您的位置： 专家智库 > 作者详情>孟茜倩

孟茜倩

作品数：2 被引量：5H指数：1
供职机构：华东师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇直流
  • 1篇直流模型
  • 1篇非线性
  • 1篇非线性模型
  • 1篇CMOS器件
  • 1篇FET模型
  • 1篇MESFET
  • 1篇MOSFET...

机构

  • 2篇华东师范大学

作者

  • 2篇孟茜倩
  • 1篇高建军
  • 1篇程加力

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
相关度排序
基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术被引量：5
2012年
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以及采用这6个模型仿真MOSFET直流特性时的RMS误差结果来看,这6个常用的MESFET非线性模型可以表征MOSFET的直流特性,参数越多模型精度越高。
孟茜倩程加力高建军
关键词：CMOS器件MOSFET模型直流模型
深亚微米MOSFET建模技术研究
无线通信领域对集成电路（IC）的巨大需求推动了半导体产业的快速发展,随着CMOS工艺的迅速发展,以及MOS器件截止频率不断提高,MOSFET的研究得到越来越多人的关注。半导体器件建模是连接起电路设计和制造技术的一个重要环...
孟茜倩
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0