黄开玉
- 作品数：8 被引量：32H指数：3
- 供职机构：大连理工大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信核科学技术更多>>
- 中频溅射技术沉积镱铒共掺Al_2O_3薄膜光致发光被引量：13
- 2004年
- 用中频孪生靶溅射法在硅片上制备了镱铒共掺氧化铝薄膜(2cm×2cm),在室温下检测到薄膜的位于1535nm的很强的光致发光光谱(PL),讨论了泵浦功率、镱铒共掺比例、退火温度对光致发光光谱强度的影响。扫描电镜(SEM)观察分析表明,中频孪生靶溅射法沉积的薄膜致密、均匀、光学缺陷少。实验结果表明:镱铒共掺薄膜的荧光强度不随泵浦功率的增加而饱和,最佳的镱铒共掺杂比例9∶1,最佳退火温度850℃,对各种实验结果给出了理论的解释。
- 高景生宋昌烈李成仁李淑凤宋琦黄开玉李国卿
- 关键词：泵浦功率光致发光光谱AL2O3薄膜溅射法退火温度氧化铝薄膜
- 中频孪生磁控溅射等离子体特性与氧化物薄膜沉积研究
- 该文介绍了磁控溅射沉积技术的基本原理、发展及应用.简述了MgO、Al<,2>O<,3>薄膜的应用及其制备方法.介绍了实验中使用的非平衡中频孪生磁控溅射沉积系统的组成、性能.以镁靶为例,分析了出现金属态沉积的原因.分析认为...
- 黄开玉
- 关键词：光致发光磁控溅射
- 文献传递
- 非平衡磁控溅射系统离子束流磁镜效应模型被引量：3
- 2005年
- 为了研究非平衡磁控溅射沉积系统的等离子体特性 ,采用常规磁控溅射靶和同轴约束磁场构成非平衡磁控溅射沉积系统 .在放电空间不同的轴向位置 ,Ar放电 ,0 2Pa和 15 0V偏压条件下 ,采用圆形平面离子收集电极 ,测量不同约束磁场条件下的饱和离子束流密度 .研究结果表明 ,在同轴磁场作用下 ,收集电极的离子束流密度能达到饱和值 9mA cm2 左右 ,有利于在沉积薄膜的过程中产生离子轰击效应 .根据磁流体理论分析了同轴约束磁场形成的磁镜效应和对放电过程的影响机理 .实验与模型计算结果的比较表明 ,模型从理论上表达了同轴磁场约束对非平衡磁控溅射等离子体特性的影响规律 .
- 牟宗信李国卿秦福文黄开玉车德良
- 关键词：磁镜非平衡磁控溅射束流离子束等离子体集电极
- 掺铒Al_2O_3薄膜的性能与制备被引量：2
- 2004年
- 简述了几种Al2O3薄膜的制备方法,使用中频孪生靶非平衡磁控溅射系统制备了掺铒Al2O3薄膜,并对其进行检测,结果表明该方法制备的薄膜适于制作光纤放大器。
- 黄开玉李国卿柳翠高景生宋琦王丽阁
- 关键词：掺铒AL2O3薄膜光致发光磁控溅射
- 镀膜机的微机控制被引量：5
- 2003年
- 设计了磁控溅射 多弧镀膜机的微机控制系统 ,采用PLC可编程控制器与上位机进行数据传递和控制设备的控制方式。本微机控制系统中的真空镀膜机 ,设计了 3套孪生磁控、10套多弧和 8级工艺的过程控制 ,具有自动组合工艺和自控程序升级功能 ,从而实现多种工艺的镀膜要求。
- 陈玲玲李国卿黄开玉关秉羽汪思源
- 关键词：微机控制系统PLC可编程控制器真空镀膜机
- 同轴磁场对非平衡磁控溅射系统放电特性的影响被引量：1
- 2004年
- 采用激励电流可以调整的电磁线圈来激发非平衡磁场,调整约束磁场和放电空间等离子体状态。实验结果表明调整非平衡磁场显著影响系统的放电特性,使放电特性偏离常规的磁控溅射系统放电特性,增强了等离子体的引出效果。在Ar放电的条件下,详细研究了溅射系统的工作伏安特性随不同的工作气体、气压和溅射功率的变化规律。根据蔡尔得公式,讨论了非平衡磁场对于磁控溅射系统中放电特性的影响规律。
- 牟宗信李国卿黄开玉
- 关键词：放电特性等离子体
- 非平衡磁控溅射沉积系统伏安特性模型研究被引量：8
- 2004年
- 非平衡磁控溅射沉积系统的伏安特性对阴极溅射和薄膜沉积过程具有重要的影响 .通过分析在常规磁控溅射沉积系统中非平衡磁场对于放电过程的影响 ,根据蔡尔得定律研究了非平衡磁场对磁控溅射沉积系统伏安特性影响的基本规律 ;
- 牟宗信李国卿车德良黄开玉柳翠
- 关键词：等离子体金属薄膜伏安特性磁场分布
- 非平衡磁控溅射系统的离子束流控制被引量：2
- 2004年
- 在非平衡磁控溅射沉积非磁性金属薄膜过程中,离子 原子到达比、沉积速率等参数是影响薄膜结构和性能的重要因素。根据非平衡磁控溅射沉积过程中离子的分布特点,分别考虑离子和中性粒子的传输,导出了对圆形平面靶非平衡磁控溅射沉积薄膜的放电功率、气压和离子束流密度等参数之间的关系,阐明了放电参数对于沉积过程离子束流密度等参数的影响。在Ar放电条件下,测量了系统的伏安特性;采用偏压平面离子收集电极测量了溅射系统轴向离子束流密度随不同的气压、溅射电流和空间位置的变化规律。结果表明模型分析的结论和实验数据的变化趋势相符合。
- 牟宗信李国卿黄开玉车德良
- 关键词：放电参数放电功率
