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缪熙月

作品数:4 被引量:36H指数:3
供职机构:复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇有机薄膜电致...
  • 2篇有机薄膜电致...
  • 2篇发光
  • 2篇发光器件
  • 2篇薄膜电致发光
  • 2篇薄膜电致发光...
  • 1篇电极
  • 1篇钝化
  • 1篇氧化锌
  • 1篇砷化镓
  • 1篇受激
  • 1篇受激发射
  • 1篇铟锡氧化物
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇扩散
  • 1篇激光
  • 1篇激光器

机构

  • 4篇复旦大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 4篇缪熙月
  • 3篇侯晓远
  • 2篇熊祖洪
  • 2篇廖良生
  • 2篇何钧
  • 2篇周翔
  • 1篇胡海天
  • 1篇李哲深
  • 1篇陈溪滢
  • 1篇柯炼
  • 1篇王迅
  • 1篇曹先安
  • 1篇杨建树
  • 1篇丁训民
  • 1篇袁泽亮
  • 1篇陆尔东
  • 1篇王杰
  • 1篇魏彦峰

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇发光学报
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
铟锡氧化物电极中In的扩散对有机薄膜电致发光器件发光区暗斑形成的影响被引量:1
1999年
为了研究有机薄膜电致发光器件发光区暗斑的形成,制备了Al/8-羟基喹啉铝/铟锡氧化物/玻璃衬底结构的发光器件,观察了器件失效前后的表面形貌,并对器件进行了微区Auger能谱分析.结果表明,铟锡氧化物电极表面In向有机层内的扩散是产生微区高电场、从而形成发光区暗斑的一个不可忽视的重要因素.
廖良生缪熙月周翔熊祖洪何钧邓振波侯晓远
关键词:电致发光器件铟锡氧化物电极
中性(NH_4)_2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究被引量:5
1998年
采用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合扫描电子显微镜(SEM)和称量法,研究了中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面,并与常规(NH4)2S碱性溶液钝化方法进行了比较.SRPES结果表明该处理方法可以产生较厚的Ga硫化物层和较强的Ga—S键,Ga的硫化物有好的稳定性.称量法表明该方法有更低的腐蚀速率.SEM结果表明该方法钝化处理的GaAs表面所产生的腐蚀坑数目少,直径小.
袁泽亮丁训民胡海天李哲深杨建树缪熙月陈溪滢曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词:SEM表面钝化砷化镓
Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点被引量:21
1999年
介绍了研制Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径———自组织生长ZnO量子点微晶结构.ZnO已经实现了室温下光泵激发的受激发射.它将是继Ⅱ-Ⅵ族硒化物、Ⅲ-Ⅴ簇氮化物之后的又一种半导体激光器材料.
柯炼缪熙月魏彦峰王杰王迅
关键词:量子点受激发射半导体激光器氧化锌
有机薄膜电致发光器件失效过程的动态观测及分析被引量:10
1998年
对有机薄膜电致发光器件失效的全过程进行了显微动态观察.发现器件工作时,有机层/金属界面形成的气泡逐渐变大变多,最终导致器件完全失效.气泡中不仅含有水汽,还存在大量有机气体.
何钧廖良生周翔缪熙月熊祖洪侯晓远
共1页<1>
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