朱利恒
- 作品数:14 被引量:20H指数:2
- 供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 一种功率器件及其制作方法
- 本发明公开了一种功率器件及其制作方法,功率器件包括:N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层,功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱,N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从...
- 刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
- 文献传递
- 一种功率半导体器件及其制作方法
- 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法,功率半导体器件包括:P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层,功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深...
- 刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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- 一种IGBT栅极的制作方法
- 本申请公开了一种IGBT栅极的制作方法,包括:在衬底上制作栅极;在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层;在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层,其中,所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面;去除不...
- 文高杨鑫著朱利恒肖强蒋明明
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- 沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法
- 本发明提供一种沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法,其中,沟槽栅IGBT包括:衬底及位于衬底中的沟槽,沟槽上端露出衬底上表面,沟槽露出衬底上表面的部分被覆盖在衬底上表面的第一覆盖层覆盖,在相邻两个沟槽之间的衬底上设置有...
- 刘国友朱利恒黄建伟谭灿健罗海辉杨鑫著
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- 一种功率器件的失效测试电路和失效测试方法
- 本发明公开了一种功率器件的失效测试电路和失效测试方法,该失效测试电路包括:第一开关,其与被测器件串联,并与被测器件共同构成第一导电支路;第二开关,其与第一导电支路并联;控制器,其与第一开关和第二开关连接,用于根据检测到的...
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- 沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT
- 本发明提供一种沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT,其中,方法包括在衬底上形成掺杂区;在衬底和掺杂区形成沟槽;在掺杂区表面和沟槽内表面生长氧化层;在氧化层表面淀积二氧化硅层或低K介质层,其中,沟槽底部的二氧化硅层或低K...
- 刘国友朱利恒黄建伟罗海辉谭灿健刘根
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- 一种功率器件及其制作方法
- 本发明公开了一种功率器件及其制作方法,功率器件包括:N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层,功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱,N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从...
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- 一种IGBT栅极的制作方法
- 本申请公开了一种IGBT栅极的制作方法,包括:在衬底上制作栅极;在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层;在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层,其中,所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面;去除不...
- 文高杨鑫著朱利恒肖强蒋明明
- 一种绝缘栅双极型晶体管及其构造方法
- 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管构造方法,所述方法包括以下步骤:采用P型扩散工艺在所述衬底上构造P型扩散区,使得所述P型扩散区的结深大于/等于所述晶体管的沟槽的深度;制作沟槽栅结构;制作N+源极区;刻蚀发射极金属接触窗...
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- 新型无损IGBT短路耐性测试电路被引量:2
- 2016年
- 为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即自动将电流旁路,保护芯片表面不受二次大电流破坏,进而保护芯片失效信息,为芯片的失效分析提供依据。根据设计搭建了测试保护电路,并进行实验比较。通过分析对比失效IGBT模块及芯片内部结构,发现该新型测试电路能在IGBT失效后,保护被测IGBT芯片不被进一步破坏,为失效分析提供充分依据。
- 黄建伟刘国友余伟罗海辉朱利恒覃荣震
- 关键词:短路测试