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尚海平

作品数：53 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 16篇感器
  • 16篇传感
  • 16篇传感器
  • 13篇压力传感器
  • 13篇力传感器
  • 13篇面阵
  • 13篇衬底
  • 9篇红外
  • 9篇掺杂
  • 8篇压阻
  • 8篇阵列
  • 8篇平面阵
  • 8篇平面阵列
  • 8篇微细加工
  • 8篇红外成像
  • 8篇非制冷
  • 8篇非制冷红外
  • 8篇非制冷红外成...
  • 7篇硅化物
  • 6篇悬臂

机构

  • 53篇中国科学院微...

作者

  • 53篇尚海平
  • 24篇陈大鹏
  • 23篇王玮冰
  • 19篇刘瑞文
  • 17篇焦斌斌
  • 15篇李志刚
  • 12篇王英辉
  • 9篇高超群
  • 8篇叶甜春
  • 7篇徐秋霞
  • 7篇傅剑宇
  • 5篇李婷
  • 5篇孙业超
  • 3篇欧文
  • 3篇欧毅

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 12篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 10篇2013
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 53 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件和制作方法
本申请提供了一种半导体器件和制作方法。该半导体器件包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的表面上；电极层，位于第一绝缘层的远离衬底的表面上；第二绝缘层，位于电极层的远离第一绝缘层的表面上，第二绝缘层具有间隔设置的多个通孔，各通...
尚海平曹治王英辉王玮冰
半导体器件与其制作方法
本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该半导体器件包括：具有凹槽的第一电极层；介质层，位于凹槽的表面上以及凹槽两侧的第一电极层的表面上，介质层具有电极接触通孔；第二电极层，位于介质层的远离第一电极层的一侧，且第二电极层...
王英辉尚海平王玮冰
文献传递
一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器
本发明实施例提供一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，包括透明衬底（1）以及以非嵌套的方式平铺在所述透明衬底（1）上的多个微悬臂梁单元（2）；所述透明衬底（1）对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透...
高超群焦斌斌刘瑞文尚海平陈大鹏叶甜春
文献传递
张应力LPCVD SiO<Sub>2</Sub>膜的制造方法
本发明公开了一种张应力LPCVD？SiO<Sub>2</Sub>膜的制造方法，包括：在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO<Sub>2</Sub>膜，F1＜0；对压应力SiO<Sub>2</Sub>膜注入掺杂...
尚海平焦斌斌刘瑞文陈大鹏李志刚卢迪克
文献传递
一种连续太赫兹波成像系统及其方法
本发明提供一种连续太赫兹波成像系统，其中包括：连续太赫兹辐射源；样品台；太赫兹焦平面阵列；光学系统；相机；计算机；并且连续太赫兹波成像系统还包括连续太赫兹辐射源和样品台之间的调制器，用于调制太赫兹连续波的光强。本发明还提...
傅剑宇尚海平李志刚王玮冰陈大鹏
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一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器
本发明实施例提供了一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，包括：透明衬底、具有高热导系数的衬底传热结构和微悬臂梁单元，其中，所述微悬臂梁单元以嵌套的方式通过所述衬底传热结构平铺于所述透明衬底上；所述微悬臂梁单元包括热形变结构...
高超群焦斌斌刘瑞文尚海平陈大鹏叶甜春
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硅腐蚀局部终止层制作方法
本发明公开了一种硅腐蚀局部终止层制作方法，包括：在含硅的衬底中形成双槽结构，双槽结构之间的衬底构成硅基热沉；对双槽结构底部进行垂直离子注入；执行高温激活和扩散工艺，使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区，所述重掺...
尚海平焦斌斌刘瑞文陈大鹏李志刚卢迪克
文献传递
一种SiC压力传感器
本发明公开了一种SiC压力传感器，本发明技术方案所述SiC压力传感器中，一方面，将压阻条设置在第二区域内，可以与现有SiC压力传感器一样使得压阻条位于承压膜片对应压力腔的开口边线附近区域，实现输出电压的最大化，另一方，设...
尚海平孙业超王英辉王玮冰
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半导体器件和制作方法
本申请提供了一种半导体器件和制作方法。该半导体器件包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的表面上；电极层，位于第一绝缘层的远离衬底的表面上；第二绝缘层，位于电极层的远离第一绝缘层的表面上，第二绝缘层具有间隔设置的多个通孔，各通...
尚海平曹治王英辉王玮冰
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硅腐蚀局部终止层制作方法
本发明公开了一种硅腐蚀局部终止层制作方法，包括：在含硅的衬底中形成双槽结构，双槽结构之间的衬底构成硅基热沉；对双槽结构底部进行垂直离子注入；执行高温激活和扩散工艺，使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区，所述重掺...
尚海平焦斌斌刘瑞文陈大鹏李志刚卢迪克
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