刘柳
- 作品数：3 被引量：14H指数：1
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重大项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：经济管理理学一般工业技术电子电信更多>>
- ZrO_2掺杂及其工艺参数的对AC-PDP介质保护膜结晶取向的影响
- 2004年
- 在电子束蒸发镀膜工艺条件下,掺杂含量、基板温度和蒸镀速率都会对薄膜的结晶取向产生影响。掺杂含量会影响复合膜层的晶面取向和X射线衍射峰的强度,其中ZrO2掺杂比为0 2时,能获得相对最强的(111)晶面衍射峰。而对于复合介质保护膜的制备工艺,则是较低的基板温度和较高的蒸镀速率条件下,更容易形成(111)的晶面取向;较高的基板温度和较低的蒸镀速率条件下,则更容易形成(200)或(220)的晶面取向。
- 刘柳刘纯亮郭滨刚范玉峰夏星
- 关键词：等离子体显示板氧化锆
- 电子束蒸镀制备的Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的研究被引量：1
- 2005年
- 采用电子束蒸发制备Mg Zr O复合介质保护膜 ,使用X射线衍射测试Mg Zr O复合介质保护膜的结晶择优取向 ,研究了ZrO2 掺杂及工艺参数对Mg Zr O复合介质保护膜结晶取向的影响。结果表明 ,ZrO2 掺杂会使Mg Zr O复合介质保护膜产生晶格畸变 ,并改变其结晶取向。当ZrO2 掺杂比为 0和 0 .10时 ,晶格畸变较小 ,容易获得 (111)结晶取向 ;当ZrO2 掺杂比为0 .0 5和 0 .2 0时 ,晶格畸变较大 ,容易获得 (2 2 0 )或 (2 0 0 )结晶取向。蒸镀工艺对 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )取向的影响不尽相同 :较高的蒸镀速率有利于获得较强的 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )衍射峰 ;较低的基板温度有利于获得 (111)和 (2 2 0 )结晶取向 ,而较高的基板温度则有利于获得 (2 0 0 )结晶取向。
- 郭滨刚刘纯亮刘柳范玉峰夏星
- 关键词：复合介质ZRO2晶格畸变衍射电子束
- 高科技产品的研发管理战略被引量：13
- 2003年
- 高科技产品的研发与传统产品的研发相比 ,具有更大的技术风险、财务风险和市场风险 ,这使得高科技产品的研发管理具有较大的难度 ,因此制订恰当的、可执行的研发管理战略具有重要的意义。本文在研究新产品研发管理的基础上 ,针对我国高科技产品研发管理中存在的误区 ,提出了研发产品技术选择、研发技术管理、研发组织管理、研发风险管理、研发质量管理。
- 高杰刘柳蔡虹
- 关键词：研发管理管理战略
