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李丁

作品数：24 被引量：13H指数：2
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 4篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇发光
  • 10篇二极管
  • 9篇发光二极管
  • 8篇白光
  • 7篇单芯片
  • 6篇白光发光二极...
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇光电转化效率
  • 5篇白光LED
  • 4篇电学
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇电学特性
  • 3篇掩膜
  • 3篇应力
  • 3篇半导体
  • 3篇GAN
  • 2篇电注入
  • 2篇选区
  • 2篇一步法

机构

  • 24篇北京大学
  • 2篇天津大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇海南工商职业...

作者

  • 24篇李丁
  • 17篇张国义
  • 16篇杨志坚
  • 10篇方浩
  • 10篇陶岳彬
  • 10篇桑立雯
  • 8篇胡晓东
  • 4篇陈伟华
  • 3篇贺永发
  • 3篇李睿
  • 3篇王存达
  • 2篇李杨
  • 2篇李磊
  • 2篇刘培基
  • 2篇廖辉
  • 2篇赵璐冰
  • 2篇冯列峰
  • 2篇童玉珍
  • 2篇康香宁
  • 2篇谢亚宏

传媒

  • 2篇光电子．激光
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 4篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2000
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁童玉珍
文献传递
通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED
本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO<Sub>2</Sub>薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁
文献传递
T型分叉血管的定常/非定常流动和大分子传质
该文采用计算流体动力学方法,数值求解了T型分叉流动的定常/脉动流场和低密度脂蛋白(LDL)以及血清白蛋白(Albumin)的浓度分布,与现有文献进行了比较.计算了雷诺数、主管和支管的流量比等参数对流场和大分子传质的影响,...
李丁
电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁童玉珍
文献传递
一种双波长单芯片发光二极管
本发明公开了一种双波长单芯片发光二极管，属于半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域。该器件包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层，上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构，所述两个...
陶岳彬杨志坚方浩桑立雯李丁张国义
文献传递
一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法
本发明公开了一种选区异质外延衬底结构及其制备和外延层生长方法，属于光电子技术领域。本衬底结构包括一衬底，衬底上依次设有底层掩膜层、顶层掩膜层；其中，底层掩膜层设有周期性分布的条形窗口，顶层掩膜层上设有周期性分布的“十”字...
李磊胡晓东刘培基谢亚宏李丁贺永发杨志坚张国义
英国青少年公民教育研究
在人类历史发展的过程中，有关公民教育的思想与经验是全世界共同的精神财富。当今英国作为西方最发达的国家之一，十分重视对全体社会成员特别是青少年的公民教育。其对公民性及其培养的理解，是其造就合格公民的重要思想条件。此方面其先...
李丁
关键词：中等教育青少年课程改革
一种单芯片白光发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种单芯片白LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370-420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光...
杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁张国义
文献传递
半导体激光器在阈值处电学性质突变对应的物理图像被引量：2
2010年
对激光二极管(LDs)在阈值处不连续的电学特性作了详细分析,结果发现,各电学参量的突变之间存在紧密的内在关联。由表观IdV/dI-I曲线在阈值处的跳跃能直接得出结电导、结电压、串联电阻和理想化因子在阈值处的突变,因而证实传统的电学测量方法只能描述平均效果,忽略了各电参量随正向电流变化的详细信息。进一步实验表明,LDs在阈值附近的电特性的突变与光激射密切相关,这将为改进现有的LDs理论提供帮助。
冯列峰李杨李丁王存达张国义
关键词：激光阈值
背面出光的单芯片白光发光二极管及其制备方法
本发明提供了一种背面出光的单芯片白光LED及其制备方法，在双面抛光的蓝宝石衬底上依次层叠非掺杂GaN层、蓝光有源层、黄绿光光致荧光层、n型欧姆接触层、紫外光有源层和p型欧姆接触层，其中：所述紫外光有源层是可发射紫外光波段...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁
文献传递
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