丁彬彬
- 作品数：12 被引量：9H指数：2
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：广东省战略性新兴产业专项国家自然科学基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- 一种高显色指数大功率LED封装结构及其制造方法
- 一种高显色指数大功率LED封装结构及其制造方法，包括高导热基板、高散热材料块、大功率LED芯片和封装组件，其中所述高导热基板上开设有盲孔，所述高散热材料块安装在该盲孔内并通过高导热粘结剂与高导热基板粘合为一体。本发明由于...
- 熊建勇范广涵张涛郑树文张瀚翔张力赵芳宋晶晶丁彬彬
- 文献传递
- 纤锌矿Be_xZn_(1-x)O合金能隙弯曲系数的第一原理研究
- 2013年
- 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,对纤锌矿BexZn1-xO合金进行能隙特性、弯曲系数和结构参数的计算.结果表明:BexZn(1-x)O合金的能隙和弯曲系数都随Be掺杂组分的增大而增大.通过修正BexZn(1-x)O合金的能隙值得知其合金弯曲系数b为6.02eV,这与实验值接近.纤锌矿BexZn(1-x)O合金的能隙弯曲系数过大主要来源于体积形变和电荷转移的贡献.文中还分析了BexZn(1-x)O合金的晶格常数、平均键长和平均次近邻原子距离与Be组分的关系.
- 郑树文范广涵张涛苏晨宋晶晶丁彬彬
- 关键词：第一性原理能隙
- LED智能照明技术专利信息分析被引量：1
- 2017年
- 我们研究了全球、中国、广东省LED智能照明技术专利发展态势,归纳了主要国家和重点企业的LED智能照明技术点分布,并对重点专利进行了分析和总结。
- 张涛范广涵许毅钦肖瑶丁彬彬喻晓鹏方慧风郑树文
- 一种高导热LED封装材料及其制备方法
- 本发明属于LED封装材料技术领域，提供了一种高导热LED封装材料及其制备方法。制备方法包括（1）将金刚石粉和粘结剂以3:1~10:1的体积比，混合均匀；（2）采用冷等静压工艺压制成型；（3）在真空条件或惰性气体下去除粘结...
- 周德涛范广涵赵芳丁彬彬许毅钦
- 飞利浦公司LED相关技术专利分析报告
- ＜正＞飞利浦公司作为全球照明行业的领导者,其照明事业部在全球拥有大约59000名员工,是世界上最大的照明制造商。截至2013年6月20日,飞利浦公司已先后在上海、香港和成都成立了飞利浦知识产权及标准部办事处。1飞利浦公司...
- 张涛范广涵肖瑶许毅钦皮辉熊建勇丁彬彬俞晓鹏张力
- 文献传递
- LED产业MOCVD设备专利信息分析被引量：1
- 2013年
- 通过世界专利索引数据库(DWPI)对MOCVD设备专利进行全面检索,然后进行人工标引,剔除不相关专利,经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选,对AIXTRON的喷淋头结构技术和VECOO公司的MOCVD托盘技术专利进行分析和预警。在"七国两组织"专利数据库与综合专利检索分析系统中,检索出中国的MOCVD设备申请专利,将国内申请和来华申请专利的关键技术点进行比对分析。通过核心技术分析和预警、关键技术点比对分析为中国在这些技术领域做出专利部署或技术研发,制定出适合LED产业MOCVD设备自主知识产权发展战略和政策提供一定的参考和依据。
- 喻晓鹏范广涵丁彬彬郑树文张涛
- 关键词：MOCVD设备预警
- 铜/金刚石复合材料热导率正交实验研究
- 2013年
- 采用高温高压法制备了铜/金刚石复合材料。通过正交实验法研究了复合材料中金刚石粒度的不同尺寸和对应的体积比、铜和金刚石的体积比及保压保温时间等各种因素对复合材料热导率的影响。结果表明:铜和金刚石的体积比因素对热导率的影响最大,而金刚石不同粒度的体积比影响最小。获得了基于提高复合材料热导率的最佳制备工艺条件是,配料中金刚石粒度尺寸为75μm和250μm,金刚石大小粒度的配料体积比为1∶4,铜和金刚石的配料体积比为7∶3和保压保温时间为2 h,该工艺条件下制备的复合材料热导率为238.18 W/(m.K)。
- 丁彬彬范广涵周德涛赵芳郑树文熊建勇宋晶晶喻晓鹏张涛
- 关键词：正交实验法热导率
- GaN基发光二极管的结构设计及高散热封装材料的研究
- GaN基半导体材料是一种新型的光电功能材料，具有宽的带隙，高稳定性，高的热导率，高硬度等优点，广泛应用于显示领域，固态照明，太阳能电池，固体激光器，紫外检测器和各种微电子器件。随着LED的功率越来越大，产生的热量也越来越...
- 丁彬彬
- 关键词：氮化镓发光二极管热导率正交实验设计封装材料
- 新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高(英文)被引量：2
- 2013年
- 分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究。3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层。此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析。研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区)。同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解。
- 丁彬彬赵芳宋晶晶熊建勇郑树文喻晓鹏许毅钦周德涛张涛范广涵
- 关键词：发光二极管(LED)
- 具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED(英文)被引量：5
- 2013年
- 对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效率。
- 赵芳张运炎宋晶晶丁彬彬范广涵
- 关键词：发光二极管数值模拟
