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吴中亮

作品数:6 被引量:64H指数:3
供职机构:北京科技大学冶金与生态工程学院更多>>
发文基金:北京市科委科技计划项目更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学自然科学总论更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 2篇导电薄膜
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇刀具
  • 1篇刀具涂层
  • 1篇电阻率
  • 1篇织构
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇数对
  • 1篇铜带
  • 1篇透光率
  • 1篇涂层
  • 1篇气相沉积
  • 1篇物理气相沉积

机构

  • 6篇北京科技大学
  • 1篇北京京东方光...

作者

  • 6篇吴中亮
  • 6篇马瑞新
  • 6篇康勃
  • 5篇王目孔
  • 4篇林炜
  • 1篇薛建设

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇表面技术
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇硬质合金
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
转底炉法制备细晶粒铜最佳条件的研究
2008年
作为半导体用的铜靶材,其晶粒大小严重影响溅镀薄膜的品质,靶材晶粒的细化技术成为关键。依据转底炉法原理制备了一种片状铜,并对其晶粒尺寸的变化进行了研究,通过分析发现:坩埚底孔直径越小,底转盘转速越快,底转盘传热越好;在底转盘冷却效果好的情况下,下落点离底转盘的边缘越近,铜带的晶粒越小。
吴中亮马瑞新艾琳汪春平孙鹏张亚东康勃王目孔
关键词:铜带晶粒尺寸
(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究被引量:15
2007年
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10-2Ω.cm,且可见光段(320~800nm)平均透过率达到85%的ZnO透明导电薄膜。在150℃的条件下对(Al,Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10-3Ω.cm。Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性。
薛建设林炜马瑞新康勃吴中亮
关键词:透明导电薄膜电阻率透光率射频磁控溅射
现代刀具涂层制备技术的研究现状被引量:23
2008年
刀具涂层是一种机床工具行业的重要材料,其性能直接影响数控机床的机械加工精度。概述了刀具涂层材料的特点、要求及涂层制备技术的发展,分析了化学气相沉积法、物理气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法及溶胶-凝胶法等几种涂层制备方法的优缺点。结合国内外刀具涂层的研究现状及发展趋势,指出在大力发展化学气相沉积涂层和物理气相沉积涂层技术的同时,开发两者相结合的新型工艺,推动国内刀具涂层技术的快速发展。
康勃马瑞新吴中亮王目孔林炜
关键词:刀具涂层化学气相沉积物理气相沉积溶胶-凝胶
TiAlN硬质薄膜/涂层材料的研究进展被引量:25
2008年
概述了TiAlN硬质薄膜/涂层材料的基本性质、应用及制备技术的发展。介绍了国内外利用磁控溅射法(MS)、空心阴极离子镀(HCD)、多弧离子镀等镀膜工艺制备TiAlN硬质薄膜材料的最新研究进展。TiAlN薄膜应用于切削加工、航空、航天和模具中的优良性能。
王目孔马瑞新林炜康勃吴中亮
双向脉冲电镀工艺参数对Na_2WO_4-ZnO-WO_3熔盐镀钨层织构的影响被引量:3
2009年
采用双向脉冲电镀工艺镀钨,并对工艺参数影响镀钨层织构进行研究.首次采用(222)不完整极图对钼片基体上的钨镀层织构进行研究.结果表明:钨镀层具有为{001}<110>织构;工艺条件的变化对镀层织构的影响主要体现在织构的散漫程度随着脉冲周期和迭加直流分量的增加而增加.金相和SEM观察均表明镀层为微观不平整表面,并借助表面的数据对钨镀层的形貌进行解释.
马瑞新林炜吴中亮康勃王目孔
关键词:脉冲镀
退火气氛对Al-F共掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响被引量:1
2011年
用射频磁控溅射法制备了Al-F共掺杂ZnO(ZnO(Al,F))透明导电薄膜,研究了不同退火气氛对ZnO(Al,F)薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明:在真空和还原性气氛中退火后的薄膜透光率呈现'蓝移'趋势,在空气中退火处理后的薄膜透光率则表现为'红移';在真空中,400℃×60min的退火处理,使ZnO(Al,F)薄膜的电阻率降低至1.41×10^(-3)Ω·cm,透光率则上升到93%以上,有效提高了薄膜的光电特性;所有退火气氛下,薄膜均具有(002)单一择优取向的多晶六方纤锌矿结构;薄膜的晶粒尺寸为25~30nm。
马瑞新王海峰王目孔康勃吴中亮
关键词:透明导电薄膜射频磁控溅射
共1页<1>
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