张晓森
- 作品数：9 被引量：6H指数：1
- 供职机构：山东师范大学更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性研究被引量：3
- 2013年
- 在没有添加任何催化剂情况下,通过热蒸发锡粉制备了二氧化锡纳米线。利用扫描电子显微镜,X射线衍射和透射电镜对上述纳米线进行了结构表征。实验结果表明二氧化锡纳米线直径在100～400nm,长度达数十微米。PL分析表明当激发波长为325nm时,在581nm处出现较强的黄色发光峰;在激发波长为250nm时,在可见光区域579nm处形成较强的发光峰,同时伴随一个385nm处较弱的发光峰。二氧化锡纳米线的生长机制符合气-固生长模式。
- 李玉国翟冠楠张晓森王宇方香
- 关键词：SNO2纳米线自催化光致发光
- 利用磁控溅射及热蒸发法制备SnO2纳米线及结构表征
- 2012年
- 以Sn为原料，采用磁控溅射及热蒸发法制得SnO2纳米线，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、能量弥散X射线谱（EDS）、傅氏转换红外线光谱分析（FTIR）、拉曼光谱分析（Raman）等测试手段对纳米结构进行表征，结果表明，合成的二氧化锡纳米结构具有金红石结构，二氧化锡纳米材料的生长机制遵循气一液一固生长机制，生长过程中的温度和退火时间对二氧化锡纳米结构的形貌起着极其重要的作用，可以通过这些因素对二氧化锡纳米材料实行可控生长。
- 张晓森李玉国翟冠楠王宇方香
- 关键词：热蒸发磁控溅射
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
- 长直SiO2纳米线的制备和结构表征被引量：1
- 2012年
- 采用磁控溅射法,以Si粉和溅金Si(111)为原料,加入C粉,在Si(111)衬底上制备无定形SiO2纳米线。首先,在Si(111)衬底上分别溅射厚度为18和36 nm的Au。然后,在1 100℃条件下处理80 min。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶红外光谱(FTIR)和X射线衍射方法 (XRD)等测试手段对退火后的SiO2纳米线的表面相貌、微观结构进行分析。结果表明,反应后有大量长而直的SiO2纳米线生成。而且随着溅射Au厚度的增加,SiO2纳米线的数量增多,且长度更长。这表明,SiO2纳米线的生长与溅射Au的厚度密切相关。
- 郑学垒李玉国彭瑞琴翟冠楠张晓森
- 关键词：纳米线无定形磁控溅射微观结构
- 利用磁控溅射及热蒸发制备SnO<sub>2</sub>纳米材料及结构表征
- 二氧化锡（SnO<sub>2</sub>）是广泛存在于自然界的一种四角晶体，颜色多为白色，密度大约在7<sup>8</sup>g/cm3，熔点1100℃左右。化学性质稳定，不溶于水，稀酸和稀碱，可溶于浓硫酸。在工业上，可...
- 张晓森
- 关键词：热蒸发磁控溅射
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
- 热蒸发制备SnO2纳米棒及结构表征
- 2013年
- 以SnO粉末为原料，在镀有金的硅衬底上通过热蒸发的方法获得了SnO2纳米短棒，且通过改变退火时间再现了纳米材料的生长过程．用SEM，XRD，EDS，红外吸收和拉曼光谱对产物的形态和结构进行了分析．结果表明，所合成的产物为具有四方金红石结构的SnO2．最后讨论了SnO2纳米短棒的生长机制．
- 翟冠楠李玉国张晓森
- 关键词：SNO2纳米棒热蒸发磁控溅射
- 利用磁控溅射及热蒸发制备SnO2纳米材料及结构表征
- 二氧化锡（SnO
- 张晓森
- 关键词：热蒸发磁控溅射
- 文献传递
- Au/SiO_2纳米复合薄膜的结构表征及光致发光特性
- 2012年
- 采用磁控溅射和退火技术制备出Au/SiO2纳米复合薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对上述纳米复合薄膜进行了结构表征。实验结果表明,纳米复合薄膜的表面上均匀分布着直径在100～300nm的金纳米颗粒。金纳米颗粒的大小随着退火时间的增加而增大。用荧光光谱仪(PL)对薄膜的光致发光特性进行了研究。结果表明,在激发波长为325nm时,分别在525nm和560nm处出现两个发光峰;在激发波长为250nm时,在325nm处出现发光峰,这一发光峰可能与非晶SiO2的结构缺陷有关。
- 李玉国郑学垒彭瑞芹翟冠楠张晓森
- 关键词：纳米复合薄膜磁控溅射光致发光
