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覃荣震

作品数：74 被引量：48H指数：5
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺交通运输工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 66篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 31篇芯片
  • 20篇IGBT
  • 18篇元胞
  • 17篇极区
  • 17篇槽栅
  • 14篇多晶
  • 14篇多晶硅
  • 10篇集电极
  • 9篇氧化层
  • 9篇栅氧化
  • 9篇栅氧化层
  • 9篇制作方法
  • 9篇半导体
  • 8篇多晶硅栅
  • 8篇载流子
  • 8篇阻挡层
  • 8篇键合
  • 8篇硅栅
  • 8篇发射极
  • 7篇电流

机构

  • 74篇株洲南车时代...

作者

  • 74篇覃荣震
  • 73篇黄建伟
  • 73篇刘国友
  • 27篇罗海辉
  • 14篇戴小平
  • 10篇朱利恒
  • 8篇张泉
  • 5篇丁荣军
  • 4篇余伟
  • 2篇吴义伯
  • 1篇李世平
  • 1篇陈燕平
  • 1篇刘可安

传媒

  • 4篇机车电传动
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国电机工程...
  • 1篇大功率变流技...

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 12篇2016
  • 12篇2015
  • 10篇2014
  • 20篇2013
  • 1篇2012
  • 6篇2011
共 74 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种快恢复二极管FRD芯片及其制作方法
本发明提供了一种快恢复二极管FRD芯片及其制作方法，所述FRD芯片包括芯片终端保护区，所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于N+型阴极区的结...
刘国友覃荣震黄建伟
文献传递
一种功率器件及其制作方法
本发明公开了一种功率器件及其制作方法，功率器件包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱，N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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大功率IGBT模块封装中的超声引线键合技术被引量：9
2011年
从超声引线键合的机理入手,对大功率IGBT模块引线的材料和键合界面特性进行了分析,探讨了键合参数对键合强度的影响。最后介绍了几种用于检测键合点强度的方法,利用检测结果对键合参数进行进一步的调整,以实现引线键合工艺最佳化。
覃荣震张泉
关键词：引线键合大功率IGBT模块封装
一种功率半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法
本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法，所述铜金属化结构包括依次位于衬底上方的阻挡层、籽铜层和铜金属化层，还包括：增强层；其中，所述增强层位于所述籽铜层和所述铜金属化层之间；或者，所述增强层位于所述阻挡...
刘国友覃荣震黄建伟
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一种单片集成IGBT和FRD的半导体器件
本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件将IGBT模块封装所需的全部IGBT和FRD芯片集成在一片晶圆上，且IGBT和FRD反并联设置；晶圆的边缘部分为多级场限环区，中间部分为IGBT区和FRD区；IGBT和FRD位于同一...
丁荣军刘国友覃荣震黄建伟罗海辉
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一种沟槽栅型IGBT芯片制作方法
本发明公开了一种沟槽栅型IGBT芯片制作方法，选取两块N型半导体衬底，将其中第一块进行氧化或沉积，在衬底的硅表面形成包括氧化硅或氮氧化物在内的绝缘材料；对衬底表面的绝缘材料进行光刻与刻蚀，形成介质埋层；对第二块N型半导体...
刘国友覃荣震黄建伟
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一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片
一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片，它包括芯片，芯片的边缘为IGBT终端保护区，芯片的中间部分包括了IGBT元胞区、电流传感区和温度传感区；芯片正面上设有IGBT芯片栅极、IGBT芯片发射极、电流传感器负极、温度...
刘国友覃荣震黄建伟
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一种沟槽栅IGBT及其制作方法
本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作方法，元胞包括位于源极区背离基区一侧、且沿第二方向设置的第一发射极金属电极、至少一个辅助凹槽和第二发射极金属电极，第一发射极金属电极和第二发射极金属电极均延伸至基区，辅助凹槽与源极区...
刘国友覃荣震黄建伟罗海辉戴小平
一种功率半导体芯片栅极区
本发明提供了一种功率半导体芯片栅极区，所述栅极区包括位于芯片元胞区内的主栅极区、包围所述主栅极区的第一栅极条，位于所述主栅极区和所述第一栅极条之间的栅电阻区，其中，所述栅电阻内设置有至少两个并联的子电阻，所述子电阻的一端...
刘国友覃荣震黄建伟罗海辉
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