袁明健
- 作品数:11 被引量:17H指数:2
- 供职机构:自贡硬质合金有限责任公司更多>>
- 发文基金:博士后科研启动基金更多>>
- 相关领域:冶金工程一般工业技术金属学及工艺轻工技术与工程更多>>
- 一种检测通规和止规
- 本实用新型属于测量器具技术领域,具体涉及一种检测通规,包括通规本体,所述通规本体的下部设有检测槽,所述通规本体呈片状;其检测槽上表面的中部向上开设有圆形检测切口,所述检测切口与检测槽之间设有过渡段;所述检测槽、检测切口和...
- 袁明健
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- 一种低钴高强度硬质合金及其制备方法
- 本发明涉及硬质合金技术领域,具体公开了一种低钴高强度硬质合金,包括以下重量份数的原料:复合硬质相:93.5‑94.2份;粘接相:5.8‑6.5份;所述粘接相为钴;所述复合硬质相包括费氏粒度为3.10μm~3.60μm碳化...
- 袁明健
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- 氢气脱蜡工艺对硬质合金原料中碳量要求的影响
- 将不同碳含量碳化钨配制的钴含量为11%左右的硬质合金石蜡混合料压制成压坯,将压坯置于一体化ZKL-16氢气脱蜡真空烧结炉中烧结,对烧结后的合金进行检测分析。结果表明:采用氢气脱蜡、真空烧结工艺完全可以实现饱和碳含量的碳化...
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- 关键词:碳化钨硬质合金真空烧结炉
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- 一种专用检测通规和止规
- 本实用新型属于测量器具技术领域,具体涉及一种专用检测通规,包括通规本体和设于通规本体上的检测结构,所述检测结构包括相互连接的插入部和圆弧部。本实用新型针对辊压齿这类产品进行设计,使用本实用新型的进行检测,检测人员的劳动强...
- 袁明健
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- 一种硬质辊压齿的制作方法
- 本发明提供一种硬质辊压齿的制作方法,步骤1、选用重量比为(79.7~82):(18~20.3):(0~1.2)的碳化钨粉、粘结剂、添加剂作为原料,其中,粘结剂包括钴、镍与铁、钼、钨中的至少一种的混合料;所述添加剂为钒、钽...
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- WC-Co硬质合金硬度和冲击韧度影响因素的变量搜索试验被引量:8
- 2011年
- 采用粉末冶金气压烧结技术制备了粗晶粒WC-Co硬质合金。通过变量搜索方法安排整个试验,研究了合金含碳量、烧结工艺参数、合金钴含量、添加剂镍、球磨球料比、球磨时间6个因素对合金的硬度和冲击韧度的影响程度。结果表明,对合金硬度影响大小的因素依次为:Co含量、混合料球磨时间、合金碳含量、球磨球料比和烧结制度。在试验范围内要获得最大硬度,Co含量为9wt%、球磨26 h、添加W调低碳含量、球磨球料比3∶1、在1380℃烧结。对合金冲击韧度影响程度的大小因素依次为:烧结制度与Ni含量的交互作用、碳含量与烧结制度的交互作用、碳含量、Co含量与Ni含量的交互作用、Co含量。在试验范围内要获得最大的冲击韧度,需要在1345℃烧结、按Co∶Ni=9∶1添加Ni、采用饱和碳含量、Co含量11wt%。硬度和冲击韧度对合金含碳量、含钴量、烧结温度的要求是相反的。
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- 关键词:WC-CO硬质合金冲击韧度影响因素
- 烧结工艺对粗晶硬质合金微观组织及性能的影响被引量:2
- 2015年
- 以粗颗粒WC为原料,分别经真空烧结和低压烧结制备成WC-12%Co粗晶硬质合金;通过扫描电镜、光学金相显微镜以及显微硬度、矫顽磁力和抗弯强度测试,研究不同烧结工艺制备粗晶硬质合金的显微组织和性能。结果表明:与真空烧结相比,低压烧结可提高粗晶硬质合金的综合性能;随着炉内惰性气体压力从2 MPa增大到5 MPa,合金密度、矫顽磁力、硬度、抗弯强度和冲击韧性的变化均不明显。
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- 关键词:真空烧结
- 一种混晶组织结构的硬质合金及制备方法
- 本发明涉及硬质合金制备技术领域,具体公开了一种混晶组织结构的硬质合金,包括质量百分数为85.5%~87.5%的复合硬质相、质量百分数为12.5%~14.5%的粘结相;所述复合硬质相包括费氏粒度比例为6:5的碳化钨A和碳化...
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- 粗晶WC-Co硬质合金强度和密度影响因素的变量搜索试验研究被引量:5
- 2011年
- 采用粉末冶金气压烧结技术制备了粗晶WC-Co硬质合金,运用变量搜索试验设计研究了碳含量、烧结制度、钴含量、镍含量、球磨工艺参数对合金的抗弯强度和致密度的影响。研究表明,对抗弯强度影响程度的大小依次为:烧结制度与球磨球料比的交互作用,烧结制度与镍含量的交互作用,钴含量与球磨时间的交互作用,钴含量,碳含量与球磨时间的交互作用;对相对密度影响程度的大小依次为:钴含量,烧结制度与钴含量的交互作用,烧结制度,镍含量与球磨工艺参数的交互作用。
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- 关键词:WC-CO硬质合金抗弯强度相对密度
- 氢气脱蜡工艺对硬质合金原料中碳量要求的影响
- 同碳含量碳化钨配制的钴含量为11%左右的硬质合金石蜡混合料压制成压坯,将压坯置于一体化ZKL-16氢气脱蜡真空烧结炉中烧结,对烧结后的合金进行检测分析。结果表明:采用氢气脱蜡、真空烧结工艺完全可以实现饱和碳含量的碳化钨在...
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