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彭旭

作品数:11 被引量:18H指数:5
供职机构:大连理工大学更多>>
发文基金:辽宁省重大科技攻关项目更多>>
相关领域:冶金工程电子电信电气工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇冶金工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇电子束熔炼
  • 8篇熔炼
  • 4篇
  • 3篇电子束
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇压电
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇氧化硼
  • 2篇冶金
  • 2篇真空
  • 2篇真空炉
  • 2篇真空装置
  • 2篇熔点
  • 2篇凝固
  • 2篇微粒子
  • 2篇物理冶金
  • 2篇小孔
  • 2篇挥发
  • 2篇工业硅

机构

  • 11篇大连理工大学

作者

  • 11篇彭旭
  • 10篇董伟
  • 10篇谭毅
  • 8篇姜大川
  • 6篇王强
  • 2篇李国斌
  • 2篇顾正
  • 1篇徐云飞

传媒

  • 2篇功能材料
  • 2篇材料工程
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇第三届中国储...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 7篇2010
  • 1篇2009
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法及装置
本发明一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法及装置属于高熔点微粒子制备的技术领域,特别涉及一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法。使用加热器将带中心孔的坩埚中的原料熔化,然后给压电陶瓷输入一定波型的脉冲信号,压电陶瓷带动活塞杆向...
董伟彭旭谭毅
文献传递
电子束束流密度对冶金硅中杂质磷的影响被引量:7
2010年
采用电子束设备对多晶硅进行熔炼,设计熔炼功率和时间相同、降束时间不同的三组实验,评价硅中杂质磷在熔炼及凝固过程中的去除效果。根据熔炼后硅锭的杂质分布特点推导出表征硅中杂质磷的去除率公式,经计算得到去除率为80%以上,并由磷的蒸发方程计算出在本实验中当电子束熔炼多晶硅锭的束流密度在235mA之上时,硅中的磷都可以被蒸发去除。
姜大川谭毅董伟王强彭旭李国斌
关键词:电子束
一种去除工业硅中硼的方法
本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9%以上的石英环中,在电子束作用下熔炼,利用高真空度将氧化硼去...
谭毅姜大川董伟顾正彭旭
电子束熔炼冶金硅中杂质蒸发行为研究
近年来随着全球低碳经济的崛起,太阳能光伏产业迎来了巨大的发展空间,太阳能电池的基础原材料——太阳能级硅的需求大大增加。传统太阳能级硅制备方法是西门子法,该方法生产太阳能级多晶硅成本高、生产周期长,其生产产量已经无法满足光...
彭旭
关键词:电子束
电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究
采用电子束熔炼对98.8%的工业硅进行提纯,研究电子束熔炼参数的变化对各种杂质元素的去除效果,同时分析熔炼后杂质元素在硅锭上的分布状态。实验结果表明。电子束熔炼对硅中的主要杂质都有一定的去除效果,对P、Ca、Al效果较为...
谭毅姜大川徐云飞董伟王强彭旭
关键词:电子束熔炼太阳能级硅
文献传递
电子束熔炼冶金级硅中杂质钙的蒸发行为被引量:8
2010年
通过双枪电子束熔炼炉熔炼冶金级硅,主要研究了在一定熔炼功率不同熔炼时间下,杂质Ca含量的变化及其蒸发行为,讨论了杂质Ca含量与Si剩余率的关系。实验结果表明,熔炼初期杂质Ca含量显著降低,随着熔炼时间的延长,下降趋势逐渐减缓。在硅熔体表面2133K温度下,杂质Ca的自由蒸发反应遵循一级反应速率方程。杂质Ca的总传质系数为2.64×10-5m/s,并且杂质Ca从熔体内部迁移到硅熔体/气相界面层是其蒸发过程的速率控制步骤。
彭旭董伟谭毅姜大川王强李国斌
关键词:电子束熔炼
电子束熔炼去除冶金级硅中磷、铝、钙的研究被引量:8
2010年
采用电子束熔炼方法提纯了冶金级硅材料。实验结果表明随熔炼时间延长,硅中挥发性杂质元素P、Al、Ca的含量逐渐降低。熔炼40min后,硅中P含量可以降至2.2×10-5%(质量分数);Al、Ca的最低含量为8.5×10-5%和1.5×10-4%(质量分数)。P、Al、Ca的挥发去除为一阶反应过程,反应速率常数分别为0.11、0.12和0.13min-1。
王强董伟谭毅姜大川彭旭李国斌
关键词:电子束熔炼除杂挥发速率
一种去除工业硅中硼的方法
本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9%以上的石英环中,在电子束作用下熔炼,利用高真空度将氧化硼去...
谭毅姜大川董伟顾正彭旭
文献传递
一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法及装置
本发明一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法及装置属于高熔点微粒子制备的技术领域,特别涉及一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法。使用加热器将带中心孔的坩埚中的原料熔化,然后给压电陶瓷输入一定波型的脉冲信号,压电陶瓷带动活塞杆向...
董伟彭旭谭毅
电子束熔炼冶金级硅除铝研究被引量:5
2010年
采用电子束熔炼工艺提纯了冶金级硅材料。硅中重要杂质元素Al在制备铸锭中的分布不均匀,呈现出由底部到顶部、由边缘到中心的富集趋势。铸锭边缘部位的杂质Al含量最低,已经低于ICP-AES的探测极限(1×10^(-5)%)。对杂质Al的挥发去除过程进行了理论分析。由Langmuir方程和Henry定律导出了杂质Al的去除率与熔体表面温度、熔炼时间的关系式,该关系式表明杂质Al的去除率会随着熔体表面温度升高、熔炼时间延长而增加,其理论计算值与实测结果符合的较好。
董伟王强彭旭谭毅姜大川李国斌
关键词:无机非金属材料电子束熔炼挥发
共2页<12>
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