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贺永发

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：北京市科技计划项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇选区
  • 2篇掩膜
  • 2篇一步法
  • 2篇外延层
  • 2篇外延层生长
  • 2篇外延膜
  • 2篇位错
  • 2篇小信号
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇交流小信号
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓基激光...
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电阻
  • 1篇砷化镓
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇负电容
  • 1篇半导体

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇贺永发
  • 3篇李丁
  • 3篇胡晓东
  • 2篇李磊
  • 2篇杨志坚
  • 2篇张国义
  • 2篇刘培基
  • 2篇谢亚宏
  • 1篇陈钊
  • 1篇陈伟华
  • 1篇曹文彧
  • 1篇杨薇

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法
本发明公开了一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法，属于光电子技术领域。本衬底结构包括一衬底，衬底上依次设有底层掩膜层、顶层掩膜层；其中，底层掩膜层设有周期性分布的条形窗口，顶层掩膜层上设有周期性分布的“十”字...
李磊胡晓东刘培基谢亚宏李丁贺永发杨志坚张国义
GaN基激光器电学特性研究
GaN基半导体发光器件具有广泛而重要的应用前景，是光电子领域科学研究的热点，也是产业发展的重点，近十年发展迅速。GaN基激光器已经取得了很大的进展，但是其器件性能还是劣于GaAs基器件。除了技术上的因素之外，还有许多与G...
贺永发
关键词：氮化镓基激光器负电容比接触电阻率
一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法
本发明公开了一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法，属于光电子技术领域。本衬底结构包括一衬底，衬底上依次设有底层掩膜层、顶层掩膜层；其中，底层掩膜层设有周期性分布的条形窗口，顶层掩膜层上设有周期性分布的“十”字...
李磊胡晓东刘培基谢亚宏李丁贺永发杨志坚张国义
文献传递
GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性研究
2013年
介绍了一种能够全面表征半导体二极管器件的电学特性的方法,此方法结合半导体二极管的正向交流特性和直流特性,称之为正向交流小信号法。利用该方法深入地研究和对比分析了GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性,包括表观电容、串联电阻和理想因子。实验结果表明,对于GaN基和GaAs基半导体激光器,其开始发光的过程同步于其电容由正转变为负的过程。进一步实验结果表明,GaN基半导体激光器比GaAs基半导体激光器具有更大的串联电阻和更大的理想因子。这是由于GaN基激光器的器件工艺不够完善以及外延生长的GaN材料具有很大的位错密度。该研究为提高和改善GaN基激光器的性能提供了必要的依据以及理论指导。
贺永发李丁曹文彧陈钊杨薇陈伟华胡晓东
关键词：GANGAAS半导体激光器电学特性
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