吴磊
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学机械工程更多>>
- 晶体实现软伽马射线劳厄透镜衍射的研究
- 2010年
- 晶体是劳厄透镜允许的基本结构。阐述了劳厄透镜原理以及符合条件的晶体范围,对3种不同晶体衍射特性进行对比,包括梯度SiGe、Cu和Au,指出研究结果,提出Si1-xGex的生产有非常令人满意的结果。
- 周传月刘峰韩焕鹏吴磊
- 关键词：布拉格衍射SI1-XGEX
- 碳/碳复合材料在半导体制造行业的应用被引量：1
- 2010年
- 通过对C/C复合材料力学性、断裂性、导热性、热弯曲强度、氧化性及烧蚀性几方面性能进行详细归纳,总结出其具有其他材料不可替代的独特性能。深入解析了C/C复合材料在单晶硅制造中作为热场材料应用的可能性乃至必要性,提出C/C复合材料终将取代石墨材料成为制造大型单晶炉隔热部件的首选材料。
- 吴磊刘峰韩焕鹏杨丹丹周传月
- 关键词：C/C复合材料隔热材料
- 密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究被引量：1
- 2011年
- 在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻〈111〉晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对〈111〉晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析。通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度。从而避免了〈111〉晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度,同时有利于消除晶体的漩涡缺陷。
- 刘锋韩焕鹏李丹王世援吴磊周传月莫宇
- 关键词：硅单晶直拉法
