张玮
- 作品数：75 被引量：3H指数：1
- 供职机构：上海空间电源研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划云南省应用基础研究计划面上项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池
- 本发明公开了一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池，该多结太阳电池由若干个宽禁带、中禁带、窄禁带子电池级联组成，每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层，所述的发射区采用n型子电池主体材料，窗口层采用n...
- 李欣益陆宏波张玮杨丞张梦炎张华辉陈杰郑奕张建琴
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- 一种含有超晶格结构背场的化合物太阳电池
- 本发明实施例提供了一种含有超晶格结构背场的化合物太阳电池，属于太阳电池技术领域。所述太阳电池的高掺杂隧穿结区包含自下而上依次设置的高n型掺杂的n++层和高p型掺杂的p++层，背场区包含InAlAs层和InP层对所组成的超...
- 张玮陆宏波李欣益
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- 一种复杂结构半导体器件模拟方法
- 一种复杂结构半导体器件模拟方法，将基本物理模型按照所采用的数值离散方法全部写成基本子程序，将器件结构按照基本功能单元分解组合成具有固定语法规则的结构文件，编辑器获取每个特殊基本功能单元中每个基本物理模型的属性特征，代码生...
- 张玮李欣益陆宏波杨丞张华辉张梦炎陈杰郑奕张建琴
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- 一种多结太阳电池减反射膜及其制备方法
- 本发明提供一种多结太阳电池减反射膜及其制备方法，本发明所提供的多结太阳电池减反射膜的制备方法包括：步骤一、选择材料分别进行单层沉积；获得对应沉积条件下，沉积入射角与沉积速率的关系；步骤二、测量步骤一得到的各单层膜的光学参...
- 石梦奇李欣益王训春张玮周大勇陆宏波沈静曼
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- 大面积GaAs衬底腐蚀工艺
- 本发明公开了一种快速获得大面积GaAs衬底上外延薄膜的简单腐蚀工艺。该工艺主要包括1、样品腐蚀阻挡层的设计；2、真空无气泡粘结工艺；3、GaAs衬底的背面腐蚀前处理；4、样品的放置；5、衬底腐蚀溶液的选择和配比保持；6、...
- 张玮杨湛林余甜甜陈鸣波张忠卫池卫英陆剑峰钱勇
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- 多结叠层太阳电池的电流匹配研究
- 为了减少由于光谱变化会导致的叠层电池的电流失配,采用多结叠层电池在不同光谱条件下的电池结构设计模型,根据具体应用条件进行电池结构的设计和改进.提出了电池在电流失配时的改进措施,从而使电池的输出功率最大.
- 王亮兴涂洁磊钱勇张玮
- 关键词：叠层太阳电池电池结构电流失配
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- 一种含有双背场结构的太阳电池
- 本发明公开了一种含有双背场结构的太阳电池，该太阳电池为双背场结构；基区厚度为100~500nm，双背场结构中每个背场的厚度分别为5~100nm。基区采用GaInP，双背场结构中一个背场采用Al<Sub>0.13</Sub...
- 陆宏波张建琴李欣益张玮周大勇孙利杰陈开建
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- 一种多结太阳电池宽光谱减反射膜及其制备方法
- 本发明的多结太阳电池宽光谱减反射膜及其制备方法，步骤包括选择一种高折射率材料、一种低折射率材料作为镀膜材料，改进电子束蒸发设备，用椭偏仪测试材料光学参数（n，k），输入优化程序；确定膜系层数，优化程序中输入多结电池的结构...
- 方昕张玮王艺帆
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- 晶格小失配InGaAsP材料特性及太阳电池应用被引量：3
- 2020年
- Ⅲ-Ⅴ族太阳电池效率的持续提升要求对能量转换材料的带隙宽度进行更细致划分,以实现对全光谱的高效利用。在短波红外波段,四元InGaAsP混晶材料因在带隙宽度和晶格常数的调节上具有很好的可操作性,是一种极具潜力的短波红外光电转换材料。本文对InGaAsP材料生长及子电池器件制备进行了研究,通过时间分辨荧光光谱、高分辨X射线衍射等表征手段对室温下晶格失配的InGaAsP材料进行了测试分析。实验结果表明,在一定程度负失配生长条件下,InGaAsP材料质量随着负失配程度逐渐提高。在后续电池制备过程中,一定程度负失配同样有助于电池器件性能提升,制备的单结电池开路电压由晶格匹配时的633 mV提高到负失配条件下的684 mV,从而为高效多结太阳电池的应用提供了新的技术路线。
- 陆宏波陆宏波李欣益李欣益张玮胡淑红
- 关键词：晶格失配INGAASPMOCVD
- 复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法
- 本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法，包含：分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型；确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则；化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写...
- 张玮陆宏波李欣益杨丞张华辉张梦炎陈杰郑奕张建琴
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