何知宇
- 作品数：154 被引量：148H指数：7
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- AgGa_(0.6)In_(0.4)Se_2晶体的制备与表征
- 2011年
- 以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2（x=0.4）化学计量配比配料（富1%Se）,在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料。差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃。采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双层石英安瓿,用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为Φ20 mm×60 mm、结构完整的AgGa0.6In0.4Se2单晶体。经X射线衍射仪和红外分光光度计等分析表明,晶体为黄铜矿结构,晶格常数为a=0.602 32 nm,c=1.118 33 nm,其显露面和易解理面为（112）面;厚度约为2 mm的晶片在波长0.836~19.65μm范围内透过率接近或超过60%,禁带宽度约为1.48 eV。结果表明,改进方法生长的AgGa1-xInxSe2晶体的结构完整,光学质量高,可用于中远红外非线性光学器件制备。
- 万书权朱世富赵北君陈宝军何知宇许建华刘勇
- 关键词：单晶性能表征光学材料
- 硒化镉多晶原料的提纯被引量：7
- 2004年
- 采用改进的垂直无籽晶气相法生长大尺寸高质量的CdSe单晶体要求原料的纯度高。本文根据差热 (DTA)和热失重 (TG)测试结果 ,设计出连续抽空区域升华提纯CdSe原料的新方法 ,用该方法提纯的原料生长出大尺寸、高质量的CdSe单晶体。等离子体质谱仪 (ICP MS)分析结果表明 ,新方法对CdSe的提纯是有效的 。
- 李艺星赵北君朱世富王瑞林陈松林何知宇罗正纯任锐
- 关键词：硒化镉提纯工艺热重分析晶体
- 一种磷硅镉多晶体的合成方法与合成容器
- 一种磷硅镉多晶体的合成方法，以高纯度的磷、硅、镉为原料，配料的摩尔比为硅∶镉∶磷＝1∶1∶2，并适当富磷。工艺步骤如下：(1)合成容器的清洗与干燥；(2)装料；(3)采用两区域适时温度监控、低温气相输运分离原料和高温熔体...
- 朱世富赵北君樊龙何知宇陈宝军
- 文献传递
- CdSiP_2单晶生长及防爆工艺研究被引量：5
- 2014年
- 对磷硅镉（CdSiPz）单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析，设计出新型的逐层减压坩埚。通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压，平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力，实现逐层减压，从而减小了内层坩埚形变，降低了生长容器爆炸的几率。同时，改进了布里奇曼生长法的降温工艺，生长出尺寸达＋14mm×32mm的CdSiP：单晶体。X射线分析表明单晶衍射面为（204）晶面，回摆峰半峰宽值为0．434，衍射谱峰强度高，具有良好的对称性；晶体在1500—7500cm。波数范围的红外透过率达55％，吸收系数为0．10～0．17cm-1。电阻率1．3×107Ω．cm。
- 吴圣灵赵北君朱世富何知宇陈宝军杨辉王小元孙宁
- 黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
- 一种黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1)根据黄铜矿类正单轴晶体解理面{101}和{112}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和X射线衍射仪θ－2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已...
- 朱世富赵北君陈宝军何知宇
- 文献传递
- 磷硅镉的差热分析与晶体生长（英文）被引量：2
- 2015年
- 利用毛细管中的差热分析研究了磷硅镉晶体的热力学性质,得到了磷硅镉的熔点和凝固点分别为1139和1126℃,过冷度为13℃。根据差热分析结果,对晶体生长炉以及温场分布进行了优化,采用改进的布里奇曼法生长得到了直径15 mm,长40 mm的无开裂磷硅镉晶体。利用X射线衍射,能谱以及红外分光光度计对晶体进行了表征。发现了(112)解理面,能谱测试表明晶体符合化学计量配比,在7000~1500 cm^(-1)红外透光范围内红外透过率达到55%。所有表征手段显示得到的晶体结构完整,光学性能良好,可用于器件的制作。
- 杨辉朱世富赵北君何知宇陈宝军吴圣灵吴敬尧孙宁
- 关键词：晶体生长差热分析
- 碲锌镉单晶片的退火方法被引量：2
- 2008年
- 探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究。利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善。XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的Cd组分含量有一定增加。采用该方法退火后,晶体品质有一定提高。
- 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇张冬敏方军程曦
- 关键词：退火电阻率XRD红外透射谱
- 基于第一性原理的AgGaX2(X=S,Se)晶体双折射与相位匹配特性研究
- 本文利用第一性原理赝势平面波方法对黄铜矿结构的AgGaX(X=S,Se)晶体的双折射与相位匹配特性进行研究。首先对材料的能带、态密度等电子结构进行了分析。我们的结果表明AgGaS和AgGaSe均为直接带隙半导体。由于采用...
- 肖健平朱世富赵北君何知宇陈宝军
- 关键词：第一性原理双折射率相位匹配
- 文献传递
- 结晶区温度梯度调节器与坩埚下降法单晶生长装置
- 一种结晶区温度梯度调节器，由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成，动板放置在座板所设置的凹槽中，其与凹槽为动配合。一种坩埚下降法单晶生长装置，包括上端封闭、下端开口的整体式炉体，安装在炉体上的加热器，安装安...
- 朱世富赵北君何知宇陈宝军唐世红王立苗
- 文献传递
- CdGeAs<Sub>2</Sub>晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
- 一种CdGeAs<Sub>2</Sub>晶体的腐蚀剂，由盐酸、硝酸和纯净水配制而成，盐酸、硝酸、纯净水的体积比为盐酸:硝酸:纯净水＝1:1:1，所述盐酸的质量浓度为35～38％，所述硝酸的质量浓度为65～68％。一种Cd...
- 赵北君朱世富何知宇陈宝军邓江辉
- 文献传递
