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吴美乐

作品数:15 被引量:6H指数:2
供职机构:沈阳工业大学信息科学与工程学院更多>>
发文基金:辽宁省科学技术基金国家自然科学基金江苏省科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇晶体管
  • 8篇绝缘
  • 7篇隧穿
  • 6篇折叠
  • 4篇栅控
  • 4篇开关特性
  • 4篇衬底
  • 3篇电路
  • 3篇纳米级集成电...
  • 3篇集成电路
  • 2篇独立控制
  • 2篇栅电极
  • 2篇散射
  • 2篇偏压
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇绝缘层
  • 2篇绝缘层厚度
  • 2篇击穿
  • 2篇沟道

机构

  • 15篇沈阳工业大学
  • 1篇南京工业职业...
  • 1篇华富(江苏)...

作者

  • 15篇吴美乐
  • 13篇靳晓诗
  • 13篇揣荣岩
  • 12篇刘溪
  • 1篇代全
  • 1篇白羽

传媒

  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇电池工业

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
防击穿SOI折叠栅绝缘隧穿双极晶体管及其制造方法
本发明涉及一种防击穿SOI折叠栅绝缘隧穿双极晶体管,对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管,通过在集电结和发射结中引入低杂质浓度的击穿保护区以显著提升器件在深纳米尺度下的正反向防击穿能力;在基区两侧和上表面同时具有绝...
靳晓诗吴美乐刘溪揣荣岩
SOI衬底折叠栅绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法
本发明涉及一种SOI衬底折叠栅绝缘隧穿增强晶体管,在基区两侧和上表面同时具有绝缘隧穿结构,在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧和上表面,因此提升了隧穿电流的产生率;对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件...
靳晓诗吴美乐刘溪揣荣岩
折叠栅控L形沟道低泄漏电流隧穿晶体管
本发明涉及一种折叠栅控L形沟道低泄漏电流隧穿晶体管,所采用的折叠栅电极结构设计,可对L形本征硅的水平和竖直部分同时进行控制,结合L形本征硅结构设计,一方面保证器件在亚阈值区域具有更快的电流上升率并增强正向导通能力;另一方...
靳晓诗吴美乐刘溪揣荣岩
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非单一衬底绝缘层厚度的高性能SOI无结晶体管
本发明涉及一种非单一衬底绝缘层厚度的高性能SOI无结晶体管,所采用的SOI晶圆绝缘层厚度在一个晶体管单位长度内不为单一值,本发明通过适当增加源区、漏区附近的SOI晶圆的绝缘层的厚度,显著降低了源区、漏区电阻,并显著提升了...
靳晓诗吴美乐刘溪揣荣岩
文献传递
内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法
本发明涉及一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管,对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件,具有低寄生电容和低反向泄漏电流的优点。利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性;通过发射极将隧穿信号...
靳晓诗吴美乐刘溪揣荣岩
内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法
本发明涉及一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管,对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件,具有低寄生电容和低反向泄漏电流的优点。利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性;通过发射极将隧穿信号...
靳晓诗吴美乐刘溪揣荣岩
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高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管
本发明涉及一种高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管,采用源控栅电极、沟道控栅电极和漏控栅电极等三个彼此独立控制的栅电极,使得器件既能够保证在低掺杂浓度的沟道内实现高迁移率,避免高掺杂浓度随机散射增强效应所导致的器件稳...
靳晓诗吴美乐刘溪揣荣岩
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多晶硅纳米膜压阻超薄微梁加速度敏感结构被引量:4
2013年
随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展,硅基加速度传感器已经得到广泛应用。但在敏感结构设计中,普遍存在灵敏度与固有谐振频率相互制约的矛盾。为此,采用多晶硅纳米膜作应变电阻,设计了300 nm超薄微梁加速度敏感结构。这种结构的设计改善了灵敏度与谐振频率之间的矛盾,使两者乘积值提高了30余倍,从而使压阻加速度计的性能得到大幅提升。
揣荣岩白羽吴美乐代全靳晓诗
关键词:加速度传感器压阻式谐振频率
废旧锂离子电池全材料回收技术分析被引量:2
2022年
对废旧锂离子电池全材料回收技术进行分析和评价,包括预处理和材料回收两个方面。预处理包括稳定化处理、拆解和粉碎、分离以及杂料分离四个过程;材料回收包括正极材料回收和负极材料回收。通过对具体回收工艺的优缺点分析,提出废旧锂离子电池的全材料回收路线并讨论其中的关键技术点。此外,对回收技术面临的挑战和未来发展方向进行探讨。
吴战宇吴美乐
关键词:废旧锂离子电池回收废物处理
折叠栅控L形沟道低泄漏电流隧穿晶体管
本发明涉及一种折叠栅控L形沟道低泄漏电流隧穿晶体管,所采用的折叠栅电极结构设计,可对L形本征硅的水平和竖直部分同时进行控制,结合L形本征硅结构设计,一方面保证器件在亚阈值区域具有更快的电流上升率并增强正向导通能力;另一方...
靳晓诗吴美乐刘溪揣荣岩
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共2页<12>
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