夏星
- 作品数：12 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 垂直偏转线圈绕线机用数控程序的自动生成
- 本文介绍了一种用Visual Basic编写的垂直偏转线圈绕线机用数控程序的自动生成程序的编写方法和功能.该程序可以快速准确地将垂直偏转线圈绕线分布转化为绕线机用数控程序.
- 夏星吴胜利封学民
- 关键词：偏转线圈数控程序
- 文献传递
- 壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响
- 用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACP...
- 郭滨刚刘纯亮范玉锋夏星
- 关键词：壁电荷击穿电压ACPDP
- 文献传递
- 壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响
- 2005年
- 用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外 加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的 影响．实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高; 有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7．62 V升高到67．89 V,有壁 电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6．98 V到57．09 V;壁电荷增加会显著提高了放电 气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难．
- 郭滨刚刘纯亮范玉锋夏星
- 关键词：壁电荷击穿电压ACPDP
- 等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究被引量：1
- 2005年
- 为了研究等离子体显示器(PDP)中MgO介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不 同的基板温度和沉积速率下获得MgO介质保护膜,并利用X射线衍射分析及放电试验对其进行了研究．试验结 果表明:虽然各工艺下的MgO薄膜都只有(111)择优取向,但结构存在差异．少数工艺下得到的MgO的(111) 衍射峰的晶面间距变化很小,衍射峰强度较高,同时可获得最低的着火电压-132．2 V;而在其它的基板温度和 沉积速率下的MgO薄膜发生晶格畸变,(111)的晶面间距有1％以上的收缩,相应的衍射峰强度也低,而着火电 压均高于140 V．另外,较高的基板温度和沉积速率易导致MgO薄膜的晶格畸变．
- 夏星范玉锋郭滨刚刘纯亮
- 关键词：等离子体显示器电子束蒸发晶格畸变着火电压
- Sc_2O_3掺杂及其工艺参数对MgO介质保护膜性能的影响被引量：1
- 2007年
- MgO介质保护膜掺杂可以改变其性能,基于这一现象,本文利用电子束加热蒸镀法,在多种掺杂比和多种工艺条件下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用扫描电子显微镜(SEM)对制备的复合介质保护膜样品的进行了微观表征,并且,利用宏单元气体放电实验屏研究了介质保护膜的气体放电特性。结果表明:与纯MgO介质保护膜相比,掺杂Sc2O3的介质保护膜具有较好的性能。
- 范玉锋夏星刘纯亮张劲涛
- 关键词：等离子体显示器保护膜着火电压
- ZrO_2掺杂及其工艺参数的对AC-PDP介质保护膜结晶取向的影响
- 2004年
- 在电子束蒸发镀膜工艺条件下,掺杂含量、基板温度和蒸镀速率都会对薄膜的结晶取向产生影响。掺杂含量会影响复合膜层的晶面取向和X射线衍射峰的强度,其中ZrO2掺杂比为0 2时,能获得相对最强的(111)晶面衍射峰。而对于复合介质保护膜的制备工艺,则是较低的基板温度和较高的蒸镀速率条件下,更容易形成(111)的晶面取向;较高的基板温度和较低的蒸镀速率条件下,则更容易形成(200)或(220)的晶面取向。
- 刘柳刘纯亮郭滨刚范玉峰夏星
- 关键词：等离子体显示板氧化锆
- 等离子体显示器中MgO介质保护膜结构和放电性能研究
- 为了研究等离子体显示器（PDP）中MgO 介质保护膜的结构及其放电特性,通过电子束蒸发沉积,在不同的基板温度和沉积速率下获得MgO 介质保护膜,并利用X 射线衍射分析及放电试验对其进行了研究。试验结果表明:虽然各工艺下的...
- 夏星范玉锋郭滨刚刘纯亮
- 关键词：等离子体显示器电子束蒸发晶格畸变着火电压
- 文献传递
- 具有角度控制的等离子体显示屏介质保护膜形成装置
- 具有角度控制的等离子体显示屏介质保护膜形成装置，包括镀膜室，其上方设置有基板传输机构和加热器，其开口处设置开口板，其内部设置环形炉床，镀膜室的壁上与炉床对应处设置电子枪，在镀膜室内还设置有角度控制装置。本发明由于采用了角...
- 范玉锋刘纯亮夏星曹瑞林贾云涛
- 文献传递
- 电子束蒸镀制备的Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的研究被引量：1
- 2005年
- 采用电子束蒸发制备Mg Zr O复合介质保护膜 ,使用X射线衍射测试Mg Zr O复合介质保护膜的结晶择优取向 ,研究了ZrO2 掺杂及工艺参数对Mg Zr O复合介质保护膜结晶取向的影响。结果表明 ,ZrO2 掺杂会使Mg Zr O复合介质保护膜产生晶格畸变 ,并改变其结晶取向。当ZrO2 掺杂比为 0和 0 .10时 ,晶格畸变较小 ,容易获得 (111)结晶取向 ;当ZrO2 掺杂比为0 .0 5和 0 .2 0时 ,晶格畸变较大 ,容易获得 (2 2 0 )或 (2 0 0 )结晶取向。蒸镀工艺对 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )取向的影响不尽相同 :较高的蒸镀速率有利于获得较强的 (111)、(2 0 0 )和 (2 2 0 )衍射峰 ;较低的基板温度有利于获得 (111)和 (2 2 0 )结晶取向 ,而较高的基板温度则有利于获得 (2 0 0 )结晶取向。
- 郭滨刚刘纯亮刘柳范玉峰夏星
- 关键词：复合介质ZRO2晶格畸变衍射电子束
- 具有角度控制的等离子体显示屏介质保护膜形成装置
- 具有角度控制的等离子体显示屏介质保护膜形成装置，包括镀膜室，其上方设置有基板传输机构和加热器，其开口处设置开口板，其内部设置环形炉床，镀膜室的壁上与炉床对应处设置电子枪，在镀膜室内还设置有角度控制装置。本发明由于采用了角...
- 范玉锋刘纯亮夏星曹瑞林贾云涛
- 文献传递
