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董美

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇晶片
  • 2篇带隙
  • 2篇电阻率
  • 2篇退火
  • 2篇退火处理
  • 2篇金属
  • 2篇金属锂
  • 2篇金线
  • 2篇抗辐射
  • 2篇可重复性
  • 2篇宽带隙
  • 2篇高阻
  • 2篇恒流
  • 2篇恒流放电
  • 2篇放电
  • 2篇辐射探测器

机构

  • 4篇中山大学

作者

  • 4篇黄丰
  • 4篇董美
  • 4篇季旭
  • 2篇严崐

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用。该方法是将单晶ZnO晶片置于金属锂电化学装置中恒流放电处理后，放于800～1000℃、10～30atm的高压氧气气氛中退火处理20～28小时，得到所述高电阻率单晶氧化...
黄丰季旭董美
一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用。该方法是将单晶ZnO晶片置于金属锂电化学装置中恒流放电处理后，放于800～1000℃、10～30atm的高压氧气气氛中退火处理20～28小时，得到所述高电阻率单晶氧化...
黄丰季旭董美
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一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1.制备高电阻率单晶ZnO晶片；S2.在高电阻率单晶ZnO晶片的双侧蒸镀金属电极层；S3.将步骤S2处理后的晶片结合到电路板...
黄丰季旭董美严崐
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一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1.制备高电阻率单晶ZnO晶片；S2.在高电阻率单晶ZnO晶片的双侧蒸镀金属电极层；S3.将步骤S2处理后的晶片结合到电路板...
黄丰季旭董美严崐
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