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靳晓诗

作品数：122 被引量：8H指数：2
供职机构：沈阳工业大学更多>>
发文基金：辽宁省科学技术基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 109篇专利
  • 13篇期刊文章

领域

  • 43篇电子电信

主题

  • 88篇晶体管
  • 64篇隧穿
  • 43篇开关特性
  • 28篇隧穿电流
  • 28篇隧穿效应
  • 25篇绝缘
  • 22篇栅控
  • 19篇场效应
  • 19篇场效应晶体管
  • 18篇电路
  • 18篇集成电路
  • 18篇沟道
  • 16篇双向开关
  • 16篇功耗
  • 15篇电极
  • 15篇纳米级集成电...
  • 15篇高集成
  • 13篇栅电极
  • 13篇势垒
  • 13篇静态功耗

机构

  • 122篇沈阳工业大学
  • 1篇国网辽宁省电...

作者

  • 122篇靳晓诗
  • 105篇刘溪
  • 34篇揣荣岩
  • 13篇吴美乐
  • 2篇王妍
  • 2篇杨敏
  • 1篇代全
  • 1篇白羽
  • 1篇隋东硼
  • 1篇隋德生

传媒

  • 11篇微处理机
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇科技创新导报

年份

  • 9篇2023
  • 3篇2022
  • 8篇2021
  • 8篇2020
  • 15篇2019
  • 24篇2018
  • 23篇2017
  • 1篇2016
  • 23篇2015
  • 7篇2014
  • 1篇2013
共 122 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法
本发明涉及一种双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有括号栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电...
靳晓诗高云翔刘溪
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具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管
本发明涉及一种具有低泄漏电流的无结折叠I形栅场效应晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的绝缘层，SOI晶圆的绝缘层上方为单晶硅，单晶硅的表面上附有栅介质绝缘层，栅介质绝缘层表面附有折叠I形栅...
刘溪杨光锐靳晓诗
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凹槽内嵌栅绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法
本发明涉及一种凹槽内嵌栅绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，所采用的设计方案在不增加芯片面积的前提下实现了低寄生电容和低反向泄漏电流的优点。利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现...
靳晓诗刘溪
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分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法
本发明涉及分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法，可实现源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极...
刘溪夏正亮靳晓诗
一种括号形栅控源漏阻变式双向开关晶体管及其制造方法
本发明涉及一种括号形栅控源漏阻变式双向开关晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有括号栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。...
刘溪夏正亮靳晓诗
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SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法
本发明涉及一种SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管，在基区两侧同时具有绝缘隧穿结构，在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧，因此提升了隧穿电流的产生率；对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，利用隧穿绝缘...
靳晓诗刘溪
SOI衬底双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管及制造方法
本发明涉及一种SOI衬底双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，通过在集电结和发射结中引入低杂质浓度的击穿保护区以显著提升器件在深纳米尺度下的耐压的正向及反向耐压能力；在基区两侧同...
靳晓诗刘溪
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半栅极控制源极肖特基势垒型隧穿场效应晶体管
本发明涉及一种半栅极控制源极肖特基势垒型隧穿场效应晶体管，在无需引入化合物半导体、锗化硅或锗等禁带宽度更窄的材料来生成器件的隧穿部分的前提下，通过在金属源极和本征硅之间形成源极肖特基势垒，并利用半栅极控制源极肖特基势垒的...
靳晓诗刘溪揣荣岩
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双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管研究
2022年
为在现有RFET产品基础上寻求改进,设计提出一种高集成的双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管(BSBRFET),不同于传统异或非门电路,只用单个晶体管即可实现异或非逻辑门功能。采用完全肖特基接触,屏蔽掉热电子发射电流,以带带隧穿电流作为正向导通机制;引入浮动源极来存储、积累电荷。遵循BSBRFET工作原理和输出特性一致性,在实验中对其异或非功能做出验证。与传统RFET相比,此器件能实现更低的亚阈值摆幅、更小的反向偏置电流、更高的开关电流比,在能够实现NXOR逻辑功能同时,对于提高输出特性一致性也具有优势。
王妍靳晓诗
体硅双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法
本发明涉及一种体硅双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，通过在集电结和发射结中引入低杂质浓度的击穿保护区以显著提升器件在深纳米尺度下的耐压的正向及反向耐压能力；在基区两侧同时具有...
靳晓诗刘溪
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