顾志光
- 作品数：24 被引量：36H指数：4
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 高密度封装用氮化铝(AIN)/玻璃复合材料低温共烧研究被引量：1
- 2003年
- 从排胶和共烧两方面 ,研究了氮化铝 ( Al N) /玻璃复合材料的低温共烧。排胶研究结果表明 :流延坯片和银浆的排胶特性不同 ,氧化性气氛有利于两者的排胶。共烧研究表明 :Al N/玻璃复合系统的烧结为液相烧结 ;引入微氧烧结气氛将改变界面状况 ,有利于 Al
- 廖淼李越生汪荣昌戎瑞芬顾志光
- 关键词：集成电路高密度封装氮化铝AIN复合材料低温共烧
- Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究
- 1994年
- 本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ）；三元结构，并以（００４）晶面为择优取向。薄膜均匀平整，电阻率达到ＴＩＳｉ２最低值范围，高温处理未发生组分分凝．从生成物的晶体结构和形成热差异上对实验结果进行了分析．
- 亓文杰李炳宗黄维宁顾志光张翔九盛篪胡际璜吕宏强卫星沈孝良
- 关键词：分子束外延退火固相反应
- TiO_2薄膜敏感特性研究被引量：6
- 1999年
- 利用 ＭＯＣＶＤ工艺可制备得到锐钛矿型ＴｉＯ２薄膜，在其上溅射金属 Ｐｔ并控制工艺流程的温度，Ｐｔ／ＴｉＯ２间将形成良好的金半整流接触．该Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管在常温下表现出良好的气敏特性，响应时间短，对稳定环境中低分压气体浓度的变化反应灵敏．同时，该 Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管还对约 ２５０－３７０ ｎｍ的紫外光敏感．本文研究了 Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管气敏和光敏特性，分析了敏感机理．
- 肖梦秋汪荣昌顾志光戎瑞芬
- 关键词：肖特基二极管MOCVDTIO2伏安特性
- Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺
- 2008年
- 研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理。应用高分辨透射电镜(HRTEM)等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程,HRTEM结果表明,在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜;退火温度低于300℃时,表面溅射的Ni结晶效果较差;退火温度在800℃时,表面Ni薄膜发生团聚,形成了分立的纳米颗粒。
- 陈扬文江素华邵丙铣戎瑞芬汪荣昌顾志光王家楫
- 关键词：SI纳米线磁控溅射退火
- SiGe／Si异质结构MOS器件栅介质技术研究被引量：1
- 1996年
- 本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件研制，试制成功ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ实验性器件．
- 亓文杰於伟峰李炳宗顾志光黄维宁姜国宝张翔九
- 关键词：MOS器件栅介质SIGE硅
- 应用于蓝牙技术发展的LTCC——AlN多层布线工艺
- 2002年
- 现代IT产业的发展催生了蓝牙技术的发展。而蓝牙技术的发展迫切需要发展高性能三维功能衬底技术。AlN陶瓷具有优良的综合性能。研究了AlN流延坯和Ag导体浆料的低温共烧技术 ,比较了在AlN成瓷基板上的各种金属化工艺。
- 汪荣昌顾志光戎瑞芬李勇邵丙铣宗祥福
- 关键词：蓝牙技术金属化工艺
- Co与掺杂Si固相反应形成CoSi_2接触pn结及反应过程中As的行为研究被引量：1
- 1993年
- 研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.
- 刘平李炳宗姜国宝黄维宁顾志光
- 关键词：PN结砷离子注入
- TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性被引量：2
- 1998年
- 本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄ＣｏＳｉ２膜的高温稳定性．采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Ｃｏ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ不同结构，在高纯氮气下进行快速热退火（ＲＴＡ），形成ＣｏＳｉ２薄膜．应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）进行测试．实验结果表明：ＴｉＮ覆盖层和Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的ＣｏＳｉ２薄膜的有效方法，有望应用于深亚微米接触和互连技术中．
- 刘京茹国平顾志光屈新萍李炳宗朱剑豪
- 关键词：VLSIULSI金属薄膜
- Pt／Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜被引量：2
- 1995年
- 对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反应形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５～２０ｎｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应Ｐｔｓｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０～６００℃快速返火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒接触。
- 亓文杰李炳宗顾志光黄维宁董健民冯志华刘毓成
- 关键词：快速退火固相反应硅化铂
- 以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究被引量：1
- 2000年
- 详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明，两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10MPa。同时对这两钟方法的特点与适用范围进行概述。
- 胡向洋汪荣昌顾志光戎瑞芬邵丙铣宗祥福
- 关键词：氮化铝陶瓷基板
