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王光华

作品数:38 被引量:156H指数:8
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信化学工程理学更多>>

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇一般工业技术
  • 9篇电子电信
  • 8篇化学工程
  • 6篇理学
  • 4篇天文地球
  • 3篇电气工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 8篇电磁屏蔽
  • 7篇电磁
  • 7篇晶态
  • 6篇非晶
  • 5篇发光
  • 5篇非晶态
  • 4篇电磁干扰
  • 4篇碲化镉
  • 4篇碲镉汞
  • 4篇碲镉汞薄膜
  • 4篇溅射
  • 4篇复合材料
  • 4篇OLED
  • 4篇复合材
  • 3篇英文
  • 3篇石墨
  • 3篇塑料
  • 3篇膨胀石墨
  • 3篇显示器
  • 3篇复合塑料

机构

  • 24篇昆明物理研究...
  • 17篇西南科技大学
  • 7篇云南北方奥雷...
  • 2篇中国兵器科学...

作者

  • 38篇王光华
  • 16篇董发勤
  • 13篇姬荣斌
  • 13篇孔金丞
  • 11篇杨丽丽
  • 11篇孔令德
  • 11篇李雄军
  • 9篇赵俊
  • 7篇张鹏举
  • 6篇段瑜
  • 5篇张宝述
  • 3篇张筱丹
  • 3篇贺小春
  • 2篇庄继胜
  • 2篇杨佩原
  • 2篇陈晓燕
  • 2篇郑凯
  • 2篇杨玉山
  • 2篇万锐敏
  • 2篇李竑志

传媒

  • 10篇红外技术
  • 4篇中国粉体技术
  • 3篇功能材料
  • 3篇中国非金属矿...
  • 2篇化工新型材料
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇非金属矿
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国塑料
  • 1篇《硅酸盐学报...

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 10篇2007
  • 1篇2006
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备被引量:2
2015年
通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m^2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m^2到20000 cd/m^2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm^2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m^2和500 cd/m^2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
段瑜张筱丹孙浩朱亚安王光华宋立媛于晓辉万锐敏季华夏李亚文
关键词:OLED微显示器件
新型电磁屏蔽塑料母粒和复合塑料的制备方法
本发明公开了一种新型电磁屏蔽塑料母粒和复合塑料的制备方法,属功能材料技术领域。通过在树脂基体中添加高导电性和高磁导率功能基元填料,在结构上采用多层组合的设计思想,并根据屏蔽源特征和屏蔽目的不同而改变功能屏蔽塑料的结构单元...
董发勤王光华
文献传递
羰基铁粉表面改性及其热稳定性研究被引量:13
2011年
采用硅烷偶联剂对羰基铁颗粒进行表面改性,研究改性羰基铁粉的热稳定性,利用扫描电镜、红外光谱、差热分析等分析手段,对羰基铁粉表面改性效果和机理进行系统分析。结果表明:经过硅烷偶联剂改性之后的羰基铁粉红外图谱出现了Si—O—Si和Si—O—Fe的特征峰,说明硅烷偶联剂与羰基铁颗粒表面发生化学键合作用;改性后的羰基铁粉与未改性羰基铁粉相比,其分散性和抗氧化能力得到了明显提高。
王光华孔金丞李雄军杨丽丽
关键词:羰基铁硅烷偶联剂表面改性热稳定性
硅基有机发光二极管器件及其在近眼终端系统中应用
主要阐述硅基OLED 微型显示器发展现状、OLED 微型显示器光电性能影响因素及其器件在近眼终端系统中应用等。
王光华
非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)被引量:2
2012年
研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88~0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80~240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10—8Ω—1.cm—1缓慢增大到5×10-8Ω—1.cm—1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10—5Ω—1.cm—1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。
孔金丞张鹏举杨佩原李雄军孔令德杨丽丽赵俊王光华姬荣斌
关键词:电导率吸收边
沸石离子交换的研究现状及发展趋势被引量:18
2007年
本文在分析沸石结构的基础上,讨论了国内外沸石离子交换的研究现状,探讨了沸石离子交换的几种方法及影响离子交换的各种因素,并对沸石离子交换的应用研究方向进行了展望。
王光华董发勤张宝述
关键词:离子交换斜发沸石
天然纤维水镁石阻燃剂的复合性能研究被引量:5
2009年
以硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和磷酸酯偶联剂对天然纤维水镁石(FB)阻燃剂进行表面改性。将未改性与改性的FB分别填充聚丙烯(PP),研究了未改性与改性的FB及填充量对PP的力学性能和阻燃性能的影响,结果表明:未改性与改性的FB填充量在37.4%以下时,磷酸酯偶联剂改性FB填充PP的熔体流动速率和钛酸酯偶联剂改性FB填充PP的断裂伸长率下降最小;未改性与改性的FB填充量在28.5%时,硅烷偶联剂改性FB填充PP的抗拉强度增强最多;FB的填充量为41.2%时,有明显的阻燃效果,PP的氧指数[OI]为28.5%,当改性FB以此填充量加入PP时,酸酯偶联剂改性FB填充PP的力学性能较好,PP的拉伸强度和缺口冲击强度分别在21.10~22.51MPa和4.25~4.98MPa之间。最后,对纤维水镁石的阻燃机理进行了研究。
董发勤张宝述王维清王光华郑凯
关键词:表面改性阻燃性能聚丙烯
非晶态碲镉汞的光学性质(英文)被引量:1
2012年
采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶态碲镉汞薄膜的介电函数谱特征与晶态碲镉汞材料的明显不同,表现出与其他非晶态半导体材料类似的"波包"结构特征。基于修正的FB模型在1.0~4.0eV的能量范围内对实验结果进行了拟合分析,得到了不同组分非晶态碲镉汞薄膜的光学带隙随组分关系。通过与单晶碲镉汞光学带隙随组分变化关系的对比研究,结果表明碲镉汞的结构从晶态向非晶态转变过程中,材料的光学待续发生了明显的"蓝移"。
孔金丞赵俊孔令德李雄军王光华杨丽丽张鹏举姬荣斌
关键词:椭圆偏振光谱光学性质
斜发沸石中Ag^+-Na^+离子交换实验研究被引量:2
2006年
本研究以河南信阳斜发沸石为原料,首先对河南斜发沸石进行了Na化改型,通过液相离子交换法,探讨斜发沸石中Ag+-Na+离子交换特征。讨论在不同反应温度、时间、溶液浓度、pH值、静止与震荡等条件对沸石载银量的影响。实验结果表明,制备载银斜发沸石的最佳实验条件为,AgNO3的初始浓度为0.1mol/L、反应液的pH值为6.0~8.0、反应温度为60℃、在震荡的条件下反应4h时,斜发沸石具有最大的银离子交换量。
王光华张宝述董发勤
关键词:斜发沸石银离子钠离子离子交换
电磁屏蔽复合材料研究进展被引量:14
2009年
随着科学技术和电子信息工业的迅速发展,电磁波辐射已经成为社会的一大公害,对各种电子设备和人体都会产生很大的影响,所以需要对电磁波进行屏蔽。本文综合叙述了当前应用较多的表层导电型和填充型电磁屏蔽复合材料的特点及其研究进展,并对其发展趋势进行了简要的阐述。
陈晓燕董发勤张伟王光华
关键词:电磁屏蔽复合材料电磁干扰
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