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严崐

作品数：3 被引量：23H指数：1
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇带隙
  • 2篇金线
  • 2篇晶片
  • 2篇抗辐射
  • 2篇宽带隙
  • 2篇高阻
  • 2篇辐射探测器
  • 1篇调制深度
  • 1篇通信
  • 1篇全光
  • 1篇全光开关
  • 1篇光开关
  • 1篇光纤
  • 1篇光纤通信
  • 1篇毫秒

机构

  • 3篇中山大学
  • 1篇华南理工大学

作者

  • 3篇严崐
  • 2篇黄丰
  • 2篇董美
  • 2篇季旭
  • 1篇佘卫龙
  • 1篇吴水珠
  • 1篇罗锻斌

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
毫秒有机聚合物薄膜全光开关被引量：23
2004年
用聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)和偶氮染料DR1以一定的比例混合 ,制成各向同性均匀薄膜样品。用经斩波器调制的线偏振氩离子激光 (5 14nm ,CW )作用样品产生光致双折射。作为探测光的线偏振氦氖激光 (6 33nm ,CW)经过样品 ,在与其原来偏振方向垂直的检偏器后的透射光强强度受控制光的调制作用 ,实现了光控光的全光开关效应。通过改变控制光的光功率及薄膜样品的温度 ,对样品的开关响应速度和开关调制深度进行了研究。在一定的实验条件下 ,用毫瓦量级的控制光功率实现了几个毫秒的开关响应速度和 6 0
罗锻斌严崐佘卫龙吴水珠
关键词：全光开关调制深度光纤通信
一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1.制备高电阻率单晶ZnO晶片；S2.在高电阻率单晶ZnO晶片的双侧蒸镀金属电极层；S3.将步骤S2处理后的晶片结合到电路板...
黄丰季旭董美严崐
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一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1.制备高电阻率单晶ZnO晶片；S2.在高电阻率单晶ZnO晶片的双侧蒸镀金属电极层；S3.将步骤S2处理后的晶片结合到电路板...
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