杨炳良
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>
- SiO_xN_y和SiO_2膜中的高场电子陷阱的温度依赖性和产生机理
- 1995年
- 研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧化硅膜中的有效高场电子陷饼表面浓度增加，相反，在薄二氧化硅膜中的有效高场电子陷阱表面浓度减少；对于二氧化硅膜，有效的高场电子陷阶能级集中在一个非常窄的能量范围，它的产生率是１．２８３×１０１１／ｃｍ２，激活能是０．１９２ｅＶ。根据实验结果，提出了一个在二氧化硅中的高场电子陷阱的产生模型。
- 杨炳良刘百勇王曦郑耀宗
- 关键词：氮氧化硅电子陷阱温度依赖性
- 金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性
- 1993年
- 本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方法生长的氧化硅的不同。氮氧化硅膜漏电机理可分为三种。当电场小于8MV/cm时,漏电是由于注入电子的直接隧穿填充绝缘体中的浅陷阱而引起的。在高场范围(>10MV/cm)Fowler-Nordheim(FN)效应占支配地位。这些机理与介质膜的制备条件有关。在中等电场区域,注入电子能通过FN电流和直接隧穿到达能被填充的陷阱,从而使漏电流产生准态饱和。另一方面,随着氮化的继续,可观察到在漏电流一电压特性中的台阶和在电流的电场依赖性的逆转行为。
- 杨炳良王曦郑耀宗
- 关键词：漏电流氮氧化硅击穿
- SiO_xN_y薄膜的微观结构与新的电流传输机理模型被引量：2
- 1991年
- 本文研究了SiO_xN_y薄膜的微观结构和电流传输行为,并提出一个新的,用于解释SiO_xN_y薄膜的电流传输,特别对于外加高场直到介质膜发生本征击穿前的电流传输行为的模型。理论与实验符合较好。采用新模型满意地解释了膜的l-V特性中出现的电流增加和陷阱台阶现象,并对外加电场和电子陷阱对电流传输行为的影响进行了讨论。
- 杨炳良刘百勇陈斗南郑耀宗
- 关键词：微观结构电流传输
- 不同封装的扩展电阻温度传感器瞬态热响应模型
- 1995年
- 研究了扩展电阻温度传感器的封装效应。对扩展电阻温度传感器封装热阻的测量和瞬态热响应分别进行了理论和实验研究。理论结果和实验结果吻合。实验和理论结果表明，管壳的几何形状比封装材料对传感器瞬态响应时间的影响更重要。对于要求高灵敏度和快速响应的传感器封装，小型和球型的封装方式总是被推荐的。实验发现，对于一个２ｍｍ直径的球形封装传感器的响应时间约６ｓ。
- 杨炳良刘百勇陈斗南杨春辉郑学仁王曦郑耀宗
- 关键词：温度传感器扩展电阻封装效应
- SiO_xN_y薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究被引量：3
- 1991年
- 本文研究热氮氧化硅(SiO_xN_y)薄膜在高场下的电子陷阱和被陷电子的释放。发现:当样品被氮化的程度较轻时,膜中的有效电子陷阱表面浓度随着样品被氮化时间的增加而迅速增加,被陷电子的释放率近于零,与样品被短路的时间及外加反向电场的持续时间和大小(直到8MV/cm)无关,电子陷阱能级是较深的;当样品被氮化的程度较重时,随着对样品氮化时间的进一步增加,膜中的有效电子陷阱表面浓度逐渐减小,电子陷阱能级深度逐渐变浅,被陷电子的释放率逐渐增加,并与外加反向电场和外加反向电场的持续时间近似指数关系,几乎与样品被短路的时间无关。
- 杨炳良刘百勇郑耀宗王曦
- 关键词：电子陷阱
- 可用于+300℃检测的新型硅扩展电阻温度传感器被引量：2
- 1995年
- 提出一种结构新颖的硅扩展电阻温度传感器，这种传感器与硅平面加工技术兼容，易于集成化。当传感器在２ｍＡ的正向偏置电流下，由于少数载流子的不连续性以及多数载流子的注入，传感器电阻的正温度系数（ＰＴＣ）区拓宽到５７３Ｋ（＋３００℃）以上。本文探讨了传感器的图形设计理论和电阻－温度关系，与实验结果吻合。这种ＳＲＴ传感器在温度和流速检测中将得到广泛应用。
- 刘百勇郑学仁杨炳良黄仑李斌陈斗南
- 关键词：硅温度传感器正温度系数扩展电阻
- 硅扩展电阻式温度传感器阻温特性的研究
- 1995年
- 阐述了一种结构特别的硅扩展电阻式元件的温度敏感原理，提出了物理模型，探讨了其工作温区拓宽机理。对器件的结构尺寸、材料、工艺参数对阻温特性的影响进行了计算机模拟分析及实验研究。理论分析和实验结果表明：传感器在０～３００℃范围内具有正温度系数（ＰＴＣ）特性，其胆温系数为０．７３％／℃要拓宽硅扩展电阻（ＳＲＴ）传感器ＰＴＣ特性区的工作温度范围，必须尽可能减少扩散接触区的体积和晶体的体积，尽可能提高硅晶体掺杂浓度和晶体中载流子寿命，并适当提高正向工作电流。
- 郑学仁刘百勇李斌杨炳良陈斗南
- 关键词：扩展电阻温度传感器硅阻温特性
