您的位置： 专家智库 > >

王一鹏

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇等离子体
  • 4篇等离子体技术
  • 3篇信号采集
  • 3篇信号采集器
  • 3篇采集器
  • 2篇仪器
  • 2篇浸没
  • 2篇基片
  • 2篇检测仪
  • 2篇检测仪器
  • 2篇测量仪
  • 2篇测量仪器
  • 1篇等离子体密度
  • 1篇电流
  • 1篇电压
  • 1篇信号
  • 1篇自动控制
  • 1篇自动控制系统
  • 1篇离子电流
  • 1篇脉冲电压

机构

  • 5篇复旦大学

作者

  • 5篇王一鹏
  • 4篇吴晓京
  • 4篇张昕
  • 3篇卢茜
  • 1篇杜晓琴
  • 1篇刘立龙
  • 1篇朱玮

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
一种等离子体浸没注入剂量的检测装置
本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括：安装于腔体内靶台的信号采集器，引线以及外围测量仪器；其中，信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构，所述引线为刚性结构，用于连接信号采集...
吴晓京王一鹏张昕卢茜
等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究
等离子体浸没注入(Plasma Immersion Ion Implantation，PIII)技术是一种新型的离子注入技术，由于其拥有非视线性的特点，被广泛应用于材料表面处理工艺。PIII技术从最初冶金学方面的应用，逐...
王一鹏
关键词：半导体材料材料改性脉冲激光沉积
一种等离子体浸没注入剂量的检测装置
本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括：安装于腔体内靶台的信号采集器，引线以及外围测量仪器；其中，信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构，所述引线为刚性结构，用于连接信号采集...
吴晓京王一鹏张昕卢茜
文献传递
一种等离子体浸没注入剂量标定方法
本发明属于等离子体技术领域，具体涉及一种等离子体浸没注入剂量标定方法。所述的标定方法为通过实时测定等离子体浸没注入过程中的脉冲电压和回路电流，并且通过对电流在脉冲时间内的积分，剔除二次电子的成分来得到离子电流的成分，从而...
吴晓京王一鹏张昕
文献传递
一种等离子体浸没注入设备的剂量控制系统
本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入设备的剂量控制系统。该控制系统包括位于离子注入设备内部的信号采集器，外围的信号测量设备以及计算机处理系统。其中信号采集器的设计依据及计算机自动控制系统的算法包含了本发...
吴晓京王一鹏张昕卢茜朱玮刘立龙杜晓琴
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0