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渠冬梅

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：兰州大学更多>>
发文基金：甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电阻率
  • 1篇氧化锡
  • 1篇气相沉积
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米带
  • 1篇纳米线
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇二氧化锡
  • 1篇CVD

机构

  • 3篇兰州大学

作者

  • 3篇渠冬梅
  • 2篇岳光辉
  • 2篇王明旭
  • 2篇闫鹏勋

传媒

  • 1篇第六届全国表...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
氮化铜薄膜的半导体特性
本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(Cu3N)纳米薄膜。运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的Cu3N薄膜是一种n型半导体,禁带宽度约为1.18.6eV.
岳光辉王明旭渠冬梅闫鹏勋
关键词：电阻率
文献传递
CVD工艺制备二氧化锡纳米材料
二氧化锡是一种n型宽禁带半导体(Eg=3.6 eV，at 300 K)，被广泛应用于光电器件、气体传感器、光催化剂、纳米筛膜、玻璃涂层、太阳能电池的透明电极和锂离子电池的阳极材料等。 在不同实验条件下，用CVD...
渠冬梅
关键词：化学气相沉积纳米线纳米棒纳米带二氧化锡
文献传递
氮化铜薄膜的半导体特性
本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜（Cu3N）纳米薄膜。运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的Cu3N薄膜是一种n型半导体,禁带宽度约为 1．18-2．6eV．
岳光辉王明旭渠冬梅闫鹏勋
关键词：电阻率
文献传递
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共1页<1>
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