您的位置： 专家智库 > >

张曙光

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 9篇发光
  • 8篇二极管
  • 8篇发光二极管
  • 5篇电致发光
  • 4篇电致发光性能
  • 4篇异质结
  • 4篇发光性
  • 4篇发光性能
  • 4篇ZNO
  • 3篇P-GAN
  • 3篇LN
  • 2篇导电性
  • 2篇电池
  • 2篇电极
  • 2篇电流扩展
  • 2篇电容耦合
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇太阳能电池

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇张曙光
  • 12篇尹志岗
  • 12篇张兴旺
  • 8篇董敬敬
  • 5篇游经碧
  • 4篇施辉东
  • 4篇高红丽
  • 2篇刘鑫
  • 2篇吴金良
  • 1篇高云
  • 1篇谭海仁
  • 1篇白一鸣

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种提高聚合物太阳能电池效率的方法
本发明公开了一种提高聚合物太阳能电池效率的方法，该方法是在制备聚合物太阳能电池的过程中，在光敏层与金属阴极之间引入ZnO电子传输层，并用氢等离子体处理该ZnO电子传输层。氢扩散到ZnO材料中形成浅施主能级，提高了ZnO的...
高红丽张兴旺张曙光尹志岗吴金良
文献传递
制作ZnO基异质结发光二极管的方法
本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p-GaN薄膜；2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜；3)采用湿法腐蚀，将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p-GaN薄膜，形成...
张曙光尹志岗张兴旺游经碧
文献传递
图案化纳米模板及其制备方法
一种制备图案化纳米模板的方法，包括以下步骤：步骤1：利用提拉法，在亲水性良好的平面衬底上组装PS球，得到单层有序的PS球薄膜；步骤2：利用氧等离子体刻蚀PS球，改变PS球的大小；步骤3：旋涂异丙醇稀释的TiO<Sub>2...
董敬敬张兴旺尹志岗谭海仁高云张曙光白一鸣
文献传递
ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法
一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上...
施辉东张兴旺张曙光尹志岗董敬敬刘鑫
文献传递
改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法
本发明公开了一种改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，该方法是采用对n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式，来改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二...
张曙光张兴旺尹志岗董敬敬游经碧
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
本发明公开了一种增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法，该方法是在n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的n-ZnO薄膜中插入一层Ag纳米颗粒，利用Ag局域态表面等离激元与ZnO近带边发光强的...
尹志岗张曙光张兴旺董敬敬高红丽施辉东
文献传递
ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法
一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上...
施辉东张兴旺张曙光尹志岗董敬敬刘鑫
一种提高聚合物太阳能电池效率的方法
本发明公开了一种提高聚合物太阳能电池效率的方法，该方法是在制备聚合物太阳能电池的过程中，在光敏层与金属阴极之间引入ZnO电子传输层，并用氢等离子体处理该ZnO电子传输层。氢扩散到ZnO材料中形成浅施主能级，提高了ZnO的...
高红丽张兴旺张曙光尹志岗吴金良
文献传递
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
本发明公开了一种增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法，该方法是在ZnO/AlN界面插入一层Ag纳米颗粒，通过Ag局域态表面等离激元与器件的电致发光相互耦合，提高ZnO基发光二极管紫光电致发光性能。实验发现Ag纳米...
张兴旺张曙光尹志岗董敬敬高红丽施辉东
文献传递
制作ZnO基异质结发光二极管的方法
本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p-GaN薄膜；2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜；3)采用湿法腐蚀，将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p-GaN薄膜，形成...
张曙光尹志岗张兴旺游经碧
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0