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胡涛

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:南通大学更多>>
发文基金:江苏省产学研联合创新资金项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 2篇多量子阱
  • 2篇多量子阱结构
  • 2篇深紫外
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇量子效率
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇内量子效率
  • 2篇GAN基发光...
  • 1篇输出功率
  • 1篇离子辅助沉积
  • 1篇光输出
  • 1篇光输出功率
  • 1篇发光二极管(...
  • 1篇白光
  • 1篇DBR
  • 1篇GAN

机构

  • 3篇南通大学

作者

  • 3篇胡涛
  • 3篇王美玉
  • 3篇朱友华
  • 3篇李毅

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
4 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于DBR结构的蓝光及白光GaN LED的制备及光学性能改善
2023年
为改善GaN基发光二极管(LED)的光学性能,设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO_(2)/Ti3O5分布式布拉格反射镜(DBR)结构的蓝光和白光GaN LED。制备了具有不同周期数的DBR结构,其中,17周期DBR结构在400~660 nm波长内平均反射率超过99.3%,其反射带宽度达到231 nm。测试并比较了封装后的基于DBR结构的LED芯片的电学与光学特性。通过电流-光输出功率(I-L)特性测试,发现具有17周期DBR结构的蓝光LED的光输出功率比5周期的提升了6.7%,而白光LED的光输出功率则提升了9.7%。在约100 mA的直流注入电流下,蓝光和白光LED的最大光输出功率分别达到134.9 mW和108.4 mW。
胡涛朱友华钟岱山王美玉李毅
关键词:离子辅助沉积光输出功率
一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管
本发明公开了一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管,至少包含:n型半导体层、由势垒层和耦合AlGaN阱层周期交叠构成的多量子阱结构、p型半导体层,其特征在于:所述耦合AlGaN阱层至少包括三层结构,从下到上依次为...
李毅朱友华王美玉胡涛葛梅
文献传递
一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管
本发明公开了一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管,至少包含:n型半导体层、由势垒层和耦合AlGaN阱层周期交叠构成的多量子阱结构、p型半导体层,其特征在于:所述耦合AlGaN阱层至少包括三层结构,从下到上依次为...
李毅朱友华王美玉胡涛葛梅
文献传递
共1页<1>
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