朱丹
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 基于C-W复合膜／无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极
- 2012年
- 介绍了基于C-W复合膜/无定形碳纳米岛的表面传导电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。利用低熔点纳米Bi岛作为掩模刻蚀得到无定形碳的纳米岛结构,在保留大岛形貌的同时,去除了一定量的小岛结构;同时在无定形碳中掺入少量的W原子,制作导电性极佳的C-W复合膜作为上层发射层,利于激活形成电子发射区域。通过对工艺参数的优化,得到了稳定、均匀的电子发射,电子发射率在阴阳极间距2mm、阳极电压为3 kV时达到0.9%,向器件实用化方向迈出了重要的一步。
- 朱丹李德杰赵勇胡强王健
- 关键词：电子发射
- 基于InO_x纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极被引量：1
- 2009年
- 介绍了基于InOx纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。引入射频溅射的ZnO作为通道层,并在其上沉积InOx纳米岛以及无定型碳薄膜层。InOx纳米岛状结构引入了InOx/C复合活性层的不均匀性;在栅极以及源漏极电压的作用下,当有足够的传导电流通过InOx/C复合层时,通过电流热效应作用,复合层的某些导电通道被烧断,形成电子发射区域。本结构可以通过栅极电压来控制传导电流的有无,从而控制阴极电子发射的有无。
- 朱丹李德杰王健
- 关键词：栅控电子发射
