黄维宁
- 作品数：35 被引量：66H指数：5
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>
- Pt／Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜被引量：2
- 1995年
- 对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反应形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５～２０ｎｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应Ｐｔｓｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０～６００℃快速返火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒接触。
- 亓文杰李炳宗顾志光黄维宁董健民冯志华刘毓成
- 关键词：快速退火固相反应硅化铂
- LNO薄膜电极的制备及其特性研究被引量：6
- 2003年
- 采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω·cm,且具有良好的形貌。以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要。
- 康晓旭林殷茵汤庭鳌钟宇黄维宁姜国宝王晓光
- 关键词：铁电体铁电存储器铁电电容
- MEMS神经元微探针研究
- 本文制作了一种神经元多电极微探针,采用阻抗分析仪对微探针进行了表征,测量了该探针单个电极在生理盐水中100～1 kHz范围内的交流阻抗.1 kHz工作频率下,探针的交流电阻和交流容抗分别为100 kΩ和10 kΩ,时漂小...
- 程正喜黄维宁周嘉黄宜平鲍敏杭
- 关键词：神经元交流阻抗阻抗分析仪
- 文献传递
- 用于MFIS的ZrO_2薄膜的制备及特性研究
- 2000年
- 新型不挥发非破坏性读出铁电存储器金属 /铁电 /半导体器件结构中 ,存在着铁电薄膜与半导体衬底之间相互扩散、离子陷阱密度高、铁电薄膜难于直接淀积在硅衬底上、电荷注入等问题 ,因此在铁电薄膜与半导体之间增加一层合适的介质材料作为阻挡层是制备不挥发非破坏性读出铁电存储器的关键。文中研究了运用 SOL- GEL方法制备 Zr O2 介质层的方法 ,并且对制备的介质层的成份、结构、电特性进行了分析 ,为研制 MFIS作了准备。
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝
- 关键词：铁电薄膜半导体材料
- Pb(Zr_(0.6)Ti_(0.4))O_3/LaNiO_3铁电电容的制备及其疲劳特性
- 2003年
- 以 L a Ni O3( L NO)为独立下电极 ,制备出 Au( Cr) / PZT/ L NO/ Si O2 结构的铁电电容 ,与使用 Pt下电极对比 ,其抗疲劳特性得到了极大的改善 .在 1MHz频率 10 V电压下 ,经过 10 1 1 次脉冲反转 ,其 ( P* - P^ )仅下降了 11%左右 ,这主要是由于使用氧化物电极可以极大地降低 PZT与电极界面处的氧空位的形成和积聚 .通过不同频率和相同频率不同脉冲宽度条件下疲劳特性的测试 ,观察到随着测试频率的升高 ,抗疲劳特性也随之提高 ;在相同频率下 ,随着测试脉宽的加大 ,疲劳现象加剧 ;同时 。
- 康晓旭林殷茵汤庭鳌王晓光钟宇黄维宁姜国宝
- 关键词：脉宽
- 铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备被引量：2
- 2003年
- 在铁电不挥发存储器 (FERAM)技术中 ,集成铁电电容的制备是关键工艺之一。文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺 :采用 lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容 Pt/Ti下电极 ,然后用 Sol-Gel方法制备 PZT薄膜。在 PZT薄膜未析晶前 ,先将它加工成电容图形 ,再高温退火成为 PZT铁电薄膜。最后完成铁电电容 Pt上电极。与传统工艺相比 ,改进后的工艺能保持 PZT铁电薄膜与金属上电极之间良好的接触界面。测试结果表明 ,工艺条件的变动不会影响 PZT铁电薄膜的成膜和结构 ,从而可得到性能优良的铁电电容。
- 黄维宁姜国宝林殷茵汤庭鳌
- 关键词：铁电存储器锆钛酸铅铁电电容
- Co与掺杂Si固相反应形成CoSi_2接触pn结及反应过程中As的行为研究被引量：1
- 1993年
- 研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.
- 刘平李炳宗姜国宝黄维宁顾志光
- 关键词：PN结砷离子注入
- 集成铁电电容的制备和研究被引量：1
- 1999年
- 给出了一种在ＣＭＯＳ电路基础上制备集成铁电电容的方法。
- 姚海平钟琪黄维宁姜国宝洪晓菁汤庭鳌
- 关键词：铁电薄膜存储器
- Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究
- 1994年
- 本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ）；三元结构，并以（００４）晶面为择优取向。薄膜均匀平整，电阻率达到ＴＩＳｉ２最低值范围，高温处理未发生组分分凝．从生成物的晶体结构和形成热差异上对实验结果进行了分析．
- 亓文杰李炳宗黄维宁顾志光张翔九盛篪胡际璜吕宏强卫星沈孝良
- 关键词：分子束外延退火固相反应
- 铁电电容的电极结构
- 2000年
- 作为铁电电容的电极材料 ,铂是使用最为广泛的金属。在 PZT薄膜的上下两层分别用离子束溅射淀积厚度为 50 nm和 10 0 nm的 Pt。在铂层上按常规工艺需蒸发 1～ 2 μm的 Al作为布线金属。为避免在热处理过程中的固相反应 ,Al/ Pt之间还需嵌入阻挡金属。观察了 Si,Co,Ni,Ti和 Ti/ W合金膜的阻挡特性。实验证明一定组分的 Ti/ W合金膜能有效地抑制 Al/ Pt固相反应 ,获得较为理想的接触特性。
- 姜国宝黄维宁汤庭鳌
- 关键词：电极固相反应
