郑晓虎
- 作品数：15 被引量：28H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程化学工程更多>>
- 高k介质在新型半导体器件中的应用被引量：4
- 2012年
- 当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.
- 黄力黄安平郑晓虎肖志松王玫
- 关键词：高K材料FINFET
- 一种LED路灯二次光学透镜
- 本发明涉及一种LED路灯二次光学透镜，由内外两层曲面构成，LED灯位于透镜内曲面所构成的凹槽内；其特征在于：所述透镜外曲面具体是由圆环体与椭圆柱体切割而成的曲面体，该曲面体的上表面呈椭球面状，横断面为扇形平面，侧斜面为倾...
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- 一种等离子体氟化处理先进栅介质工艺方法
- 本发明一种等离子体氟化处理先进栅介质工艺方法，该方法有三大步骤。步骤一：组装实验设备；步骤二：栅介质薄层沉积；步骤三：栅介质薄层性能分析。本发明是利用阴极电弧氧化方法将氟氮离子掺杂到Zr基栅介质薄层中，由于F与N离子在Z...
- 黄安平郑晓虎
- 文献传递
- PMOS金属栅/高k有效功函数调制研究进展
- 本文系统地综述了PMOS金属栅/高k有效功函数调制方法，分析了A1掺杂调制PMOS金属栅/高k有效功函数的机制，并基于能带对准分析，利用电化学势平衡以及静电势的方法，定量计算了A1掺杂导致的高kISiO：界面偶极子的大小...
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- 关键词：互补型金属氧化物半导体金属栅极
- 文献传递
- 高K介质在新型电子器件中应用进展
- 随着MOSFET 等半导体器件按摩尔定律持续等比缩小,单个芯片上集成的晶体管数量成指数增加,同时产品的功耗也逐渐降低。当MOS 器件沟道长度不断减小时,为了抑制短沟道效应,减小亚阈值斜率,增大驱动电流以及提高电路工作速度...
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- 关键词：高K栅介质FINFET
- 一种LED路灯二次光学透镜及其设计方法
- 本发明涉及一种LED路灯二次光学透镜，该透镜具有一外表面，一基面和一内表面，三者共同界定出所述透镜的整体构造；所述外表面由两个局部椭球面及其之间的过度面组成；所述基面为一平面，基面与所述外表面相交，形成基面的边界线；所述...
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- 一种LED路灯二次光学透镜及其设计方法
- 本发明涉及一种LED路灯二次光学透镜，该透镜具有一外表面，一基面和一内表面，三者共同界定出所述透镜的整体构造；所述外表面由两个局部椭球面及其之间的过度面组成；所述基面为一平面，基面与所述外表面相交，形成基面的边界线；所述...
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- 文献传递
- 二维材料中的氢隧穿研究进展被引量：1
- 2017年
- 石墨烯、石墨烯衍生物以及类石墨烯材料通常具有致密的网状晶格结构,研宄表明这类材料对分子、原子和离子具有根强的阻挡性.然而对于不同形态的氢粒子(原子、离子、氢气分乎)是否能够隧穿二维材料仍然存在很多科学争议,并已成为目前科学研究的一个热点.本文综述了氢隧穿二维材料的研究进展,介绍了不同结构氢粒子隧穿二维材料体系的特点,阐述了氢粒子隧穿不同质量石墨烯和类石墨烯材料时所需要逾越的势垒高度,并对比了其跃迁的难度.讨论了从二维材料本身出发,降低氢隧穿势垒大小和改变环境对氢隧穿过程的影响,实现氢粒子隧穿二维材料.最后展望了氢隧穿二维材料在实际应用中可能存在的问题及未来的研究方向.
- 辛延波胡琪牛栋华郑晓虎时洪亮王玫肖志松黄安平Zhang Zhi-Bin
- 稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展被引量：3
- 2011年
- 随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.
- 郑晓虎黄安平杨智超肖志松王玫程国安
- 关键词：稀土掺杂
- 一种等离子体氟化处理先进栅介质工艺方法
- 本发明一种等离子体氟化处理先进栅介质工艺方法，该方法有三大步骤。步骤一：组装实验设备；步骤二：栅介质薄层沉积；步骤三：栅介质薄层性能分析。本发明是利用阴极电弧氧化方法将氟氮离子掺杂到Zr基栅介质薄层中，由于F与N离子在Z...
- 黄安平郑晓虎
