陈宝军
- 作品数：157 被引量：114H指数：6
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 铜单晶的定向方法研究被引量：2
- 2011年
- 采用改进的垂直布里奇曼法生长出外观完整、表面光滑、尺寸为15 mm×35 mm的Cu单晶体,报道了一种铜单晶定向的新方法。将生长出的铜晶锭在浓度为40%的硝酸溶液中浸蚀10 min左右,晶锭表面出现取向一致的反光面,用激光正反射法对其表面的反光面进行初步定向,再参照X射线衍射回摆谱对晶面进行修正,得到了铜晶体的(111)、(200)和(220)晶面,进而得到任意所需的晶面。该方法对于制作铜单晶器件具有重要参考价值。
- 唐世红赵北君朱世富肖怀安姚超何知宇陈宝军
- 关键词：铜单晶X射线衍射
- 综晶化合物单晶体的熔体法生长分析
- 2013年
- 以液相-液相分离理论为基础,分析了综晶化合物熔体的分离过程和固-液界面吸收第二相液滴的规律,提出了抑制第二相液滴凝并、促进固-液界面吸收第二相液滴的方法,阐明了控制晶体化学配比的原理,为用熔体法生长综晶化合物单晶体提供了理论指导。
- 金应荣贺毅陈宝军何知宇王兰张洁
- 关键词：晶体生长
- CdSiP_2多晶提纯与单晶生长
- 2018年
- 采用重结晶技术,对CdSiP_2多晶进行快速下降提纯,以提纯后的晶锭为原料,利用改进的垂直布里奇曼法生长出CdSiP_2单晶体,尺寸达Φ18 mm×51 mm。经能量色散仪(EDS),X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)以及电感耦合等离子体光谱仪(ICP)测试表明,重结晶提纯能有效降低CdSiP_2多晶中Fe、Mn等影响晶体性能的微量元素含量,获得高纯四方黄铜矿结构的CdSiP_2多晶材料。采用X射线衍射仪和红外傅立叶变换分光光度计分别对生长的CdSiP_2单晶体自然解理面与厚度2 mm的CdSiP_2晶片进行测试,获得了{101}晶面族六级衍射峰,晶片在2~7μm波段范围的红外透过率高于53%,对应的吸收系数低于0.09 cm-1。上述研究结果表明,采用提纯后原料生长的CdSiP_2单晶体结晶性好,光学性能优良,可进一步用于制作CdSiP_2激光频率转换器件。
- 冯波赵北君何知宇陈宝军黄巍刘慧刘梦迪沙铭宇
- 关键词：提纯单晶生长ICP-AES
- CdSiP2晶体红外透过均匀性分析
- CdSiP晶体是目前综合性能最好的中红外高功率激光频率转换新材料之一,其透明范围宽,非线性光线系数大,双折射大,热导率高,抗光损伤阈值高。特别是CdSiP2晶体可使用目前成熟的1.06μm-YAG激光泵浦输出4m以上激光...
- 林莉赵北君朱世富何知宇陈宝军孙宁黄巍杨登辉
- 关键词：光学均匀性退火热处理
- 文献传递
- 结晶区温度梯度调节器与坩埚下降法单晶生长装置
- 一种结晶区温度梯度调节器，由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成，动板放置在座板所设置的凹槽中，其与凹槽为动配合。一种坩埚下降法单晶生长装置，包括上端封闭、下端开口的整体式炉体，安装在炉体上的加热器，安装安...
- 朱世富赵北君何知宇陈宝军唐世红王立苗
- 文献传递
- CdGeAs<Sub>2</Sub>晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
- 一种CdGeAs<Sub>2</Sub>晶体的腐蚀剂，由盐酸、硝酸和纯净水配制而成，盐酸、硝酸、纯净水的体积比为盐酸:硝酸:纯净水＝1:1:1，所述盐酸的质量浓度为35～38％，所述硝酸的质量浓度为65～68％。一种Cd...
- 赵北君朱世富何知宇陈宝军邓江辉
- 文献传递
- 一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器
- 一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP<Sub>2</Sub>多晶粉末为原料，工艺步骤为：（1）生长容器的清洗与干燥；（2）装料；（3）将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉，然后将生长炉的高温区和...
- 朱世富赵北君樊龙杨辉何知宇陈宝军
- 文献传递
- 黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
- 一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1)根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和X射线衍射仪θ－2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已...
- 赵北君朱世富何知宇陈宝军
- 文献传递
- ZnGeP_2单晶生长与安瓿设计研究被引量：1
- 2010年
- 根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为:安瓿长径比6～7,籽晶袋长度≥25mm,安瓿主体与籽晶袋之间的放肩角在25°左右。在上述生长安瓿中,采用改进的垂直布里奇曼法,分段控制下降速率,成功生长出尺寸为22mm×40mm的ZnGeP2单晶。对晶体进行X射线分析,获得(204)面单晶衍射谱和回摆谱,衍射峰峰形尖锐无劈裂,回摆谱对称性好,半峰宽为0.063°;晶片在2～12μm波段范围内的红外透过率达50%以上。实验结果表明,研究设计的生长安瓿适合于磷锗锌单晶生长,能够获得较高质量的单晶体。
- 梁栋程赵北君朱世富陈宝军何知宇范强徐婷
- 关键词：XRD分析
- AgGaS_2晶体生长成核研究被引量：1
- 2004年
- 本文在对红外非线性光学材料AgGaS2的DTA谱线进行分析的基础上,对AgGaS2的结晶习性进行了研究。对传统的Bridgman Stockbarger法进行了改进,设计出新的三温区立式炉,炉内温度梯度达到生长晶体的要求。根据自发成核的几何淘汰理论,针对AgGaS2的结晶特点,设计出适宜的石英生长安瓿,形状能够满足AgGaS2晶体结晶习性的需要,成功地生长出完整性较好的尺寸达10mm×25mm的AgGaS2单晶体。
- 李一春赵北君朱世富王瑞林张伟刘敏文刘娟陈宝军张建军
- 关键词：非线性光学材料温度梯度法熔点
