陈建才
- 作品数：14 被引量：10H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性的改善
- 用水平推舟的方法以固态HgTe替代液态Hg补偿源,在CdZnTe衬底上从富Te溶液中外延生长出组分均匀的HgCdTe薄膜.采用红外透射法测量薄膜的组分及截止波长,并利用光学显微镜小光点系统辅之于机械扫描机构对薄膜的微小区...
- 马庆华陈建才吴军孔金丞杨宇姬荣斌
- 关键词：LPE液相外延HGCDTE薄膜
- 文献传递
- 金刚石薄膜的研制
- 陈建才
- 液相外延用碲镉汞母液晶锭的组分均匀性
- 2011年
- 开展了液相外延用碲镉汞母液晶锭的合成工艺优化研究。通过优化合成温度、合成时间、摇炉速率和淬火工艺,有效提高了碲镉汞晶锭的纵向组分均匀性。用改进工艺后合成的碲镉汞母液晶锭生长了28个外延薄膜样品,其组分平均偏差为0.95%,满足第二代红外焦平面探测器研制对探测器材料组分均匀性的要求。
- 陈建才孔金丞马庆华
- 关键词：液相外延
- 高质量HgCdTe薄膜的液相外延生长被引量：4
- 2005年
- 用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外廷(LPE)方法在碲锌 镉(Cd1-yZnyTe,y=0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x=0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件 得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜。测试结果表明本方法生长的HgCdTe薄 膜能满足目前研制红外焦平面器件的要求。
- 马庆华陈建才姬荣斌杨宇
- 关键词：液相外延生长红外焦平面器件碲镉汞CDTE薄膜长波
- 外延HgCdTe薄膜材料的热处理
- 回顾了三种主要外延技术即:LPE、VPE(MOVPE、ISOVPE)和MBE生长的外延HgCdTe薄膜材料在各种不同条件热处理的实验结果,总结了热处理过程对薄膜材料产生的各种影响.
- 孔金丞马庆华陈建才吴军杨宇姬荣斌
- 关键词：电学参数
- 文献传递
- LPE Hg1-xCdxTe薄膜生长工艺的研究
- 该文介绍昆明物理研究所开管、水平滑块、富Tc源方式下，生长 Hg1-xCdxTe(MCT)薄膜的液相外延(LPE)工艺技术，对外延膜的一些特性进行了分析。相外延，碲锅汞。
- 雷春红陈建才欧明娣莫玉东黄晖董先庆
- 关键词：薄膜生长液相外延
- Hg1-xCdxTe薄模研究进展
- 本文介绍了昆明物理研究所He1-xCdxTe薄膜材料研究的最新进展,报道了外延薄膜的晶体结构质量、电学参数等.用我所研制的He1-xCdxTe薄膜材料成功地制备出性能较好的焦平面探测器.
- 姬荣斌张梅吴刚杨玉林张静蓉陈建才马庆华何景福宋炳文
- 关键词：红外焦平面EPD
- 文献传递
- n-on-p锑化铟薄膜的液相外延生长
- 2016年
- 用水平开管液相外延技术在锑化铟衬底上用富铟锑化铟母液生长锑化铟薄膜材料,薄膜材料具有n-on-p结构,衬底为p型层,掺Ge,浓度1×10^(15)~5×10^(16) cm^(-3);薄膜为n型层,掺Te,薄膜面积20 cm×25 cm,厚度2~3μm,表面平整度±0.2μm,浓度1×10^(17)~5×10^(18) cm^(-3)。n-on-p锑化铟薄膜材料能满足制作的中波红外焦平面器件要求。
- 李忠良陈建才叶薇李增寿刘世能
- 关键词：锑化铟液相外延
- 碲镉汞的液相外延生长被引量：6
- 2001年
- 设计了一种使用良好的石墨舟 ,建立了一套能进行开管液相外延的系统 ,并利用此系统在 Cd Zn Te衬底上和在富 Te的生长条件下生长了不同 x值的 Hg Cd Te外延薄膜 .通过对外延生长工艺的控制 ,外延薄膜的表面形貌有很大的改善 ,残留母液大为减少 ,外延薄膜的组分比较均匀 ,其电学性能得到较大改善 ,Hg Cd Te外延薄膜与Cd Zn Te衬底之间的互扩散非常少 ,外延膜的晶体结构也较完整 .
- 黄仕华何景福陈建才雷春红
- 关键词：碲镉汞液相外延生长半导体材料
- 液相外延HgCdTe薄膜组分的均匀性被引量：2
- 2005年
- 利用水平推舟液相外延法,以CdZnTe作为衬底,固态HgTe作为Hg补偿源,从富Te HgCdTe溶液中外延生长大面积 HgCdTe 薄膜.通过选择合适的温度和生长速率,获得了组分均匀性和重复性较好的大面积长波HgCdTe薄膜.
- 马庆华陈建才吴军孔金丞杨宇姬荣斌
- 关键词：液相外延HGCDTE
