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马庆华

作品数:17 被引量:23H指数:2
供职机构:昆明物理研究所更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 6篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇碲镉汞
  • 6篇红外
  • 5篇液相外延
  • 4篇晶体
  • 3篇晶体生长
  • 3篇焦平面
  • 3篇红外焦平面
  • 2篇探测器
  • 2篇列阵
  • 2篇HGCDTE...
  • 2篇HGCDTE...
  • 1篇大直径
  • 1篇电学参数
  • 1篇短波
  • 1篇短波红外
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇载流子
  • 1篇少数载流子
  • 1篇少子寿命
  • 1篇射线

机构

  • 16篇昆明物理研究...
  • 5篇云南大学
  • 3篇西北工业大学

作者

  • 17篇马庆华
  • 6篇陈建才
  • 6篇韩庆林
  • 6篇姬荣斌
  • 5篇王跃
  • 5篇李全保
  • 4篇吴刚
  • 4篇宋炳文
  • 4篇孔金丞
  • 3篇介万奇
  • 3篇杨宇
  • 3篇周尧和
  • 2篇黄晖
  • 2篇张梅
  • 2篇吴军
  • 1篇史衍丽
  • 1篇唐利斌
  • 1篇庄继胜
  • 1篇姚英
  • 1篇钟莺

传媒

  • 5篇红外技术
  • 3篇Journa...
  • 2篇激光与红外
  • 1篇红外
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇2003年全...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第五届全国夜...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2006
  • 5篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2001
  • 3篇2000
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Hg_(1-x)Cd_xTe外延薄膜表面对红外透射光谱的影响被引量:1
2005年
利用傅里叶红外光谱仪测量液相外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜,发现未经腐蚀的原生薄膜材料红外透射光谱经本征吸收后有吸收边倾斜并伴有透射比值偏低的现象.对红外透射光谱的影响因素进行了分析,用扫描电子显微镜、电子探针及轮廓仪对样品表面腐蚀前后进行测试,结果表明腐蚀前后Hg1-xCdxTe薄膜表面(深度约1μm)汞含量和表面平整度的差别是导致这一现象的主要原因.运用带-带尾态之间的跃迁理论及表面散射对这一现象进行了解释.
张小雷孔金丞马庆华吴军杨宇姬荣斌
关键词:碲镉汞外延层红外透射光谱
大直径HgCdTe晶体生长研究
2004年
大直径(=40mm)HgCdTe晶体生长过程中存在两大难题,一是高汞压引起的生长管爆炸,二是严重的组份分凝引起的组份不均匀。文中对这两大难题进行分析,得到解决这两大难题的方法:一是在生长管外施加一定气压来抵消生长管内的部份汞气压;二是从低熔点的低组分HgCdTe熔体中生长出较高组分的HgCdTe晶体,从而降低生长温度,这样即可降低汞气压,又可减小组分分凝;三是加高组分HgCdTe到低组分HgCdTe熔体中以补充CdTe的消耗,从而生长出纵向组分均匀性好的晶体。
李全葆王跃韩庆林马庆华
关键词:晶体生长
碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量
2003年
详细说明了用微波反射光电导衰减 (μ PCD)测量碲镉汞材料 (MCT)中少数载流子寿命的原理。μ PCD系统对样品少数载流子寿命的测量范围为 2 0ns至 3ms,测量温度可以从 80K到 32 5K变化 ,整个系统的测量由计算机控制自动进行 ,可以对样品进行X Y平面扫描测量并进行结果数据分析。同时 ,还报道了用 μ
黄晖李亚文马庆华陈建才姬荣斌
关键词:碲镉汞材料少数载流子红外焦平面列阵
大直径HgCdTe晶体的结构缺陷分析
2001年
用加压 改进Bridgman法生长的大直径HgCdTe( =4 0mm)晶体 ,通过X射线形貌技术分析表明 ,晶体结构包含有大量的亚晶粒 ,同时在晶片中观察到夹杂、位错、应力区等结构缺陷。结合X射线双晶衍射回摆曲线分析表明 ,亚晶粒和测试晶面间的取向差约为 4 0″~ 2 0 0″ ,大小约为 0 .5mm× 0 .5mm~ 2mm× 2mm。
韩庆林王跃李全保吴刚马庆华
关键词:X射线红外
液相外延用碲镉汞母液晶锭的组分均匀性
2011年
开展了液相外延用碲镉汞母液晶锭的合成工艺优化研究。通过优化合成温度、合成时间、摇炉速率和淬火工艺,有效提高了碲镉汞晶锭的纵向组分均匀性。用改进工艺后合成的碲镉汞母液晶锭生长了28个外延薄膜样品,其组分平均偏差为0.95%,满足第二代红外焦平面探测器研制对探测器材料组分均匀性的要求。
陈建才孔金丞马庆华
关键词:液相外延
高质量HgCdTe薄膜的液相外延生长被引量:4
2005年
用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外廷(LPE)方法在碲锌 镉(Cd1-yZnyTe,y=0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x=0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件 得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜。测试结果表明本方法生长的HgCdTe薄 膜能满足目前研制红外焦平面器件的要求。
马庆华陈建才姬荣斌杨宇
关键词:液相外延生长红外焦平面器件碲镉汞CDTE薄膜长波
外延HgCdTe薄膜材料的热处理
回顾了三种主要外延技术即:LPE、VPE(MOVPE、ISOVPE)和MBE生长的外延HgCdTe薄膜材料在各种不同条件热处理的实验结果,总结了热处理过程对薄膜材料产生的各种影响.
孔金丞马庆华陈建才吴军杨宇姬荣斌
关键词:电学参数
文献传递
垂直结的碲镉汞短波光伏探测器列阵
采用环孔工艺的方法制备了N-on-P垂直结的碲镉汞短波光伏探测器列阵,测量表明:液氮温度下器件峰值波长2.2微米,器件零偏阻抗109欧,黑体探测率4.4×1010cmHz1/2W-1.采用LBIC对4×4碲镉汞光伏二极管...
蔡毅史衍丽姚英杨铁峰庄继胜陈建材马庆华
关键词:碲镉汞短波红外光伏探测器
文献传递
晶体生长过程中首先凝固点的实验观察
2000年
由于技术上的原因 ,“首先凝固点”很难观察到。通过在Bridgman法生长HgCdTe晶体过程中进行淬火 ,观察到尺寸较小的“首先凝固区域” ,其固液界面为凹形抛物面。
王跃李全保韩庆林马庆华宋炳文介万奇周尧和
关键词:晶体
Hg1-xCdxTe薄模研究进展
本文介绍了昆明物理研究所He1-xCdxTe薄膜材料研究的最新进展,报道了外延薄膜的晶体结构质量、电学参数等.用我所研制的He1-xCdxTe薄膜材料成功地制备出性能较好的焦平面探测器.
姬荣斌张梅吴刚杨玉林张静蓉陈建才马庆华何景福宋炳文
关键词:红外焦平面EPD
文献传递
共2页<12>
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