邹宇
- 作品数：27 被引量：2H指数：1
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学医药卫生电气工程电子电信更多>>
- 一种MIPM型内场发射阴极
- 本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下...
- 邹宇展长勇林黎蔚任丁刘波黄宁康肖婷
- 文献传递
- 钨中不同构型的双自间隙原子扩散行为研究被引量：1
- 2019年
- 钨作为一种重要的核材料,在辐射环境下的微观演化行为与自间隙原子缺陷的扩散行为密切相关.研究不同构型自间隙原子的扩散行为有助于全面理解材料的微观演化过程.本文采用分子动力学方法重点考察了钨中具有不同构型的双自间隙原子随温度变化的扩散行为.结果表明:彼此互为最近邻的<111>双自间隙原子,随着温度的升高,从一维扩散演变成三维扩散,在<111>方向保持稳定的最近邻结构;次近邻<111>双自间隙原子在一定温度范围内沿<111>方向一维扩散,当温度高于600 K将解离成两个独立运动的自间隙原子;而三近邻结构在温度高于300 K就将解离.非平行结构的双自间隙原子在一定温度范围内形成固着性结构,几乎不移动,但在温度高于1000 K时将转化成移动性缺陷.通过将微动弹性带算法获得的自间隙原子迁移能与阿伦尼乌斯关系拟合的结果进行对比,表明了钨中单自间隙原子和双自间隙原子的扩散系数随温度的变化规律不适于用阿伦尼乌斯关系来描述,而线性关系则能合理地描述这一规律.
- 冉琴王欢钟睿伍建春邹宇汪俊
- 关键词：辐照损伤分子动力学模拟
- 一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源
- 一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源，属于小型特种离子源技术领域。主要包括：场发射阵列、泡沫金属活性薄板和加速极。泡沫金属活性薄板通过绝缘材料隔离后，放置于场发射阵列之上，其表面与场发射阵列表面平行，加速极置于泡沫金...
- 邹宇展长勇伍建春
- 文献传递
- 一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法
- 本发明公开了一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法：在单晶硅片基体内，形成柱形氧化硅并封闭直孔空腔，表面覆盖氧化硅；首先采用电化学刻蚀制备自封闭的多孔硅，再置于镁和水的条件下缓慢氧化，即可形成嵌入单晶硅的自封闭氧...
- 展长勇邹宇刘波任丁林黎蔚
- 文献传递
- 一种染料敏化太阳能电池阳极及其制备方法
- 本发明属于染料敏化太阳能电池材料领域，涉及一种染料敏化太阳能电池(DSSC)的阳极薄膜及其制备方法。阳极为(101)择优生长的锐钛矿晶型TiO<Sub>2</Sub>多孔薄膜；TiO<Sub>2</Sub>颗粒横截面为椭...
- 黄宁康邹宇王治安兰晓华
- 文献传递
- 第一性原理研究Zr的掺杂对Xe在UO2中溶解能力的影响
- 2018年
- Zr既是反应堆中核燃料组件的包壳材料,也是核燃料UO_2的一种裂变产物,不可避免地会掺杂到UO_2中,对其性质等产生一定的影响.本文通过第一性原理密度泛函理论计算,研究了Zr掺杂所引起的Xe在UO_2中溶解能力的变化.首先应用引入Hubbard U修正的广义梯度近似密度泛函计算了U,O间隙和空位缺陷的形成能,结果与文献值符合,验证了计算方法的可靠性.在此基础上对Zr掺杂后空位缺陷的形成能及Xe吸附到空位缺陷所需的结合能的变化情况进行了研究.结果表明,Zr的掺杂会增加空位缺陷的形成能,减小大部分Xe吸附的结合能,且空位缺陷形成能的变化量普遍更大,从而在整体上增加了Xe在UO_2中的溶解能.说明在UO_2中,Zr掺杂主要是通过增加缺陷的形成难度而减弱了Xe在其中的溶解能力.
- 张仲王欢王开元安欢刘彪伍建春邹宇
- 关键词：UO2ZRXE
- 碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究
- 2022年
- 碳化硅(SiC)由于性能优异,已广泛应用于核技术领域.在辐照环境下,载能入射粒子可使材料中的原子偏离晶体格点位置,进而产生过饱和的空位、间隙原子、错位原子等点缺陷,这些缺陷将改变材料的热物性能,劣化材料的服役性能.因此,本文利用平衡分子动力学方法(Green-Kubo方法)采用Tersoff型势函数研究了点缺陷对立方碳化硅(β-SiC或3C-SiC)热传导性能的影响规律.研究过程中考虑的点缺陷包括:Si间隙原子(Si_(I))、Si空位(Si_(V))、Si错位原子(Si_(C))、C间隙原子(C_(I))、C空位(C_(V))和C错位原子(C_(Si)).研究结果表明,热导率(λ)随点缺陷浓度(c)的增加而减小.在研究的点缺陷浓度范围(点缺陷与格点的比例范围为0.2%-1.6%),额外热阻率(ΔR=R_(defect)–R_(perfect),R=1/λ,R_(defect)为含缺陷材料的热阻率,R_(perfect)为不含缺陷材料的热阻率)与点缺陷的浓度呈线性关系,其斜率为热阻率系数.研究表明:空位和间隙原子的热阻率系数高于错位原子的热阻率系数;高温下点缺陷的热阻率系数高于低温下点缺陷的热阻率系数;Si空位和Si间隙原子的热阻率系数高于C空位和C间隙原子的热阻率系数.这些结果有助于预测及调控辐照条件下碳化硅的热传导性能.
- 王甫周毅高士鑫段振刚孙志鹏汪俊邹宇付宝勤
- 关键词：碳化硅热导率分子动力学点缺陷
- 一种微型氚电池及其制备方法
- 本发明公开了一种微型氚电池，由若干层氚电池单元、防护材料、外壳和电极构成，其中氚电池单元是由单晶硅及其内部的氚化纳米多孔硅构成，即可减少放射源自吸收，又提高了单晶硅的利用效率。本发明公开的该微型氚电池的方法，采用电化学刻...
- 展长勇邹宇任丁伍建春刘波
- 文献传递
- 一种新型多孔硅及其制备方法
- 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电...
- 展长勇任丁邹宇刘波林黎蔚黄宁康
- 电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响
- 2019年
- 采用光电化学刻蚀方法,在电阻率为4～5 kΩ·cm的n-型[100]单晶硅片上制备了厚壁有序宏孔硅阵列。通过对比有限元法模拟诱导坑周围的电场分布,研究了刻蚀参数(电解液、光照、电压)对阵列表面形貌的影响。在刻蚀成孔的过程中,诱导坑对孔的限制受电场分布和实验条件的共同影响,出现刻蚀偏离的现象。模拟结果显示,诱导坑上的电场强度沿着单晶硅的[100]和[110]晶向的分布。这种分布的结果是,随着光照强度的提高和刻蚀溶液表面自由能的降低刻蚀由原光刻图形的(110)面向(100)面偏离。提高刻蚀电压可抑制刻蚀偏离,有利于诱导坑快速刻蚀成孔,从而形成规整的厚壁宏孔硅阵列。
- 安欢伍建春张仲王欢孙华展长勇邹宇
- 关键词：表面形貌
