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陆宏波

作品数：66 被引量：5H指数：2
供职机构：上海空间电源研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
相关领域：电气工程自动化与计算机技术电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 61篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 10篇电气工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 36篇电池
  • 32篇太阳电池
  • 18篇多结太阳电池
  • 13篇带隙
  • 13篇隧穿
  • 13篇量子
  • 13篇量子隧穿
  • 12篇电压
  • 11篇异质结
  • 11篇宽带隙
  • 10篇局域
  • 10篇非局域
  • 10篇半导体
  • 10篇掺杂
  • 9篇载流子
  • 9篇开路电压
  • 9篇发射区
  • 8篇化合物半导体
  • 8篇方程组
  • 8篇背场

机构

  • 66篇上海空间电源...
  • 2篇南京航空航天...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 66篇陆宏波
  • 65篇李欣益
  • 63篇张玮
  • 33篇张建琴
  • 33篇郑奕
  • 33篇杨丞
  • 31篇张梦炎
  • 30篇张华辉
  • 30篇陈杰
  • 11篇周大勇
  • 9篇陈开建
  • 9篇孙利杰
  • 5篇钱子勍
  • 4篇杨瑰婷
  • 3篇朱凯
  • 2篇戴宁
  • 2篇胡淑红
  • 2篇王训春
  • 1篇刘云鹏
  • 1篇方美华

传媒

  • 1篇核技术
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报
  • 1篇航天器环境工...
  • 1篇上海航天（中...

年份

  • 4篇2024
  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 5篇2020
  • 8篇2019
  • 9篇2018
  • 14篇2017
  • 9篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
共 66 条 记 录，以下是 1-10
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一种高数值精度量子隧穿器件模拟方法
本发明公开了一种高数值精度量子隧穿器件模拟方法，针对不同对象的网格优化与偏微分方程组求解交替进行，将网格优化分成通用网格优化与隧穿网格优化两个过程，提高了非局域量子隧穿关联项的数值计算精度，具体思想是依据量子隧穿器件中能...
张玮陆宏波李欣益李戈
一种含有II型异质结窗口层的太阳电池
本发明公开了一种含有II型异质结窗口层的太阳电池，该太阳电池，采用能与发射区材料形成II型异质结的半导体材料作为宽带隙太阳电池的窗口层。窗口层采用n型的GaAsP，窗口层厚度为10~50nm。发射区采用n型AlGaInP...
陆宏波张玮周大勇李欣益孙利杰陈开建
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一种降低电压损耗的键合结构及其制备方法
本发明的一种降低电压损耗的键合结构及其制备方法，该方法涉及真空中在组成半导体键合结构的两种键合材料表面沉积能够抑制内外原子扩散与保护材料表面晶体结构的保护层，阻止了环境氛围杂质原子在键合表面的吸附，保护了键合材料表面晶体...
张玮陆宏波李欣益李戈
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一种多结太阳电池中各吸收层材料荧光寿命无损测量方法
本发明公开了一种多结太阳电池中各吸收层材料荧光寿命无损测量方法，具体包含：步骤1：单色光源近边激发，获得发射光子数与计数时间关系数据；步骤2：将所得关系数据结合检测系统自身响应特性数据，进行数据单指数或多指数拟合，提取发...
李欣益陆宏波张玮杨丞张华辉陈杰张梦炎张建琴郑奕
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化合物半导体双异质结结构的时间分辨光致发光谱模拟法
本发明涉及一种化合物半导体双异质结结构的时间分辨光致发光谱模拟法，包含以下步骤：S1、将主导化合物半导体结构中载流子输运特性的含时半导体基本微分方程组进行含时数值离散；S2、在化合物半导体双异质结结构有/无光照情况下，建...
张玮李欣益陆宏波张华辉杨丞陈杰张梦炎张建琴郑奕
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复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法
本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法，包含：分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型；确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则；化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写...
张玮陆宏波李欣益杨丞张华辉张梦炎陈杰郑奕张建琴
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一种采用数字‑指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种采用数字‑指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法，该制备方法采用数字掺杂配合指数掺杂的方式制备该太阳电池的功能区；其中，数字掺杂配合指数掺杂的方式是指：掺杂区分段进行数字式掺杂，掺杂剂的流量以数字式...
陆宏波朱凯李欣益张玮杨丞张华辉陈杰张梦炎张建琴郑奕
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一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法
一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法，按照语法规则分别读取化合物半导体器件生长程序文件与各层材料参数文件，同时结合预设的工艺文件与数值仿真分析控制参数生成适合数值仿真分析软件的专属文件，极大地提高了器件结构文件生...
张玮陆宏波李欣益张梦炎张华辉杨丞陈杰张建琴郑奕
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结区后置的InGaAs太阳电池及其制备方法
本发明涉及结区后置的InGaAs太阳电池及其制备方法，电池从上至下依次包括接触层、窗口层、发射区层、基区层、背场层和InP衬底；所述发射区层的厚度为1500nm～3500nm；所述基区层的厚度为50nm～100nm。本发...
李欣益陆宏波李戈张玮张建琴
一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法
本发明提供了一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法，该多结电池包含设置在多结电池末端的底电池，该底电池与衬底存在晶格失配。本发明通过在电池结构末端引入小失配底电池，降低了底电池材料的禁带宽度，提高了底电池光生...
陆宏波李欣益张玮张梦炎郑奕张华辉陈杰杨丞张建琴
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