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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇清洗液
  • 2篇硅片
  • 1篇衍射
  • 1篇润湿
  • 1篇润湿角
  • 1篇碳复合材料
  • 1篇伽马射线
  • 1篇烷基苯
  • 1篇烷基苯磺酸
  • 1篇烷基苯磺酸盐
  • 1篇晶体
  • 1篇磺酸
  • 1篇磺酸盐
  • 1篇活性剂
  • 1篇隔热
  • 1篇隔热材料
  • 1篇复合材料
  • 1篇SI1-XG...
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇韩焕鹏
  • 4篇刘峰
  • 2篇吴磊
  • 2篇周传月
  • 2篇莫宇
  • 1篇杨丹丹
  • 1篇陈琪昊
  • 1篇吕菲
  • 1篇张颖武

传媒

  • 2篇天津科技
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2011
  • 2篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
清洗液温度及浓度对硅研磨片清洗效果的影响被引量:3
2011年
超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。得出清洗液温度和清洗液浓度不是越高越好,在某一具体工艺下,都存在一个适宜范围,在适宜范围内,硅片的清洗效果相对较好,同时研究了清洗时间对硅研磨片清洗效果的影响。
陈琪昊吕菲刘峰韩焕鹏莫宇
关键词:硅片超声波清洗
一种新型的硅片研磨后清洗液被引量:1
2020年
基于硅片研磨后清洗工艺的方法和原理,通过分析硅片在加工过程中污染物的种类和硅片表面的吸附性质,配制出由氢氧化钾、烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚为原材料构成的清洗剂。分析了清洗剂原材料溶于水后的吸附状态,确定三种原材料的质量比为10∶2∶2。为减小清洗后硅片的表面粗糙度和表面划痕损伤,确定了最佳的硅片清洗温度为65℃,清洗剂原材料溶于水后配制的清洗液的pH值为10.5,清洗时间为180 s。新型清洗液与传统硅片清洗液的对比实验表明,采用新的清洗液可明显降低硅片表面粗糙度,改善硅片表面划痕处的腐蚀损伤。
李明智韩焕鹏常耀辉张颖武莫宇刘峰
关键词:表面活性剂烷基苯磺酸盐粗糙度润湿角
晶体实现软伽马射线劳厄透镜衍射的研究
2010年
晶体是劳厄透镜允许的基本结构。阐述了劳厄透镜原理以及符合条件的晶体范围,对3种不同晶体衍射特性进行对比,包括梯度SiGe、Cu和Au,指出研究结果,提出Si1-xGex的生产有非常令人满意的结果。
周传月刘峰韩焕鹏吴磊
关键词:布拉格衍射SI1-XGEX
碳/碳复合材料在半导体制造行业的应用被引量:1
2010年
通过对C/C复合材料力学性、断裂性、导热性、热弯曲强度、氧化性及烧蚀性几方面性能进行详细归纳,总结出其具有其他材料不可替代的独特性能。深入解析了C/C复合材料在单晶硅制造中作为热场材料应用的可能性乃至必要性,提出C/C复合材料终将取代石墨材料成为制造大型单晶炉隔热部件的首选材料。
吴磊刘峰韩焕鹏杨丹丹周传月
关键词:C/C复合材料隔热材料
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