展长勇
- 作品数：34 被引量：19H指数：3
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种新型多孔硅及其制备方法
- 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电...
- 展长勇任丁邹宇刘波林黎蔚黄宁康
- 一种MIPM型内场发射阴极
- 本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下...
- 邹宇展长勇林黎蔚任丁刘波黄宁康肖婷
- 腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究被引量：3
- 2013年
- 采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。
- 蒋稳邹宇伍建春展长勇朱敬军安竹杨斌黄宁康
- 关键词：中子探测器电化学刻蚀形貌
- 一种ZnSe红外增透膜及其制备方法
- 一种红外增透膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。以3～12μm为中心波长λ<Sub>0</Sub>，在ZnSe基体(1)上顺次制备高折射率(2)和低折射率(3)的λ<Sub>0</Sub>/4～λ<Sub>0</Sub>/...
- 黄宁康展长勇汪德志
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- 一种基于回旋加速器的乏燃料萃取剂α粒子辐照系统及其辐照方法
- 本发明公开了一种基于回旋加速器的乏燃料萃取剂α粒子辐照系统及其辐照方法，该辐照系统包括依次连接的回旋加速器、束流降能与传输系统、固体/液体萃取剂辐照靶室以及在线测量与控制系统；固体/液体萃取剂辐照靶室包括真空室以及安装于...
- 杨吉军刘宁李智慧冯文杨远友廖家莉李飞泽展长勇
- 文献传递
- 一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法
- 本发明公开了一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法：在单晶硅片基体内，形成柱形氧化硅并封闭直孔空腔，表面覆盖氧化硅；首先采用电化学刻蚀制备自封闭的多孔硅，再置于镁和水的条件下缓慢氧化，即可形成嵌入单晶硅的自封闭氧...
- 展长勇邹宇刘波任丁林黎蔚
- 文献传递
- 一种微型氚电池及其制备方法
- 本发明公开了一种微型氚电池，由若干层氚电池单元、防护材料、外壳和电极构成，其中氚电池单元是由单晶硅及其内部的氚化纳米多孔硅构成，即可减少放射源自吸收，又提高了单晶硅的利用效率。本发明公开的该微型氚电池的方法，采用电化学刻...
- 展长勇邹宇任丁伍建春刘波
- 文献传递
- 多孔硅表面磁控溅射沉积钛膜的形貌研究
- 采用磁控溅射的方法来分别在随机刻蚀的多孔硅和孔径2.5μm、12μm、15μm的多孔硅阵列上沉积钛膜。分别讨论了加偏压和不加偏压条件下沉积的钛膜的形貌,及多孔硅的刻蚀形貌对钛膜的影响。研究表明:未加偏压时,钛膜在多孔硅阵...
- 展长勇蒋稳邹宇任丁伍建春黄宁康
- 关键词：多孔硅磁控溅射偏压
- 文献传递
- 一种MIPM型内场发射阴极
- 本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下...
- 邹宇展长勇林黎蔚任丁刘波黄宁康肖婷
- 文献传递
- 三维方孔硅探测器的热中子探测影响研究
- 2017年
- 采用基于Monte-Carlo方法的Geant4程序对填充~6LiF中子转换材料的三维方孔硅探测器的热中子探测进行了模拟,研究了探测器结构与探测效率、能量沉积谱的关系。探究了方孔截面尺寸、孔间距、孔深度、系统最小可探测限(LLD)等参数对热中子探测效率的影响。研究结果表明,探测效率随截面尺寸或孔间距的增大先增加后减小,随孔深度的增加而增大,直到一个极限值。经优化结构参数,在LLD为300 keV的情况下,孔间距大于6μm的三维方孔硅探测器的探测效率受LLD的影响较小。理论上,三维方孔硅探测器的最佳尺寸为孔间距6μm、孔截面尺寸30μm、孔深度1 mm,其探测效率可达59.5%。
- 刘彪展长勇伍建春邹宇
- 关键词：GEANT4硅
