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宋晶晶

作品数:17 被引量:12H指数:2
供职机构:华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省战略性新兴产业专项广东省教育部产学研结合项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程文化科学更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇发光
  • 8篇功率
  • 8篇二极管
  • 8篇发光二极管
  • 7篇大功率
  • 6篇散热
  • 6篇大功率LED
  • 5篇复合材料
  • 5篇复合材
  • 4篇散热基板
  • 4篇基板
  • 4篇功率发光二极...
  • 4篇大功率发光二...
  • 2篇电流
  • 2篇照明
  • 2篇整流
  • 2篇整流电路
  • 2篇散热材料
  • 2篇数值模拟
  • 2篇铜粉

机构

  • 17篇华南师范大学

作者

  • 17篇宋晶晶
  • 16篇范广涵
  • 14篇张涛
  • 13篇郑树文
  • 10篇赵芳
  • 6篇丁彬彬
  • 6篇喻晓鹏
  • 5篇苏晨
  • 4篇姚光锐
  • 4篇熊建勇
  • 4篇周德涛
  • 3篇李述体
  • 2篇张力
  • 2篇贺龙飞
  • 2篇张运炎
  • 2篇许毅钦
  • 2篇刘小平
  • 2篇张瀚翔
  • 1篇肖瑶
  • 1篇黄俊毅

传媒

  • 3篇发光学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇金刚石与磨料...
  • 1篇科技管理研究
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2014
  • 9篇2013
  • 7篇2012
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响被引量:5
2012年
采用软件理论分析的方法分析了InGaN/AlGaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度分布、载流子溢出产生的影响。分析结果表明:量子阱的个数不是越多越好,LED的光学性质和量子阱的个数并不成线性关系。量子阱个数太少时,电流溢出现象较明显;而当量子阱个数太多时,极化现象明显,且会造成材料浪费。因此应根据工作电流选择合适的量子阱个数。
宋晶晶张运炎赵芳郑树文范广涵
关键词:数值模拟INGAN大功率
铜/金刚石复合材料热导率正交实验研究
2013年
采用高温高压法制备了铜/金刚石复合材料。通过正交实验法研究了复合材料中金刚石粒度的不同尺寸和对应的体积比、铜和金刚石的体积比及保压保温时间等各种因素对复合材料热导率的影响。结果表明:铜和金刚石的体积比因素对热导率的影响最大,而金刚石不同粒度的体积比影响最小。获得了基于提高复合材料热导率的最佳制备工艺条件是,配料中金刚石粒度尺寸为75μm和250μm,金刚石大小粒度的配料体积比为1∶4,铜和金刚石的配料体积比为7∶3和保压保温时间为2 h,该工艺条件下制备的复合材料热导率为238.18 W/(m.K)。
丁彬彬范广涵周德涛赵芳郑树文熊建勇宋晶晶喻晓鹏张涛
关键词:正交实验法热导率
LED路灯专利信息分析与研究被引量:1
2012年
采用"七国两组织"中文专利数据库,检索1985年1月1日到2010年12月31日期间的LED路灯相关的中国专利文献,建立LED路灯中国专利数据库。了解LED路灯在国内外的发展历史及最新研究进展,通过分析该技术专利的申请总量趋势、主要专利拥有者的分布、IPC分类号分布和关键技术等,从而为LED路灯技术的进一步开发及完善提供参考和依据。
贺龙飞范广涵苏晨赵芳宋晶晶张涛
关键词:LED路灯专利信息
新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高(英文)被引量:2
2013年
分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究。3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层。此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析。研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区)。同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解。
丁彬彬赵芳宋晶晶熊建勇郑树文喻晓鹏许毅钦周德涛张涛范广涵
关键词:发光二极管(LED)
LED产业MOCVD设备专利态势、技术分析及发展策略研究
本文从专利的角度研究LED产业技术制高点之一的MOCVD设备技术的竞争格局和发展趋势.选择THOMSON的DWPI数据库和广东省专利信息服务平台的国家知识产权局全领域代码化专利数据库进行专利检索(截止时间2011年12月...
张涛贺龙飞黄俊毅范广涵苏晨赵芳宋晶晶肖瑶张翰翔喻晓鹏许毅钦
关键词:LEDMOCVD设备
一种交流发光二极管装置
一种交流发光二极管装置,包括支架及散热组件、整流电路和LED芯片组,所述整流电路由至少四个高压LED芯片组连接组成桥式整流电路。本发明由于采用将整流电路设置成由至少四个高压LED芯片组连接组成的桥式整流电路,通过该桥式整...
郑树文范广涵张涛李述体宋晶晶喻晓鹏
文献传递
一种高显色指数大功率LED封装结构及其制造方法
一种高显色指数大功率LED封装结构及其制造方法,包括高导热基板、高散热材料块、大功率LED芯片和封装组件,其中所述高导热基板上开设有盲孔,所述高散热材料块安装在该盲孔内并通过高导热粘结剂与高导热基板粘合为一体。本发明由于...
熊建勇范广涵张涛郑树文张瀚翔张力赵芳宋晶晶丁彬彬
文献传递
散热基板为金刚石粉-铜粉复合材料的大功率发光二极管
本发明公开了散热基板为金刚石粉-铜粉复合材料的大功率发光二极管,包括LED芯片、透镜和金刚石粉-铜粉复合材料制成的散热基板;所述散热基板的下表面直接和空气接触,上表面设有凹坑,LED芯片通过固晶胶或金属共晶焊直接安置在散...
姚光锐范广涵郑树文张涛周德涛赵芳宋晶晶
文献传递
散热基板为类金刚石膜-铜复合材料的大功率发光二极管
本发明公开了散热基板为类金刚石膜-铜复合材料的大功率发光二极管,其包括LED芯片、透镜、反射杯和类金刚石膜-铜复合材料制成的散热基板,LED芯片位于反射杯中,透镜位于反射杯上方,散热基板的下表面直接和空气接触;LED芯片...
姚光锐范广涵郑树文张涛刘小平苏晨宋晶晶
散热基板为金刚石粉-铜粉复合材料的大功率发光二极管
本发明公开了散热基板为金刚石粉-铜粉复合材料的大功率发光二极管,包括LED芯片、透镜和金刚石粉-铜粉复合材料制成的散热基板;所述散热基板的下表面直接和空气接触,上表面设有凹坑,LED芯片通过固晶胶或金属共晶焊直接安置在散...
姚光锐范广涵郑树文张涛周德涛赵芳宋晶晶
共2页<12>
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