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夏令

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇随机存取
  • 2篇随机存取存储...
  • 2篇驻极体
  • 2篇转子
  • 2篇转子轴
  • 2篇海量
  • 2篇存储器
  • 2篇存储器单元
  • 2篇存取
  • 1篇电路
  • 1篇双栅
  • 1篇双栅MOSF...
  • 1篇阈值电压
  • 1篇阈值电压模型
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片制造
  • 1篇离子束
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米级
  • 1篇聚焦离子束

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇夏令
  • 3篇甘学温
  • 2篇吴文刚
  • 2篇王阳元
  • 2篇郝一龙
  • 1篇张兴

传媒

  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2003
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
杂质随机分布对双栅MOSFET的影响
基于双栅MOSFET的阈值电压模型,从理论上推导出沟道区杂质数统计涨薄引起阈值电压变化的标准偏差.利用二维数值模拟研究了杂质涨薄引起的阈值电压变化与器件参数的关系,模拟结果与理论模型的预测基本一致.通过模拟垂直于沟道方向...
甘学温夏令张兴
关键词：双栅MOSFET阈值电压模型
文献传递
纳机电非易失随机存取存储器
本发明涉及一种纳机电非易失随机存取存储器，其特征在于：它主要包括设置在芯片衬底上的海量纳米级存储单元和键合在衬底上方的玻璃；每个存储单元包括一通过转子轴支撑在存储单元中心的驻极体转子，该转子两端的衬底上设有一对电极；在衬...
夏令吴文刚甘学温郝一龙王阳元
文献传递
纳机电非挥发随机存取存储器
本发明涉及一种纳机电非挥发随机存取存储器，其特征在于：它主要包括设置在芯片衬底上的海量纳米级存储单元和键合在衬底上方的玻璃；每个存储单元包括一通过转子轴支撑在存储单元中心的驻极体转子，该转子两端的衬底上设有一对电极；在衬...
夏令吴文刚甘学温郝一龙王阳元
文献传递
聚焦离子束新型纳米加工技术及相关工艺机理研究
本文从理论上和实验上研究了基于FIB-SIT的三维纳米加工工艺方法及机理：运用有序的FIB应力引入(即表面浅刻蚀)阵列，能够灵活地控制纳米级厚度悬臂结构表面的应力分布，从而在纳米尺度控制其离面弯曲。文章应用这种工艺方法成...
夏令
关键词：集成电路芯片制造聚焦离子束
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