郑耀宗
- 作品数：13 被引量：6H指数：2
- 供职机构：香港大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- SiO_xN_y和SiO_2膜中的高场电子陷阱的温度依赖性和产生机理
- 1995年
- 研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧化硅膜中的有效高场电子陷饼表面浓度增加，相反，在薄二氧化硅膜中的有效高场电子陷阱表面浓度减少；对于二氧化硅膜，有效的高场电子陷阶能级集中在一个非常窄的能量范围，它的产生率是１．２８３×１０１１／ｃｍ２，激活能是０．１９２ｅＶ。根据实验结果，提出了一个在二氧化硅中的高场电子陷阱的产生模型。
- 杨炳良刘百勇王曦郑耀宗
- 关键词：氮氧化硅电子陷阱温度依赖性
- 金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性
- 1993年
- 本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方法生长的氧化硅的不同。氮氧化硅膜漏电机理可分为三种。当电场小于8MV/cm时,漏电是由于注入电子的直接隧穿填充绝缘体中的浅陷阱而引起的。在高场范围(>10MV/cm)Fowler-Nordheim(FN)效应占支配地位。这些机理与介质膜的制备条件有关。在中等电场区域,注入电子能通过FN电流和直接隧穿到达能被填充的陷阱,从而使漏电流产生准态饱和。另一方面,随着氮化的继续,可观察到在漏电流一电压特性中的台阶和在电流的电场依赖性的逆转行为。
- 杨炳良王曦郑耀宗
- 关键词：漏电流氮氧化硅击穿
- SiO_xN_y薄膜的微观结构与新的电流传输机理模型被引量：2
- 1991年
- 本文研究了SiO_xN_y薄膜的微观结构和电流传输行为,并提出一个新的,用于解释SiO_xN_y薄膜的电流传输,特别对于外加高场直到介质膜发生本征击穿前的电流传输行为的模型。理论与实验符合较好。采用新模型满意地解释了膜的l-V特性中出现的电流增加和陷阱台阶现象,并对外加电场和电子陷阱对电流传输行为的影响进行了讨论。
- 杨炳良刘百勇陈斗南郑耀宗
- 关键词：微观结构电流传输
- 溅射铜膜的闪烁噪声和表面粗糙度的关系
- 1990年
- 本文首次采用了金属膜的表面特征来研究金属膜的闪烁噪声。结果表明在二氧化硅和蓝宝石衬底上溅射的铜膜的表面特征及噪声行为都很不相同。粗糙不规则的表面对金属薄膜的闪烁噪声起重要作用。这种噪声的物理模型与MOS器件闪烁噪声的机构类似。
- 王曦郑耀宗阮刚王建伟
- 关键词：闪烁噪声粗糙度金属膜
- 21世纪高等教育——香港大学的发展趋向
- 1997年
- ２１世纪高等教育——香港大学的发展趋向□郑耀宗２１世纪将是一个以经济发展为主导的时代；经济发展的竞争会非常激烈，人力资源必将是一个决定性的因素。高等教育的发展，必须配合社会的需求作用。不过，当大学都着眼于经济成就时，很容易把办教育当作仅为经济发展服务...
- 郑耀宗
- 关键词：高等教育
- 用于集成超声传感阵列的PVDF-MOSFET新结构
- 1995年
- 本文报道了一种用聚酰亚胺（ＰＩ）膜垫高扩展栅的聚偏氟乙烯（ＰＶＤＦ）压电膜－ＭＯＳ晶体管（ＰＥＧＰＯＳＦＥＴ）传感器单元结构。和一般ＰＯＳＦＥＴ结构相比，这种新结构大大减少了扩展栅电容（ＣＥＧ），明显地提高了器件灵敏度。详述了这种结构的制造过程，特别是ＰＩ膜制备条件对ＣＥＧ和器件性能的影响。当用５．２μｍ和８．７μｍ的ＰＩ膜作为扩展栅电极的绝缘层时，分别得到１１．３ｄＢ和１３．６ｄＢ的增益改善。这个结果和等效电路分析结果一致。这种新结构为采用成熟的ＩＣ工艺技术制作用于医学超声成象等领域的ＰＶＤＦ超声探测阵列传感器提供了一个崭新的途径。
- 郑学仁刘百勇李斌王曦郑耀宗
- 关键词：传感器聚偏氟乙烯超声传感器MOS晶体管
- 150快速热氮化SiO_2膜的击穿特性被引量：2
- 1991年
- 对具有器件质量的150A厚SiO_2膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO_2/Si界面稳定性和决定于时间的介质击穿均有改善。这种改善既取决于所加栅电压的极性,又强烈依赖于氮化工艺条件。根据电流传输机构,本文提出一种考虑了电荷积累、陷阱密度及其重心位置的击穿模型。
- 刘志宏陈蒲生刘百勇郑耀宗
- 关键词：热氮化SIO2击穿
- 三氯乙烯氧化硅膜推迟破坏性击穿的机理研究
- 1991年
- 本文对三氯乙烯(TCE)氧化推迟SiO_2膜的破坏性击穿及其机理进行了研究。结果表明,随着TCE流量的增大、处理时间的增加、温度的升高和氧分压的降低,SiO_2膜的击穿电流耐量增大。但过大的TCE流量和过长的处理时间,将使击穿特性变坏。结果还表明,击穿电流耐量的增大与膜内电子陷阱密度的增大有关。文中提出包括三种恶性循环在内的“低势垒点-电场增强”击穿模型,并考虑氧化气氛中的H_2O对击穿特性的影响,引入电子陷阱抑制低势垒点-电场增强的作用,分析TCE氧化推迟破坏性击穿的机理。
- 李观启黄美浅刘百勇郑耀宗
- 关键词：三氯乙烯氧化硅
- SiO_xN_y薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究被引量：3
- 1991年
- 本文研究热氮氧化硅(SiO_xN_y)薄膜在高场下的电子陷阱和被陷电子的释放。发现:当样品被氮化的程度较轻时,膜中的有效电子陷阱表面浓度随着样品被氮化时间的增加而迅速增加,被陷电子的释放率近于零,与样品被短路的时间及外加反向电场的持续时间和大小(直到8MV/cm)无关,电子陷阱能级是较深的;当样品被氮化的程度较重时,随着对样品氮化时间的进一步增加,膜中的有效电子陷阱表面浓度逐渐减小,电子陷阱能级深度逐渐变浅,被陷电子的释放率逐渐增加,并与外加反向电场和外加反向电场的持续时间近似指数关系,几乎与样品被短路的时间无关。
- 杨炳良刘百勇郑耀宗王曦
- 关键词：电子陷阱
- 金属──氧化硅──硅（MOS）器件物理研究
- 1994年
- 金属──氧化硅──硅（ＭＯＳ）器件物理研究郑耀宗（香港城市理工学院）早在２０年代初期，场效应晶体管的概念已经发展。然而，由于当时的工艺条件尚未成熟，以及对带电载流子表面传输的物理尚未清楚，场效应管一直未被广泛应用。直到６０年初期，在众多科学家共同努力...
- 郑耀宗
- 关键词：氧化硅器件物理介质膜超大规模集成电路
