范秀强
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 十二位SOI/CMOS数模转换器的研制
- 2002年
- 介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3—7温度编码电路,降低了对R—2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度。
- 范秀强张正番刘永光多新中张苗王连卫林成鲁
- 关键词：数模转换器模拟开关
- 一种低剂量注氧制作绝缘层上硅(SOI)电路的器件工艺
- 本发明涉及一种低剂量氧注入制作绝缘层上硅(SOI)电路的方法,属于微电子技术领域。本发明特征在于4～6×10<Sup>17</Sup>/cm<Sup>2</Sup>低剂量注氧后,经预氧化淀积Si<Sub>3</Sub>N...
- 王连卫林成鲁张苗范秀强多新中
- 文献传递
- 一种消除局部注氧隔离形成绝缘层上硅(SOI)中边界应力的方法
- 本发明提供一种局部注氧隔离形成绝缘层上硅(SOI)材料的边界应力消除方法,属于微电子领域,本发明提供的方法特征是将硅工艺中的局部氧化工艺与传统的硅中注氧隔离技术结合起来,采用先区域氧化然后再高温退火工艺,与硅集成电路工艺...
- 王连卫林成鲁多新中范秀强邢昆山
- 文献传递
