方香
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性研究被引量：3
- 2013年
- 在没有添加任何催化剂情况下,通过热蒸发锡粉制备了二氧化锡纳米线。利用扫描电子显微镜,X射线衍射和透射电镜对上述纳米线进行了结构表征。实验结果表明二氧化锡纳米线直径在100～400nm,长度达数十微米。PL分析表明当激发波长为325nm时,在581nm处出现较强的黄色发光峰;在激发波长为250nm时,在可见光区域579nm处形成较强的发光峰,同时伴随一个385nm处较弱的发光峰。二氧化锡纳米线的生长机制符合气-固生长模式。
- 李玉国翟冠楠张晓森王宇方香
- 关键词：SNO2纳米线自催化光致发光
- SnO_2纳米线的制备及结构表征
- 2013年
- 以SnO2粉末和碳粉的混合物为源,高纯氮气为载气,利用化学气相沉积法在1 000℃下,在溅有Au的单晶Si衬底上制备了SnO2纳米线。用SEM、XRD测试技术对样品进行了结构、形貌的表征,利用PL技术分析了样品的发光特性。由分析可知,样品均为四方金红石结构,退火时间对样品形貌具有一定的影响,但不影响其结构。所制备的SnO2纳米线结晶质量较高,其生长遵循VLS机制。
- 方香李玉国王宇刘永峰
- 关键词：化学气相沉积
- 以SnO/_2粉末为源制备SnO/_2纳米结构及其发光特性研究
- 纳米科技已经被公认为21世纪最重要的科学技术之一，当尺寸达到纳米数量级的半导体材料时便会出现表面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应等特殊性质致使半导体纳米材料表现出奇特的物理化学特性，从而被广泛应用于压敏电...
- 方香
- 关键词：CVD光致发光
- 文献传递
- 利用磁控溅射及热蒸发法制备SnO2纳米线及结构表征
- 2012年
- 以Sn为原料，采用磁控溅射及热蒸发法制得SnO2纳米线，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、能量弥散X射线谱（EDS）、傅氏转换红外线光谱分析（FTIR）、拉曼光谱分析（Raman）等测试手段对纳米结构进行表征，结果表明，合成的二氧化锡纳米结构具有金红石结构，二氧化锡纳米材料的生长机制遵循气一液一固生长机制，生长过程中的温度和退火时间对二氧化锡纳米结构的形貌起着极其重要的作用，可以通过这些因素对二氧化锡纳米材料实行可控生长。
- 张晓森李玉国翟冠楠王宇方香
- 关键词：热蒸发磁控溅射
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
- 二氧化硅纳米花的制备及发光特性研究
- 2014年
- 采用磁控溅射和化学气相沉积技术制备出二氧化硅纳米花。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对上述纳米结构进行结构表征。用荧光光谱仪(PL)对其光致发光特性进行了研究。结果表明在激发波长为325nm时,在394nm处出现一个发光峰,表现出良好的发光特性。
- 李玉国刘永峰王玉萍王宇方香
- 关键词：SIO2溅射光致发光
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
- SnO_2纳米结构的制备及发光特性
- 2013年
- 以Sn为源,在恒温1 000℃条件下,利用碳热蒸发方式,选取不同的退火时间,在溅射Au膜的Si衬底上生长出不同形貌的SnO2纳米结构。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)对纳米结构进行表征,结果表明,Si衬底上生长的是具有金红石结构的SnO2纳米结构,此外用光致发光(PL)对样品进行测试,研究其发光特性,发现397 nm的发光峰是由结构缺陷或者发光中心如纳米晶粒和缺陷造成的,585 nm的发光峰是氧空位缺陷引起的。在此基础上对SnO2纳米结构的生长机制进行分析,发现其遵从VLS生长机制。在恒温条件下,退火时间对SnO2纳米结构的形貌有重要影响,因此可以通过选择不同的退火时间实现SnO2纳米结构的可控生长,得到性能良好的纳米结构。
- 王宇李玉国方香刘永峰
- 关键词：发光特性
