岳光辉
- 作品数：10 被引量：24H指数：3
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：甘肃省自然科学基金国家自然科学基金教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 多晶氮化铜薄膜制备及性能研究被引量：12
- 2005年
- 采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17～26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变.
- 岳光辉闫鹏勋刘金良
- 关键词：热稳定性电阻率
- 氮化铜薄膜的半导体特性
- 本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜（Cu3N）纳米薄膜。运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的Cu3N薄膜是一种n型半导体,禁带宽度约为 1．18-2．6eV．
- 岳光辉王明旭渠冬梅闫鹏勋
- 关键词：电阻率
- 文献传递
- 弯曲碳纳米管表面包覆偏硼酸锌单晶及其矫直碳管之机理
- 2006年
- 国际上首次在多壁碳纳米管表面生长了偏硼酸锌单晶包覆层．通过SEM,TEM观察,发现包覆后的碳纳米管-偏硼酸锌单晶复合棒直径从几十到几百纳米不等．值得注意的是原本弯曲的碳纳米管在单晶包覆后变直了．结合实验结果,建立了一个二维模型,对晶体在碳管表面成核及生长进行了解释,并探讨了弯曲碳管被矫直的机理．
- 刘金章闫鹏勋岳光辉
- 关键词：多壁碳纳米管单晶过冷度
- 溶剂热法合成CoS_2纳米粉体被引量：5
- 2007年
- 本文采用溶剂热法,以CoC l2.6H2O、Na2S.9H2O为原料,乙二醇和无水乙醇为溶剂,在180℃恒温下制备出CoS2纳米粉体。用XRD和SEM、TEM对其组成、粒径大小、表面形貌进行表征,用VSM对其铁磁性进行测量。结果表明,制得的CoS2为粒度均匀、粒径分布在10～50nm之间的球形铁磁性纳米材料。
- 王明旭岳光辉耿中荣渠冬梅闫鹏勋
- 关键词：纳米粉体溶剂热法铁磁性
- 低维纳米功能材料制备及研究
- 近年来，低维纳米材料以其在电学、光学、磁学、力学和热学方面展现出优异的特性，从而在纳米器件、传感器、激光器等方面具有应用前景而备受关注。本论文以纳米材料的制备和应用为背景，以低维纳米材料的制备为重点，报道了一些纳米材料领...
- 岳光辉
- 关键词：纳米材料功能材料硫化锌
- 氮化铜薄膜的制备及其物理性能被引量：4
- 2005年
- 氮化铜薄膜的光学性能及其突出的低温热分解特性,使得它在信息存储方面有广阔的应用前景。本文概述了国际上制备多晶态氮化铜薄膜的研究进展及其物理性能,并对其应用前景进行展望。
- 岳光辉闫鹏勋
- 关键词：物理性能热分解特性氮化晶态铜薄膜信息存储
- 氮化铜薄膜的半导体特性
- 本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(Cu3N)纳米薄膜。运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的Cu3N薄膜是一种n型半导体,禁带宽度约为1.18.6eV.
- 岳光辉王明旭渠冬梅闫鹏勋
- 关键词：电阻率
- 文献传递
- Cu_3N薄膜的制备及其霍尔效应研究被引量：1
- 2006年
- 采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12 sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜。XRD显示薄膜择优[100]晶向生长。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密。用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加。霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加。随温度的降低薄膜的载流子浓度降低。我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35 eV。
- 王明旭岳光辉范晓彦闫德闫鹏勋杨强
- 关键词：XRDSEMAFM
- 新型功能纳米材料制备及性能研究
- 闫鹏勋吴志国王君刘金章岳光辉
- 1、二硫化钴纳米阵列的研究：(1)改变了模板制备的方法，成功地制备了带有硬质边框的AAO模板；(2)采用模板上不用任何的电极，只做成线的模具的方式在模板孔洞中成功地沉积了高度有序的磁性CoS<,2>纳米线阵列；(3)表征...
- 关键词：
- 关键词：纳米材料材料性能
- 射频磁控溅射法制备Cu_3N薄膜及其性能研究被引量：3
- 2006年
- 采用反应射频磁控溅射法，在氮气和氩气的混合气体氛围中，玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜（Cu，N）薄膜，并研究了混合气体中氮气分量对Cu，N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影响。原子力显微镜，X射线衍射仪，四探针电阻仪，紫外可见光谱分析及纳米压痕仪等测试结果表明：薄膜由紧密排列的柱状晶粒构成，表面光滑致密；随着氮气分量的增加，Cu3N薄膜由沿（111）晶面择优生长转变为沿（100）晶面择优生长，晶粒尺寸变小，电阻率ρ从1．51×10^2Ω·cm逐渐增加到1．129×10^3Ω·cm；薄膜的光学带隙在1．34～1．75eV间变化；薄膜的硬度约为6．0GPa，残余模量约为108．3GPa。
- 袁晓梅王君吴志国岳光辉闫鹏勋
- 关键词：射频磁控溅射表面形貌光学带隙显微硬度
