程加力
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：淮海工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 纳米MOSFET微波射频建模和参数提取技术
- 主要介绍了纳米MOSFET器件微波射频建模和参数提取技术的最新研究进展。建模技术主要包括小信号等效电路模型和噪声模型，参数提取技术主要包括寄生元件，本征元件和噪声参数确定技术，并利用实验验证了建模和参数提取技术的正确性。
- 高建军程加力王皇韩波
- 《高频电子线路》课程教学改进与探索研究
- 2014年
- 本文结合无线通信技术发展背景探讨了《高频电子线路》课程目前的教学现状,针对教学目标、教学方法等方面提出了一些观点和看法,认为应该根据社会主流通信技术的发展调整教学内容。
- 程加力胡全斌
- 关键词：高频电子线路教学改革无线通信
- 射频微波MOS器件参数提取与建模技术研究
- 随着深亚微米CMOS工艺的不断发展,器件特征尺寸不断减小,MOSFET器件的截止频率也越来越高,已经超过了100GHz,在市场上已经有越来越多的射频集成电路采用CMOS工艺。与双极性硅工艺、HBT工艺、MESFET和HE...
- 程加力
- 关键词：在片测试
- 文献传递
- 浅述射频微波集成电路在片去嵌技术
- 2014年
- 本文介绍了用于射频微波集成电路在片测试的去嵌技术,包括开路去嵌法、开路短路去嵌法以及焊盘开路短路去嵌法,比较了常用的开路去嵌法和开路短路去嵌法的去嵌结果以及两种去嵌方法的适用范围。
- 程加力胡全斌
- 关键词：在片测试
- 基于PHEMT器件精确建模的微波毫米波单片低噪声放大器关键技术及应用
- 高建军吴洪江魏洪涛刘永强魏碧华程加力
- 基于Ⅲ-Ⅴ族pHEMT器件的微波毫米波单片集成工艺技术可将低噪声放大器电路以芯片的形式实现，进而提升高频整机系统的性能，实现系统的小型化。该项目针对各典型应用频段的低噪声放大器芯片集成度高、噪声低、功耗低和工作频率高等特...
- 关键词：
- 一种低增益波动模拟矢量相加移相器的设计被引量：2
- 2016年
- 提出了一种应用于模拟矢量相加移相器中增益控制模块的新型反馈电路,以减少增益波动。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行了原理图与版图设计,可在2~3GHz频率范围内工作,版图尺寸为0.7 mm×0.64 mm。仿真结果显示,在2.45GHz频率处,该电路的插入损耗小于8dB,输入1dB压缩点P1dB为2dBm,增益波动小于0.7dB,优于目前已发表文献中的同类电路。
- 田学农刘传洋孙云飞程加力
- 关键词：移相器多相滤波器差分放大器
- 基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术被引量：5
- 2012年
- 常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以及采用这6个模型仿真MOSFET直流特性时的RMS误差结果来看,这6个常用的MESFET非线性模型可以表征MOSFET的直流特性,参数越多模型精度越高。
- 孟茜倩程加力高建军
- 关键词：CMOS器件MOSFET模型直流模型
- 基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术被引量：2
- 2011年
- STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。
- 程加力韩波李寿林翟国华高建军
- 关键词：等效电路模型GAAS直流模型
- 一种改进的射频微波MOSFET模型参数提取技术
- 本文介绍了一种改进的提取RFMOSFET小信号等效电路模型中的栅、源、漏极寄生电阻的方法,并根据这种方法提取了模型的寄生参数和本征参数。频率高达40GHz的测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度。RF MOSF...
- 程加力李寿林韩波翟国华孙玲高建军
- 关键词：等效电路模型
- 文献传递
