信波分复用技术超高速分布反馈激光器电吸收调制器B/S系统
- BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线被引量：3
- 2008年
- 面向高速行波电吸收（EA）调制器的需要，设计并制作了基于苯并环丁烯（BCB）聚合物／InP衬底的宽带（0～40GHz）、低损耗微波共面波导传输线。对共面波导结构开展仿真设计，分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化。结果表明，当设计的BCB膜厚为4μm、InP衬底导电率小于0．002（Ω·cm）^-1和信号线宽度为84μm时，微波传输性能可达最优。在此基础上，采用电阻率为10^8μΩ·cm的半绝缘（SI）InP衬底、涂覆4μmBCB薄膜，制作出0～40GHz范围内微波损耗小于0．5dB／mm的共面波导传输线。
- 侯海燕熊兵徐建明周奇伟孙长征罗毅
- 关键词：共面波导苯并环丁烯
- 一种光纤与光学波导耦合的模斑变换器及其制作方法
- 一种光纤与光学波导耦合的模斑变换器及其制作方法，其中，模斑变换器包括：沿从光纤到光学波导方向分为第一区域、第二区域和第三区域；第一区域从下到上包括衬底层、键合层、平板光学功能层，在键合层上形成掩埋过渡光波导结构；第二区域...
- 熊兵刘浩刘学成孙长征罗毅
- 文献传递
- 应用于40Gb/s电吸收调制器的Al_2O_3高速热沉研究被引量：1
- 2006年
- 设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／Ni／Au金属材料作为CPW传输线电极材料，从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触，使热沉的典型反射系数在0—40GHz范围内均达到优于-21dB的水平．作为验证，采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装，测试得到小信号调制响应带宽超过40GHz．
- 田建柏熊兵王健蔡鹏飞孙长征罗毅
- 关键词：电吸收调制器薄膜电阻阻抗匹配
- 电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究被引量：7
- 2003年
- 深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO_2和Si_3N_4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF_6等离子体刻蚀Si_3N_4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形。利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1。
- 王健熊兵孙长征郝智彪罗毅
- 关键词：干法刻蚀掩膜ICPINP等离子体
- 响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片
- 本实用新型实施例公开了一种响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片，该响应850nm波段的单行载流子光探测器芯片包括：衬底、外延层、电极以及绝缘层，所述衬底对850nm波段光透明。本实用新型采用对850nm波段光透明的...
- 王健窦志鹏熊兵郝智彪孙长征罗毅
