郭美霞
- 作品数：8 被引量：26H指数：3
- 供职机构：山东理工大学理学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学机械工程更多>>
- 直流磁控溅射法低温制备GZO:Ti薄膜及其光电性能研究被引量：3
- 2012年
- 用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了钛镓共掺杂氧化锌(GZO:Ti)透明导电薄膜,研究了溅射压强和功率对GZO:Ti薄膜的微观结构和光电性能的影响。研究结果表明,所制备的GZO:Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。溅射压强和功率对薄膜的电阻率和微观结构均有显著影响。随功率增大,薄膜电阻率降低,生长率增大。所制备的薄膜的最小电阻率为1.81×10-4Ω·cm,可见光区平均透过率大于84%。
- 郭美霞李洁
- 关键词：透明导电薄膜溅射压强溅射功率磁控溅射
- 尼科耳棱镜中非常光折射率的讨论
- 2005年
- 给出了晶体中任一方向非常光(简称e)光折射率公式,计算了尼科耳棱镜中e光的折射率,指出这一折射率并非e光的主折射率.
- 郭美霞史晓菲
- 关键词：尼科耳棱镜主折射率E光晶体
- 溅射功率对直流磁控溅射法沉积TGZO薄膜性能的影响被引量：3
- 2010年
- 利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的钛镓共掺杂氧化锌(TGZO)透明导电薄膜。研究了溅射功率对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明:溅射功率对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响。X射线衍射分析表明,TGZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。在溅射功率为120W时,实验获得的TGZO薄膜的方块电阻为2.71Ω/□,此时电阻率具有最小值2.18×10-4Ω·cm。实验制备的TGZO薄膜在可见光区范围内平均透过率达到了90%以上。
- 史晓菲郭美霞刘汉法王新峰
- 关键词：透明导电薄膜溅射功率磁控溅射
- 衬底温度对直流磁控溅射法沉积ZnO∶Ti薄膜性能的影响被引量：13
- 2011年
- 利用直流磁控溅射工艺,在石英玻璃衬底上沉积出了具有高度C轴择优取向的掺Ti氧化锌(ZnO∶Ti,TZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对TZO薄膜应力、结构和光电性能的影响。结果表明,衬底温度对TZO薄膜的结构、应力和电阻率有重要影响。TZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在衬底温度为100℃时,实验获得的TZO薄膜电阻率具有最小值2.95×10-4Ω.cm,400℃时薄膜出现孪晶,随着温度的升高,薄膜应力具有减小的趋势。实验制备的TZO薄膜附着性能良好,可见光区平均透过率都超过91%。
- 刘汉法张化福郭美霞史晓菲周爱萍
- 关键词：透明导电薄膜衬底温度磁控溅射
- 铝钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能研究被引量：5
- 2011年
- 用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了铝钛共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对TAZO薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,所制备的TAZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当溅射压强为7.5Pa时,薄膜的最小电阻率为3.34×10-4Ω.cm。薄膜的可见光区平均透过率大于89%。溅射压强对薄膜的电阻率和微观结构有显著影响。
- 郭美霞
- 关键词：透明导电薄膜溅射压强磁控溅射
- 惯性秤实验的讨论被引量：1
- 2016年
- 讨论了惯性秤悬臂与水平面夹角对振动周期的影响,说明振动周期随夹角增大而减小,并通过实验验证了这一结论。
- 郭美霞
- 关键词：惯性秤牛顿第二定律
- 低电阻率高透过率TAZO透明导电膜的制备及性能被引量：1
- 2010年
- 利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上制备了透过率高、电阻率相对较低的钛铝共掺杂ZnO(TAZO)透明导电膜。用XRD和SEM等研究其结构、应力和光电性能与靶基距之间的关系。结果表明:TAZO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当靶基距为42mm时,薄膜样品晶格畸变最小,具有最小压应力(绝对值)0.270GPa,同时具有最小方块电阻4.21?/□;靶基距为48mm时,薄膜样品具有最小电阻率3.09×10–4?·cm。所有薄膜样品的可见光区平均透过率都超过了91%。
- 史晓菲郭美霞
- 关键词：透明导电膜磁控溅射
- 溅射压强对钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的影响被引量：3
- 2011年
- 利用直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出了透过率高、电阻率较低的钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜(TGZO)。研究了溅射压强对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明,溅射压强对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响。X射线衍射(XRD)表明,TGZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜。薄膜的电阻率具有随着溅射压强的增大先减小,后增大的规律,在溅射压强为11Pa时,实验获得的TGZO薄膜晶格畸变最小,电阻率具有最小值1.48×10-4Ω.cm,透过率具有最大值94.3%。实验制备的TGZO薄膜附着性能良好,在400～760nm波长范围内的平均透过率都高于90%。
- 史晓菲郭美霞刘汉法高金霞
- 关键词：透明导电薄膜溅射压强磁控溅射
